【課題】高感度であり、かつ、他軸感度比率が小さく、正確に力学量を検出することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサは、枠体と、前記枠体の内側に位置する変位部と、前記枠体に対し前記変位部を揺動可能に支持する梁部とが形成された第１の半導体基板と、開口部を有し、前記枠体に接続された支持部と、前記開口部内で前記変位部に接続された錘部とが形成されており、前記第１の半導体基板に絶縁層を介して積層された第２の半導体基板と、前記第１の半導体基板上に設けられており、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子とを備え、前記梁は、一端が前記枠体に固定され、他端が前記変位部に固定されると共に、前記変位部の外周面との間に所定の間隔をとって前記変位部の外周面に沿って延設されており、前記梁の他端が相対的に太いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、小型化可能な力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】
矩形枠状の枠体１１と、枠体１１の内側に配置された変位部１２と、枠体１１の一辺から対向辺に向かって延在する長尺部１５と長尺部１５に連なり、変位部１２の四隅に接続される接続部１６とを有し、枠体１１の四辺と変位部１２とを接続する４つの梁部１３と、枠体１１との接続部分に位置する検出素子１７とを有し、梁部の１３の撓みを検出素子１７によって検出することにより、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸方向の加速度を検出する。 （もっと読む）

【課題】センサを大型化することなく、支持部と錘部とのスティッキングを抑制することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】開口部２３を有する支持部２１と、支持部２１の開口部２３の内側に位置し、支持部２１の内側面２８に対向する外側面２７を有する錘部２２と、支持部２１の各内側面２８と錘部２２の各外側面２７との間にそれぞれ位置し、錘部２２を揺動自在に支持する複数の梁部１３と、複数の梁部１３の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する複数の検出素子１７とを備え、平面視において、錘部２２の各外側面２７と支持部２１の各内側面２８との間隔が、それぞれ錘部２２の外側面２７と支持部２１の内側面２８との間に位置する梁部１３の揺動時の支点となる位置から離間方向に広くなるように形成した。 （もっと読む）

【課題】感度を低下させることなく、多軸方向の感度差を小さくすることができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】開口部２３を有する支持部２１と、支持部２１の開口部２３の内側に位置する錘部２２と、錘部２２を揺動自在に支持する梁部１３と、梁部１３に設けられ、梁部１３の撓み量に基づいて多軸方向の力学量に応じた信号を出力する検出素子１５、１６とを備え、梁部１３の延在方向の少なくとも一部分は、他の部分よりも細く形成し、検出素子１５、１６の出力によって検出される多軸方向の力学量に対する感度差が所定の範囲内に収まるようにした。 （もっと読む）

【課題】加工プロセスに起因したセンサ感度のばらつきを抑えて製造時の歩留まりを向上することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】枠体１１の内側に梁部１３により変位部１２を揺動可能に支持する第１の基板２と、開口部２３を有する支持部２１、変位部１２に接続した錘部２２が形成された第２の基板３と、梁部１３の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子１７とを備え、平面視において、第１の基板２および第２の基板３が、少なくとも枠体１１の内縁１１ａにおける梁部１３との接続部分が支持部２１の開口縁２１ａの外側に位置すると共に、少なくとも変位部１２の外縁１２ａにおける梁部１３との接続部分が錘部２２の外縁２２ａの内側に位置するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉなどの半導体をＡｕとＳｉの共晶反応を利用して接合する場合、Ｓｉ酸化膜を破壊し、ＳｉとＡｕを接触させるために、大きな加圧力が必要となり、製造装置が大型化しコストが高いため加圧力を少なくして接合が可能な接合方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉなど表面に酸化物を形成しやすい基板１２を合金により接合する場合に、Ａｕと、Ａｕの融点を下げる元素Ａｕ−Ｇｅ層１０と、Ｓｉ酸化物ＳｉＯ２層１１を還元する元素Ａｌ層６、密着層としてのＴｉ層９を含む合金層により、Ａｕの合金を比較的低温で溶融させ、溶融した合金中の還元力を有する元素によりＳｉなどの表面の酸化物を還元して破壊し、ＡｕとＳｉなどの半導体基板との反応により接合する。 （もっと読む）

【課題】可動部の破損を防止し、耐久性に優れたＭＥＭＳセンサを得る。
【解決手段】機械的に動作可能な可動部とこの可動部の変位を電気的に検出するセンサ素子を形成したセンサチップ基板を、可動部との間に空隙を設けてベース基板に接合してなるＭＥＭＳセンサにおいて、基板接合面に、可動部の外周の一部に沿って凹部を設ける。 （もっと読む）

【課題】付属部をより大きくして感度を向上させることができる加速度センサ素子を提供することにある。
【解決手段】加速度センサ素子１は、開口部１３が形成された固定部３と、開口部１３内に配置される重り部７と、一方端が重り部７に連結され、他方端が固定部３に連結される梁部５と、梁部５に設けられ、梁部５の変形に伴って抵抗値が変化する抵抗素子９とを有する。重り部７は、梁部５の一方端が連結される主部１５と、主部１５に連結され、梁部５の一方端（主部１５側の端部）よりも他方端側へ突出する付属部１７とを有する。付属部１７は、開口部１３の開口方向の一方側（第１主面Ｓａ側）へ開口する第１溝部２５によって梁部５と隔てられ、梁部５よりも開口方向の他方側（第２主面Ｓｂ側）へ厚い基部１９を有する。また、付属部１７は、梁部５よりも第２主面Ｓｂ側の位置にて基部１９から梁部５側へ張り出した張出部２１を有する。 （もっと読む）

【課題】検出精度の高く生産性の高い加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を加工して、基板の一主面側に比べて他主面側で水平方向における断面積が小さくなるように支持部に対向する内壁面が傾斜する傾斜領域を有する傾斜壁部を有する固定部を形成するＡ工程と、錘部材を傾斜壁部の傾斜領域に当接させた状態で支持部に固定するＢ工程と、傾斜壁部の傾斜領域の表面をエッチングにより除去して、錘部材と傾斜壁部との間に間隙を設けるＣ工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で、特性のばらつきが少ない高精度なＭＥＭＳを製造する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の第一の主面の環状領域に複数の凹部を形成し、前記基板を非酸化性雰囲気中で熱処理することによって、前記複数の凹部から前記基板内に環状の空洞を形成するとともに、前記空洞によって隔てられた薄肉部と厚肉部と、前記空洞に囲まれ前記薄肉部と前記厚肉部とを連結している支柱部とを形成し、前記第一の主面の裏面に相当する前記基板の第二の主面から、前記空洞に到達する環状溝を形成することによって、前記環状溝の外側に位置し前記薄肉部と結合する枠部と前記環状溝の内側に位置し前記支柱部に結合する錘部とに前記厚肉部を分割する、ことを含む。 （もっと読む）