【課題】サイズが大きい酸素析出物の形成を抑制すると共に、適正なサイズの酸素析出物の密度を増加させ、かつ、ウェーハの塑性変形を効果的に抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハを、６００℃以下の第１の温度Ｔ₁で保持された処理室内に搬入した後、Ｔ₁から７００℃以上８００℃以下の第２の温度Ｔ₂（Ｔ₁＜Ｔ₂）まで昇温速度３．１℃／分以下で昇温する第１の昇温過程Ｓ１ａと、Ｔ₂から最高到達温度Ｔ₃（Ｔ₂＜Ｔ₃）まで昇温すると共に、Ｔ₂とＴ₃との間の８００℃以上１１００℃以下の温度範囲における一定温度Ｔ₄で３０分以上２４０分以下保持する過程を含む第２の昇温過程Ｓ１ｂと、Ｔ₃で一定時間保持する最高到達温度保持過程Ｓ２と、Ｔ₃から前記シリコンウェーハを処理室外に搬出する温度まで降温する降温過程Ｓ３と、を経るように熱処理する。 （もっと読む）

【課題】セリウム低濃度側と高濃度側の蛍光出力差を十分に低減することができるシンチレータ用単結晶、その製造のための熱処理方法、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるセリウム付活オルト珪酸塩化合物を含むシンチレータ用単結晶。
Ｇｄ_{２−（ａ＋ｘ＋ｙ＋ｚ）}Ｌｎ_ａＬｕ_ｘＣｅ_ｙＬｍ_ｚＳｉＯ_５ ……（１）
（一般式（１）中、ＬｍはＰｒ、Ｔｂ及びＴｍから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ＬｎはＰｒ、Ｔｂ及びＴｍを除くランタノイド系元素、並びにＳｃ、Ｙから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ａは０以上１未満の値を示し、ｘは１を超え２未満の値を示し、ｙは０を超え０．０１以下の値を示し、ｚは０を超え０．０１以下の値を示す。なお、ａ＋ｘ＋ｙ＋ｚの値は２以下である。） （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とするシリコン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、窒素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされる熱処理により、表面から深さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜７０μｍの範囲とされる。 （もっと読む）

【課題】第１族金属イオンとアクセプタドーパントのイオンを含んでいるバルク単結晶ガリウム含有窒化物を得る方法及びそれで作られたエピタキシー基板とその基板で製造されるデバイスを提供する。
【解決手段】超臨界のアンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物のシード上への晶出(結晶化)工程から構成され、アクセプタドーパントイオンの超臨界のアンモニア含有溶液に対するモル比は少なくとも0.0001である。また、シード上で晶出させる工程後、950℃と1200℃の間の温度、望ましくは950℃と1150℃の間の温度で窒化物をアニールする工程から構成される。 （もっと読む）

【課題】結晶成長によって製造された塊状のサファイア単結晶の結晶欠陥の除去を図り、塊状のサファイア単結晶から得るサファイア製品の収率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】塊状のサファイア単結晶であるサファイアインゴットを製造する「サファイア単結晶成長工程」Ｓ１０１を行う。次に、サファイア単結晶成長工程Ｓ１０１にて得られたサファイアインゴットに対して加熱処理を施す「インゴットの加熱工程」Ｓ１０２を行う。その後、加熱処理が施されたサファイアインゴットに対して機械加工を施す「インゴットの加工工程」Ｓ１０３を行う。ここで、インゴットの加熱工程Ｓ１０２において、大気以上の酸素濃度に高められた雰囲気中によってサファイアインゴットの加熱を行う。こうすることで、サファイアインゴットに機械加工を行う際に生じる、サファイアインゴットのクラックの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高温の焼鈍処理を施しても炭化に伴う欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛製坩堝１内に収容された炭素と炭化珪素との混合粉体５中に炭化珪素単結晶７を埋設した状態で、前記黒鉛製坩堝１を加熱して炭化珪素単結晶に焼鈍処理を施す炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記混合粉体５中の炭素の混合比率を１０ｗｔ％〜８０ｗｔ％とし、前記炭化珪素の混合比率を９０ｗｔ％〜２０ｗｔ％に設定している。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＰや転位クラスターが含まれず、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態では顕在化していないＯＳＦ核やＰ_V領域に存在する酸素析出核のような欠陥（酸化シリコンを含むｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥）が消滅もしくは低減されているシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記インゴットからシリコンウェーハを切り出す工程と、前記ウェーハに対して、酸化性雰囲気中、１２５０℃以上で、１０秒以上のＲＴＰ処理を行う工程と、前記ＲＴＰ処理後のウェーハの表層部近傍の酸化シリコンを含むｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥領域を除去する工程とを有するシリコンウェーハの製造方法。（２）この方法により製造されたシリコンウェーハ。このウェーハ表層部は前記ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が消滅もしくは低減されており、半導体デバイスの特性不良などの悪影響を与えるおそれがない。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハに酸化熱処理を施すことにより、ウェーハの径方向及び厚さ方向の全域にわたってＣＯＰを消滅させる。
【解決手段】チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２３を浸漬して回転させながらシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１に中性子を照射することによりシリコン単結晶１１にリンをドープする。るつぼ１３から、内部の格子間酸素濃度が６．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコン単結晶１１であって、サイズが１００ｎｍ以下でありかつ密度が３×１０⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるＣＯＰの発生領域を含むシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１への中性子の照射によりシリコン単結晶１１の径方向の面内抵抗率のバラツキを５％以下にする。 （もっと読む）

【課題】凝集真性点欠陥を実質的に含まない軸対称領域を有する単結晶シリコンインゴットを成長させる方法を提供する。
【解決手段】(i)空孔が優勢な真性点欠陥である直径一定部分内に領域を形成し、(ii)インゴットの側表面を加熱して、領域における空孔の濃度を減少させる、加熱表面から領域へ向かう内向きの、熱誘導性のシリコン自己格子間原子流束を生じさせ、さらに(iii)領域の形成と領域における空孔濃度の減少の間の時間に、空孔点欠陥の、凝集欠陥への凝集が起こる温度T_Aを超える領域の温度を維持することを含んでなるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表層の酸素濃度を低減し、ウェーハ工程で表層の酸素析出物を消滅させるとともに、デバイス工程で酸素のドナー化を防止でき、また、シリコンウェーハの内部の空孔濃度を増加し、ウェーハ内部のゲッタリング能力を向上でき、更に、研磨時のダメージを除去できる、シリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶からスライスされたシリコンウェーハを、酸素と塩素とを含む雰囲気中において、８００℃以上シリコンの融点未満の熱処理温度で０．１秒以上６００秒以下の処理時間で熱処理する塩素空孔注入処理工程Ｓ４を有するシリコンウェーハの製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）