【課題】本発明の目的は、短時間で製造することができ、さらに、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成できるとともに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】高速引上げ工程と、ウェーハ作製工程と、シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置Ａに対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射するレーザー照射工程（図２(ｃ)）とを具え前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱処理を適正に行うことができ、ライフタイムが向上した高品質な多結晶シリコンウエハを製出することが可能な多結晶シリコンブロック材の製造方法、多結晶シリコンウエハの製造方法及び多結晶シリコンブロック材を提供する。
【解決手段】太陽電池用基板の素材として使用される多結晶シリコンブロック材の製造方法であって、シリコン融液を凝固させて多結晶シリコンインゴットを製出する鋳造工程Ｓ１と、得られた多結晶シリコンインゴットを切断して、多角形柱状をなし、この多角形面の対角線長さが１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下とされ、その高さが１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下とされたブロック素体を切り出す切断工程Ｓ２と、このブロック素体に、温度；５００℃以上６００℃以下、保持時間；１５分以上６０分以下、冷却速度；１０℃／ｍｉｎ以上６０℃／ｍｉｎ以下、の熱処理を行う熱処理工程Ｓ３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面に適度の濃度の酸素が残存し、空孔欠陥や微小酸素析出物等が消失した無欠陥層を有し、しかもゲッタリング能力をも発揮し得るシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶から得られるシリコンウェーハに、塩素が含まれる酸化性雰囲気にて熱処理を施し、少なくとも表層域における欠陥を消失させる。 （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を炭素ドープウェーハに比べてより深々度範囲に形成可能とし、ｐ型の高周波デバイス向けシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、窒素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされるの熱処理により、表面から付加さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜１００μｍの範囲とされる。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング能力に優れ、エピタキシャル層内へのエピ欠陥発生が抑制され、抵抗変動率の少ないエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が、18×10¹⁷〜21×10¹⁷atoms/cm³のシリコン単結晶インゴットをチョクラルスキー法によって育成する育成工程と、前記シリコン単結晶インゴットからウェーハを切り出す工程と、前記シリコンウェーハに対して、750℃〜850℃までの温度で20分以50分以下の熱処理を行う工程と、前記シリコンウェーハに対してエピタキシャル成長を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性と良好な表面平坦性とを兼ね備えた窒化物半導体自立基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、該基板の表面が鏡面であり、前記窒化物半導体自立基板に対するＸ線ロッキングカーブ測定により得られる結果で窒化物半導体結晶の(０００２)面の半値幅が15 sec以上30 sec未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】板状のサファイア単結晶であるサファイア基板に付着した異物の除去を行う。
【解決手段】サファイア基板１０を加熱装置２の炉室２１内に設けられる積載台２２に設置する。そして、大気中よりも酸素の濃度が高められた雰囲気ガスをヒータ２３によって加熱し、その雰囲気ガスを介してサファイア基板１０を加熱する。そして、サファイア基板１０の加熱によって、サファイア基板１０に付着している異物（有機物、無機物）が酸化することで、異物が気化する、あるいは異物とサファイア基板１０との密着性が低下する。その結果、サファイア基板１０に付着する異物が除去される。 （もっと読む）

【課題】特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０¹⁷／ｃｍ³であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。
【解決手段】低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、
ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０¹⁷／ｃｍ³であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満であり；
ｂ）単結晶を加工してシリコンウエハを形成し；そして
ｃ）シリコンウエハを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】クラックのない高品質のサファイアの単結晶が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、ルツボ２０に、ルツボ２０の線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボ２０およびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボ２０に相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボ２０を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶の破壊の原因になる亀裂（クラック）が生じにくい窒化物半導体自立基板、窒化物半導体自立基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上の窒化物半導体単結晶を準備しＳ１０，Ｓ２０、前記窒化物半導体単結晶の表面と、裏面と、側面との全体を保護膜で被覆して被覆基板を形成するＳ３０。前記被覆基板を１３００℃より高い温度下において２０時間以上の熱処理Ｓ４０を施した後、前記被覆基板から前記保護膜を除去して窒化物半導体自立基板を形成するＳ５０。これにより、直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上であり、転位密度が５×１０^６／ｃｍ^２以下であり、不純物濃度が４×１０^１９／ｃｍ^３以下であり、最大荷重が１ｍＮ以上５０ｍＮ以下の範囲内におけるナノインデンテーション硬さが１９．０ＧＰａ以上である窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）