【課題】４００℃を越える高い温度範囲でも使用することができ、さらにその抵抗率の温度依存性が小さい高温領域圧電素子用材料を提供する。
【解決手段】ＲＥ_３Ｇａ_５−ｘＡｌ_ｘＳｉＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５）、ＲＥ_３Ｔａ_０．５Ｇａ_{５．５−ｘ}Ａｌ_ｘＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５．５）及びＲＥ_３Ｎｂ_０．５Ｇａ_{５．５−ｘ}Ａｌ_ｘＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５．５）からなる群から選択される組成を有し、１００℃〜６００℃の範囲の抵抗率変化が１０^４以下であることを特徴とする。酸化性ガスを含む不活性ガス雰囲気中で溶液から単結晶を育成し、次いで、不活性ガス中の酸化性ガスのモル分率（ｚ）を、前記育成工程における酸化性ガスのモル分率よりも低下させて冷却を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生や不純物汚染を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、インゴットを切断してＶ−リッチ領域からなるスライスウェーハを得る工程と、スライスウェーハの表裏面を平坦化処理し、更にエッチング処理する工程と、エッチング後のウェーハを、熱処理用部材を用いて枚葉で単数又は複数保持して酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上１０時間以下熱処理する工程と、酸化膜を除去する工程と、少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】酸素濃度を低減させたシリコン基板を製造するシリコン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶体から切り出されたシリコン基板のデバイス形成予定領域部分を厚さ５０〜２００μｍに加工し、温度Ｔ（℃）、時間ｔ（秒）、初期酸素濃度Ｏｉ（原子個／ｃｍ^３）としたとき、ｔ＝ｆ（Ｏｉ）^２（Ｔｓｉ／２００）^２／｛［０．５２ｅｘｐ［−２．９４×１０^４／（２７３＋Ｔ）］｝ （ただし式中、ｆ（Ｏｉ）＝１．４３×１０^−６９Ｏｉ^４−３．３５×１０^−５１Ｏｉ^３＋２．５１×１０^−３３Ｏｉ^２−３．９９×１０^−１６Ｏｉ−８３．４３である）で与えられる温度Ｔ（℃）以上の温度で、時間ｔ（秒）以上の時間アニールする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＬＰＤが極限まで低減され、検査工程及び出荷段階で不良品発生率が低いシリコンウェーハを、歩留まり良く製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明では、ＣＺ法により育成された無欠陥シリコン単結晶からシリコンウェーハを製造する方法であって、
前記無欠陥シリコン単結晶からスライスされ、鏡面研磨されたシリコンウェーハを準備した後に、
前記鏡面研磨されたシリコンウェーハを、５００℃以上６００℃以下の温度で、４時間以上６時間以下の時間で熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程後のシリコンウェーハを、研磨量が１．５μｍ以上となるように再研磨する再研磨工程とを行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気又は真空において、１７００℃〜２２００℃で炭化珪素基板１を加熱処理することで、炭化珪素基板１の基底面転位２０の先端部を貫通刃状転位３０に転換し、当該炭化珪素基板１上に、炭化珪素のエピタキシャル成長を行うことで、基底面転位２０が低減したエピタキシャル膜２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れていて品質が高いIII族窒化物結晶を提供すること。
【解決手段】III族窒化物単結晶を１０００℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む化合物からなる被膜を形成し、その被膜を除去することによりIII族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でＲＴＰを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面をフッ化水素系溶液により洗浄する工程と、前記洗浄したシリコンウェーハを、アンモニア系ガス雰囲気中、９００℃以上１２５０℃以下の第１の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第１の急速昇降温熱処理を行う工程と、前記第１の急速昇降温熱処理を行ったシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第２の急速昇降温熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でＲＴＰを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハをフッ化水素系溶液により前記表面のシリコン原子を水素で終端させて、前記表面の水素終端密度を５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下とする工程と、前記水素で終端させたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する急速昇降温熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表層部のボイド欠陥を大きく低減することができ、表層部の酸素濃度を向上させることができ、研磨面の表面粗さの悪化も抑制でき、かつ、ＲＴＰにおける生産性を向上させることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面のシリコン原子を水素で終端させる工程と、前記水素で終端させたシリコンウェーハの前記表面のシリコン原子をフッ素で終端させる工程と、前記水素及びフッ素で終端させたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の温度範囲に急速昇温し保持した後、前記温度範囲で前記不活性ガス雰囲気を酸化性ガス雰囲気に切り替えて更に保持し、急速降温する急速昇降温熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高酸素濃度のシリコン単結晶の無欠陥領域から切り出されたシリコンウェーハであっても、ライフタイムを向上させることができ、かつ、半導体デバイス形成時における熱処理においてスリップの発生が抑制されたシリコンウェーハを生産性が低下することなく得ることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりｖ／Ｇ値を制御して育成されたシリコン単結晶インゴットの無欠陥領域から切り出された酸素濃度が１．２×１０^１８個／ｃｍ^３以上１．８×１０^１８個／ｃｍ^３以下であるシリコンウェーハに対して、窒素ガスを含まない非酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第１の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持した後、更に、窒素ガスを含まない酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第２の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持する急速昇降温熱処理を行う。 （もっと読む）