【課題】加速度センサの位置ずれを抑制した加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】
本発明にかかる加速度センサ装置１００は、固定部１３と、固定部１３に対し変位可能な重り部１１と、一端が固定部１１に、他端が重り部１１にそれぞれ連結され、重り部１１の変位に伴って撓む梁部１２と、を備えた加速度センサ２０と、固定部１３の底面と対向配置される主面１Ａを有し、加速度センサ２０が収容される凹部２を有する基体１と、加速度センサ２０と基体１とを接合する接着材４と、を備え、固定部１３は、底面の外周辺に少なくとも一部に面取り部５を有し、接着材４は、面取り部５と主面１Ａとの間に介在するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】重り部の強度を維持しつつ梁部を長くすることが可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】加速度センサ素子１は、開口部１３が形成された固定部３と、開口部１３内に配置される重り部７と、一方端が重り部７に連結され、他方端が固定部３に連結される梁部５と、梁部５に設けられ、梁部５の変形に伴って抵抗値が変化する抵抗素子９とを有する。重り部７は、梁部５の一方端が連結される主部１５と、主部１５に連結され、梁部５の重り部７側の端部よりも固定部３側に突出する付属部１７とを有する。付属部１７（非重なり部１９）は、開口部１３の開口方向に見て梁部５と重ならない位置において主部１５に連結されている。さらに、付属部１７（重なり部２１）は、梁部５よりも第２主面Ｓｂ側、且つ、開口方向に見て梁部５と重なる位置において主部１５に連結されている。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性を向上させた加速度センサ及び加速度センサ装置。
【解決手段】
固定部５０と、固定部５０に対して変位可能な重り部７と、固定部５０および重り部７を連結するとともに重り部７の変位に伴って撓む梁部５と、を含み、固定部５０および重り部７は、少なくとも一方の側面の梁部５との連結部１２外周に、梁部５の長手方向に沿って断面視凹曲線の内面６を有した溝部４を備えたことによって、耐衝撃性を向上させた加速度センサ及び加速度センサ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】
固定部と、前記固定部に対して変位可能な錘部と、第１端が前記固定部に、第２端が前記錘部に接続される梁部と、前記梁部に配置され、前記梁部の撓みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、前記抵抗素子の抵抗値を外部回路に接続するための導体層であって、前記抵抗素子に電気的に接続され、前記錘部の変位によりかかる応力が前記抵抗素子よりも小さい位置に配置された接続部と、前記接続部から延び、前記抵抗素子と異なる厚み位置に広がる面に配置される配線部と、を有する導体層と、を含む加速度センサ。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳチップとシリコン製キャップチップを接合したＭＥＭＳ組立体を樹脂
モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接
触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。
【解決手段】 シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェッ
トエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき
、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や
線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外部回路に設けられた接続端子の機能や配置に応じて、センサ内部の配線パターンの設計や製造工程を変更せずに、配線パターンを容易に変更可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るセンサデバイスは、基板の素子形成領域に形成された複数のセンサ素子と、素子配置領域を除く基板上に形成された複数の接続パッドと、基板上に形成され複数のセンサ素子と電気的に接続された複数の第１配線と、基板上に形成され複数の接続パッドと電気的に接続された複数の第２配線と、第１配線及び第２配線が形成された層と異なる層に複数の第１配線及び複数の第２配線と交差するように形成された複数の第３配線と、複数の第１配線及び複数の第２配線と複数の第３配線との間に形成され、複数の第１配線及び複数の第２配線と複数の第３配線とが交差する位置に複数の貫通孔が形成された絶縁層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プロセスの簡略化および静電引力の対策をともに行って、安価でありかつ高性能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の長方形状のソース部・ドレイン部の中央を分断するように溝部１７を設け、この溝部１７の両側の側壁１７ａ，１７ｂに第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。この構造では第１，第２の半導体層１３，１４が底面方向に薄く、可動ゲート電極１５の底面方向の厚みも減らして溝部１７の底面方向隙間１７ｆを確保し、可動ゲート電極１５に対する底面方向への静電引力の影響を受けにくくしている。また、可動ゲート電極１５に対する側壁間方向の静電引力も相殺している。従って可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】プロセスの簡略化および静電引力の対策をともに行って、安価でありかつ高性能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の三層の半導体層の中央を分断する溝を設けて第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。さらに空間部１７の底方向隙間１７ｆを確保し、可動ゲート電極１５に対する底方向への静電引力の影響を受けにくくしている。また、可動ゲート電極１５に対する側壁間方向の静電引力も相殺している。従って、可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造工程によりクラックなどの形状不良が生じない微小デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一表面側に凹所２２を形成することにより凹所２２に囲まれる機能部と凹所２２の外側にフレーム部１１とが設けられた半導体基板１とこの半導体基板１の一表面側に固着され凹所２２を閉塞するベース３とを備え、半導体基板１の凹所２２の底面と前記一表面側と反対側の他表面側との間の部位は薄肉部２３であり、薄肉部２３は梁部形成予定領域２４とエッチング予定領域２５とを備え、エッチング予定領域２５にエッチングを施し梁部形成予定領域２４に梁部１４が形成される微小デバイスの製造方法であって、エッチング予定領域２５の前記他表面側には凹部２１が形成されエッチング予定領域２５にエッチングを施すことにより凹部２１の底部をエッチングにより貫通させた後にエッチング予定領域２５を除去し、梁部１４を形成する工程を備えるようにした。 （もっと読む）