【課題】ＦＩＢ加工装置で試料を加工するにあたって、ＦＩＢ加工装置の真空装置内でプローブ先端に付着した異物を、真空状態を維持したまま除去することが可能な試料作製方法を提供すること。
【解決手段】作業が失敗してプローブの先端部に試料片の一部または全部が異物として付着してしまった場合に、真空を保持したまま、試料片の一部をイオン液体（常温溶融塩）に接触させてから引き離すことによって、前記異物がプローブの先端部から除去されることを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】超高圧透過型電子顕微鏡の試料室内で試料に対して外的負荷を与え、試料の変形挙動をその場で動的に観察するのに適した透過型電子顕微鏡観察用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】透過型電子顕微鏡を用いて観察する試料の作製方法であって、試料材料を電解研磨または化学研磨し、孔と、孔の周囲に形成された薄膜領域とを有する研磨試料を調製する研磨工程と、研磨試料の薄膜領域の一部を除去して孔を円形孔に形成し、円形孔の周囲に観察対象領域を有する試料を調製する孔形状調整工程とを含むことを特徴とする、透過型電子顕微鏡観察用試料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成されたエピタキシャル層の層厚測定用試料を簡便に製造できる層厚測定用試料製造装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層３が形成されたウエハ片１を、そのエピタキシャル層３の一部を残してエピタキシャル層３をエッチングして層厚測定用試料を製造し、エッチング後のウエハ片１上に段差として残ったエピタキシャル層３の層厚を測定するための層厚測定用試料製造装置１０において、ウエハ片１を挟み込む開閉自在の２枚の樹脂板１１，１２と、これら２枚の樹脂板１１，１２の一方に設けられ、ウエハ片１上に形成されたエピタキシャル層３の一部をエッチングから保護すべくエピタキシャル層３の一部と密着するエッチング防止ゴム１３とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いた断面観察試料の作製方法であって、きれいに鏡面研磨されたエッチング面（加工面）を、広い面積で形成できる方法、及びこの方法を行うための断面観察試料の作製装置を提供する。
【解決手段】被加工物の上部を遮蔽板で覆い、非遮蔽部をイオンビーム照射によりエッチングして鏡面研磨部を形成する断面観察試料の作製方法であって、前記被加工物を、イオンビーム照射方向に対して垂直な方向に、研磨速度以上の速度で移動させながら前記エッチングを行うことを特徴とする断面観察試料の作製方法、及び、試料台、試料台上に被加工物を固定する試料固定手段、遮蔽板固定手段、及び、イオンビーム照射手段、並びに、前記試料台をイオンビーム照射方向に対して垂直な方向に移動させるための試料移動手段を有することを特徴とする断面観察試料の作製装置。 （もっと読む）

【課題】安価な手段により、加工中に装置を開けることなく、エッチング部の（厚み方向の）貫通が完了したか否かを判断することができる断面観察試料の作製装置を提供する。
【解決手段】試料台、前記試料台上に被加工物を固定する試料固定手段、被加工物上に被加工物の表面を覆うように遮蔽板を固定する遮蔽板固定手段、遮蔽板に覆われていない被加工物の１断面にイオンビームを照射するイオンビーム照射手段、及び、試料台側に流れる電流をモニタリングする試料電流測定手段又は被加工物を照射せずイオンビーム照射面の反対側に漏れたイオンビーム量の測定手段を有することを特徴とする断面観察試料の作製装置。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡により高分子材料の相分離構造、ラメラ構造および結晶の配向状態を解析することが可能な高分子材料の微細構造の観察方法を提供する。
【解決手段】本発明の高分子材料の微細構造の観察方法は、高分子材料を所定の大きさに成形して、観察用の試料とする工程Ａと、前記試料を液状の透明樹脂で包埋する工程Ｂと、前記透明樹脂が硬化した後、クロスセクションポリッシャーにより、前記透明樹脂および前記試料を研磨し、前記試料の観察面の面出しを行う工程Ｃと、前記面出しされた観察面に、導電膜を形成する工程Ｄと、前記導電膜が形成された観察面を、走査型電子顕微鏡により観察する工程Ｅと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 透過電子顕微鏡等の観察に適した薄膜部分を広く形成した試料を作製する。
【解決手段】試料素材１１上に遮蔽ベルト８を配置し、遮蔽ベルト８の上方から遮蔽ベルト８と試料素材１１にイオンビームを照射し、試料素材１１にイオンミリングされないイオンビーム非照射面１１ｂと、イオンミリングされるイオンビーム照射面１１ｃ，１１ｄを作製するに際し、イオンビーム非照射面から下方に向かうに従って薄くなり、最終的に貫通孔Ｋが開いた試料が出来る様に、イオンビームの照射方向をそれぞれ設定して遮蔽材と試料素材に向けて異なる方向からイオンビームを照射する様すると共に、作製しようとする薄膜の面に直交する軸を中心として試料素材１１を傾斜させながらイオンビームを試料素材１１に照射する様にし、試料素材１１に貫通孔Ｋが開いたら試料素材１１へのイオンビーム照射を停止する様にした薄膜試料作製方法において、試料素材１１の傾斜において、少なくても１つの傾斜角で該試料素材を一時停止させる様にした。 （もっと読む）

【課題】 蛍光Ｘ 線分析装置において高精度な分析結果を得る方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された前記半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、前記走査回収した酸溶液を前記半導体基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物に変える工程と、前記濃縮乾燥物を全反射蛍光Ｘ線分析で測定し第一の測定値を得る工程と、前記半導体基板を酸蒸気に暴露する工程の後に、前記半導体基板上で前記濃縮乾燥物の位置とは異なる位置を全反射蛍光Ｘ線分析で測定し第二の測定値を得る工程と、前記第二の測定値を用いて前記第一の測定値の精度の確認を行う工程とにより半導体基板の分析を行う方法。 （もっと読む）

【課題】微小試料に生じる歪みを抑制できる微小試料の加工方法及び微小試料を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様に係る微小試料の加工方法は、直方体形状を有する透過型電子顕微鏡の観察用の微小試料の加工方法であって、基板上に形成された半導体デバイスから前記透過型電子顕微鏡の観察対象領域を含む前記微小試料を切り出す工程と、前記微小試料の上面側から収束イオンビームを照射して前記微小試料の一部を切削し、前記微小試料の正面側に前記集束イオンビームの照射方向に対して平行な矩形の第１の平面を形成する第１の切削工程と、第１の平面に対して平行な面内において、第１の切削工程とは異なる角度で微小試料へ収束イオンビームを照射して微小試料の一部を切削し、微小試料の裏面側に第１の平面に対して平行な矩形の第２の平面を形成する第２の切削工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの金属不純物の元素情報及び空間情報を高感度且つ高精度で取得することができ、加えて低コスト且つ簡便に実現することができるシリコンウェハの金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング用のＯ_３／ＨＦ混合ガスをシリコンウェハ表面に噴射し、シリコンウェハ表面を気相エッチングする。これにより、第１表層のシリコンが分解され、該第１表層に含まれる金属不純物がその位置をほぼ維持したまま第１表層分解後のシリコンウェハ表層に蓄積する。また、第１表層分解後のシリコンウェハ表面は、Ｏ_３／ＨＦ混合ガスによる気相エッチングにより鏡面化される。その後、気相エッチングにて鏡面化されたシリコンウェハ表面をＴＸＲＦ法にてスキャンし、シリコンウェハの第１表層に含まれる金属不純物の面内分布情報を取得する。 （もっと読む）