衝撃センサー（２０；５８）が、検知コイル（２６；７４）内に配置されたターフェノール−Ｄ型検知部材（２２；７６）を備えたハウジング（２７）を有する。バイアス永久磁石（２４）がターフェノール−Ｄ検知部材（２２；７６）と係合するように配置され、スペーサがターフェノール−Ｄ検知部材（２２；７６）と係合しハウジング（２７）から延びている。ハウジング（２７）は１つまたは２つの取り付け穴を有する梁（３４；６４）を備え、衝撃センサー（２０；５８）を構造部材（５４）に取り付ける留め具（５２）が取り付け穴を通って延びている。ハウジング（２７）はスペーサを構造部材（５４）に押し付けるように位置させている。他の実施形態では、ＤＣ電流（７２）を、バイアス磁界を生じさせる検知コイル（２６；７４）に供給できる。高周波フィルター（７８）が、衝撃検知信号を、印加されたＤＣバイアス電流から分離させる。
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