【課題】ウェーハ表層においては、ＣＯＰを消滅させてＤＺ層を形成すると同時に、バルク中においては、ＢＭＤを高密度で形成し、スリップの発生を抑制することができるＲＴＰによるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたウェーハを急速加熱・急速冷却熱処理する際、昇温過程では非酸化性ガス雰囲気とし、最高到達温度を１３００℃以上シリコンの融点以下の温度とし、前記最高到達温度での保持状態における雰囲気を、前記ウェーハの表面側は酸素分圧２０〜１００％の酸化性ガス雰囲気とし、前記ウェーハの裏面側は非酸化性ガス雰囲気とし、降温過程では、前記ウェーハの表面側および裏面側のいずれも、非酸化性ガス雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】棒状結晶が基板上に高配向且つ高密度で形成され、発光素子、高感度のセンサー、などとして有用な金属酸化物構造体及びその製造方法、並びに発光素子の提供。
【解決手段】本発明の金属酸化物構造体の製造方法は、サファイア基板上に金属酢酸塩水和物を含む層を形成する層形成工程と、前記金属酢酸塩水和物を含む層を不溶化処理する不溶化処理工程と、前記不溶化処理された層が形成されたサファイア基板を、金属イオンと、ＮＨ_４^＋イオンとを含む反応溶液に浸漬させて、金属酸化物を主成分とする棒状結晶を成長させる成長工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の安定構造、安定結晶の製造方法、ＬｉＭｎＯ_２の結晶安定化方法、電池及び電子機器を提供する。
【解決手段】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の結晶が、結晶よりも格子定数の小さい担持体３によって担持される。結晶は、担持体３の結晶表面を覆うように薄膜２として形成される。担持体３は、Ａｌ_２Ｏ_３又はＬｉＣｏＯ_２からなる。薄膜２は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。 （もっと読む）

【課題】新しい治具を熱処理炉に用いたとき、この治具から発生する浮遊元素及びその化合物による予期せぬコンタミを防ぐ方法を提供する。
【解決手段】熱処理の目的を明確にし、それに必要な要素を明らかにした後、シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成する条件を前記熱処理の目的及び効果に影響を与えない範囲で求め、これらを組合わせた熱処理工程を作り、シリコンウェーハの製造工程に組込む。また、新規導入治具等からのコンタミとなる元素及びその化合物の発生を計測若しくは予想し、事前若しくは事後的にかかる不純物のシリコンウェーハへの侵入を防止する手段を講ずる。特に、熱処理工程における、雰囲気制御という比較的容易な方法で、シリコンウェーハの表面にバリアを形成する。 （もっと読む）

【課題】焦電性を抑制したタンタル酸リチウム結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム結晶からなるウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも、タンタル酸リチウム結晶素材と還元剤を準備しＡ、Ｃ、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬Ｂ後、キュリー温度以下の温度でかつ還元雰囲気下で、前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材を重ね合わせて熱処理Ｄし、該熱処理による反応が平衡状態になるまで熱処理を行う製造方法であって、前記準備する還元剤の還元力を調整することにより前記熱処理後に得られるタンタル酸リチウム結晶の導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下、かつ導電性の結晶面内分布を均一となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスプロセスにおける転位の発生およびウェーハ表面の粗さの悪化を抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたウェーハを熱処理する方法において、酸素分圧１．０％以上２０％以下の酸素およびアルゴンの混合ガス雰囲気下、最高到達温度１３００℃以上シリコンの融点以下での保持時間を１秒以上６０秒以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行い、前記ウェーハ表面に厚さ９．１ｎｍ以下の酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】パーフェクト領域に存在するＲＩＥ欠陥を熱処理によって低減することができる、シリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】先ず酸素濃度が１．２×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（旧ＡＳＴＭ）未満であるシリコン単結晶インゴットを引上げる。次に、このインゴットから切出されかつ反応性イオンエッチング法によるＲＩＥ欠陥密度が１×１０⁴〜１×１０¹⁰個／ｃｍ³である領域を含むシリコンウェーハについて、水素および／またはアルゴンガス雰囲気下で９００〜１０００℃まで２〜５℃／分の範囲内の第１の昇温速度で加熱し、１０００℃を越え１２００℃以下の範囲内の所定温度まで２℃／分以下の範囲内の第２の昇温速度で加熱し、更に上記所定温度で５〜１８０分間保持する熱処理を行うことにより、表面からの深さ２〜１０μｍの範囲内の所定の深さにおける反応性イオンエッチング法によるＲＩＥ欠陥密度を１×１０⁴個／ｃｍ³以下とする。 （もっと読む）

【課題】導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下であり、焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶の製造方法、及びタンタル酸リチウム結晶を提供する。
【解決手段】タンタル酸リチウム結晶素材を還元剤と共に還元雰囲気下で熱処理することによってタンタル酸リチウム結晶を製造する製造方法において、前記タンタル酸リチウム結晶素材と前記還元剤を準備しＡ、Ｃ、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬Ｂ後、キュリー温度以下の温度で前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材とを重ね合わせて熱処理Ｄすることにより、熱処理後のタンタル酸リチウム結晶の導電率を１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、理想的な不均一な深さの酸素析出物の分布を形成し得る単結晶シリコンウエハを提供すること等を目的とする。
【解決手段】
前方表面から内側へ延びるデヌーデッドゾーン及びイントリンシックゲッタリングのために十分なウエハバルク部内の酸素析出物が最終的に形成されるような制御された酸素析出挙動を有するシリコンウエハである。特に、酸素析出物を生じさせる前に、ウエハバルク部はドーパントにより安定化された酸素析出核形成中心を有する。ドーパントは窒素及び炭素からなる群から選ばれる。ドーパントの濃度は、いずれのgrown-in核形成中心をも溶かすことができる能力を保ちながら、酸素析出核形成中心にエピタキシャル・デポジションプロセスなどの熱処理に耐えさせるのに十分な濃度である。 （もっと読む）

【課題】全面ＯＳＦ領域のサブストレートが容易に製造でき、かつ１０μｍ以上のＤＺ層を持つアニールウェハが安定的に製造できる方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶を引上げる炉内の圧力を４０〜２５０ｍｂａｒにして、前記炉内の雰囲気中に水素を体積比で１％〜３．８％導入する工程と、前記シリコン単結晶内にＶ領域とＩ領域を含まないように前記シリコン単結晶を引上げる炉内に窒素を添加し、かつ結晶引上速度Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）と結晶成長軸方向の平均温度勾配（℃／ｍｍ）との比であるＶ／Ｇを制御して、かつ前記シリコン単結晶の中心の結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇ_Ｃと外周部Ｇ_Ｅとの比率Ｇ_Ｅ／Ｇ_Ｃが１．４以上であるようなシリコン単結晶を作成する工程と、当該シリコン単結晶から切り出したシリコンサブストレートを非酸化性雰囲気下で１１５０〜１２５０℃、１０分以上２時間以下の条件で熱処理する工程と、を含む製造方法。 （もっと読む）