【課題】加速度と角加速度のうち少なくとも一方を検出でき、高感度で共振周波数の最適化を図ることができる慣性センサを提供する。
【解決手段】重り部１を支持梁５によって両側から支持して固定部３に固定する。支持梁５は互いに一直線上に形成し、重り部１よりも肉薄に形成する。支持梁５の少なくとも一方を間隔を介して挟む両側に、重り部１と固定部３とを連結する検出梁６を設ける。検出梁６は、重り部１よりも肉薄で、支持梁５よりも幅狭に形成する。重り部１の周りと上下には重り部１の可動空間を形成し、重り部１の重心と支持梁５の重心とは厚み方向の位置がずれるようにする。支持梁５の伸長方向と交わる水平方向から加えられる加速度に応じて、重り部１が支持梁５を軸として変位し、検出梁６が変位するものとし、検出梁６の変位に伴って検出梁６に生じる応力を検知し、その検知応力に基づいて前記加速度を検知する。 （もっと読む）

【課題】プレーナー技術を用いて作られる小型化されたセンサーを提案する。
【解決手段】（ａ）少なくとも１つの可動性の塊を形成する第１の厚さを示す、厚い領域と呼ばれる半導体材料の第１の領域、（ｂ）基板に対して可動性の塊における少なくとも１つのピボットリンクを形成する、半導体材料の第２の領域であって、基板の平面に平行に走るピボットリンクの軸を有する第２の領域、（ｃ）ピボットリンクの軸の周りにおける可動性の塊の運動の検出用の吊るされたタイプの歪みゲージを形成する第２の領域の厚さより薄い厚さを有する、薄い領域と呼ばれる第３の領域であって、ピボットリンクの軸を含まない、基板の面に平行な平面において延長し、ピボットのねじり軸に垂直な平面において延長し、一側部において可動性の塊に結合され、他側部において基板に結合される第３の領域、を有するという事実によって特徴づけられる表面タイプのＭＥＭＳセンサーを含む。 （もっと読む）

本明細書では、圧電抵抗器を有するデバイスを形成する方法が開示される。一実施形態では、本方法は、基板を用意するステップと、垂直の壁を形成するために基板にトレンチをエッチングするステップと、垂直の壁に圧電抵抗器層をエピタキシャルに成長させるステップと、圧電抵抗器層が水平面の中で下層に関して移動可能であるように水平面に沿って延在する基板の下層から垂直の壁を分離するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】加速度等の検出に用いる半導体センサにおいて、これをベース材の表面に固定しても、半導体センサに備える錘部とベース材の表面との間隔を高精度に設定できるようにする。
【解決手段】環状の枠体部Ｓと、その内側に間隔をあけて配される錘部Ｍと、可撓性を有して枠体部Ｓと錘部Ｍとを一体に連結する可撓部Ｆと、可撓部Ｆの変形又は変位を検出する検出手段１２１と、一部が枠体部Ｓ内に埋設されると共に平面視環状に形成された枠体部Ｓの一端面１１３から突出するスペーサ突起部１３とを備え、スペーサ突起部１３が枠体部Ｓと異なる材料からなり、スペーサ突起部１３の先端をベース材の表面に当接させた状態でベース材に固定する半導体センサ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】梁部の剛性を高めずに感度を維持しつつさらに小型化したり梁部の応力を緩和するための設計について自由度が高いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部と、前記支持部から前記支持部の内側に延伸している複数の梁部と、前記支持部の内側に配置され空隙を挟んで複数の前記梁部に対向している錘部と、それぞれ前記梁部の先端部と前記錘部の互いに異なる結合領域とに結合し前記複数の梁部に前記錘部を連結している複数の連結部と、前記梁部に設けられ前記錘部の運動に伴う前記梁部の変形を検出する検出手段と、を備えるＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】可動部とストッパとの間のギャップを精度良く確実に設定でき製造歩留まりが高いＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイと、前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記可動部に対向するストッパと、前記可動部の運動範囲が制限される方向において前記ストッパと前記支持部とに挟まれている樹脂であって封止樹脂よりも硬質の硬質樹脂からなるスペーサと、前記スペーサより前記可動部とは反対側において前記支持部と前記ストッパとを結合している接着層と、を備え、前記スペーサは前記接着層と前記可動部との間において前記接着層と前記可動部との間を遮る方向に延びている、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】新たな原理の加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】加速度センサ素子３は、固定部９と、一端部が固定部９に連結された梁部７と、梁部７の他端部に連結され、梁部７の延びる方向に見て、重心Ｇが梁部７に対して偏心している重り部５とを有する。また、加速度センサ素子３は、梁部７に設けられ、梁部７の捩り変形に伴って比抵抗が変化するピエゾ抵抗部１１を有する。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性能が高く薄いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部と、前記支持部に結合している梁形の可撓部と、前記可撓部に結合し前記支持部に対して運動することによって前記可撓部を変形させる錘部と、前記錘部の運動範囲を制限するストッパ部とを備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、単結晶シリコンからなるベース層の表面に導電型が前記ベース層と異なるエピタキシャル結晶層からなる犠牲層を形成し、前記犠牲層をエッチングすることによって前記犠牲層から前記ベース層を一部露出させ、前記犠牲層と前記ベース層の表面に導電型が前記ベース層と一致するエピタキシャル結晶層からなる非平坦層を形成し、前記ストッパ部と前記錘部との間に空隙を形成し、前記空隙を形成することによって、前記錘部の運動範囲を制限する前記ストッパ部としての機能を前記非平坦層に顕在化する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの可撓部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを連結し前記錘部の運動にともなって変形する可撓部と、が形成されている積層構造体を備え、前記積層構造体は、前記可撓部を構成し下面が平坦である単結晶シリコン層１０と、前記単結晶シリコン層上に積層され前記単結晶シリコン層と異質のＣＭＰストッパ層３０と、を含み、前記ストッパ層の下面と前記単結晶シリコン層の下面とは同一平面に含まれるか、前記ストッパ層の下面は前記単結晶シリコン層の下面から突出している、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】可動部の運動範囲を規制するストッパ基板部と可動部との空隙の幅を精度よく調整することができなかった。
【解決手段】支持部と、前記支持部に支持され前記支持部に対して運動する可動部と、を有する構造体と、前記構造体の前記支持部の底面が接合される平坦な接合面と、前記可動部と対向する領域において底部が前記接合面より後退している凹部と、を有するストッパ基板部と、前記ストッパ基板部の材料に対してエッチング選択性を有する材料からなり、前記凹部を前記接合面よりも後退した位置まで満たすことによって前記可動部の底面と予め決められた所定距離で対向する距離調整部と、を備える。 （もっと読む）