【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、このようなセンサーユニットを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット１は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサー２と、このセンサーに接合された能動素子モジュール５とを備えたものであり、センサー２は、可動機能領域２Ａ内に位置するピエゾ抵抗素子と、これに電気的に接続され可動機能領域２Ａの外側に位置する複数のバンプ６を有するセンサー本体と、センサー本体に接合された保護用蓋部材と、を有し、能動素子モジュール５は、複数のコンタクト電極５４を有し、このコンタクト電極５４がバンプ６に接続するようにセンサー２と対向し、センサーとの間隙９には、可動機能領域２Ａを囲む堰部材７が位置し、この堰部材７の外側の間隙９には弾性率が１〜１０ＧＰａの範囲にある封止樹脂８が存在する。 （もっと読む）

【課題】センサの検出部分が外枠から分離した加速度センサ、及び加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】底面シリコン基板３０の上に実装された加速度センサ１に対して、左右方向からセンサ部２８に対して印加される外力（物理的な押圧力など）を外枠２が受け止める構成とされており、センサ部２８の内部構造を保護している。シリコン柱４は底面シリコン基板３０から立設され、外枠２からは離間し、且つそれぞれが互いに離間して底面シリコン基板３０の上に複数設けられている。シリコン柱４の先端からは、それぞれ底面シリコン基板３０に沿う方向にビーム６が設けられ、複数のビーム６の先端は空間６０の略中央付近で錘部８に一体化されている。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、このようなセンサーユニットを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット１は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサー２と、このセンサーに接合した能動素子モジュール５とを備え、センサー２は、ピエゾ抵抗素子２９Ｘ，２９Ｙ，２９Ｚに電気的に接続し可動機能領域２Ａの外側に位置する端子３１を有するセンサー本体３と、センサー本体３の枠部２３に接合された保護用蓋部材４と、を有し、能動素子モジュール５は、複数の貫通電極５３と、センサー２の可動機能領域２Ａを囲むように配設された絶縁性樹脂部材５４と、所望の貫通電極５３に接続し、かつ、絶縁性樹脂部材５４上まで達しているコンタクト電極５５とを有し、コンタクト電極５５がセンサー本体３の端子３１と接触した状態で、絶縁性樹脂部材５４がセンサー２と能動素子モジュール５とを接合している。 （もっと読む）

本発明は、一方向（Ｙ１）に沿った向きの変位を測定するための面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスであって、基板に対して懸架された振動質量（２０２）であって、前記基板の面に垂直な軸（Ｚ）周りに旋回可能な振動質量（２０２）と、振動質量（２０２）及び基板に機械的に接続された少なくとも一つのピエゾ抵抗歪みゲージとを備え、ピエゾ歪みゲージ（８）が振動質量の厚さよりも小さな厚さを有し、ピエゾ抵抗歪みゲージ（８）の軸（Ｙ）が、振動質量（２０２）の旋回軸（Ｚ）及び重心（Ｇ）を含む面に直交していて、該面が、測定される方向（Ｙ１）に直交している、面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスに関する。
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【課題】センサ内部の配線パターンの設計や製造工程を変更せずに、配線パターンを容易に変更可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】センサデバイスは、複数のピエゾ素子２３１，２３２と、複数の接続パッド２６１〜２６５と、ピエゾ素子２３１，２３２と電気的に接続された上層配線２４０、２４１と、上層配線２４０及び２４１に接続された下層配線２５１及び２５２と、下層配線２５１及び２５２に対して垂直方向に交差する上層配線２４２〜２４４と、上層配線２４２〜２４４の下層の下層配線２５３〜２５７があり、下層配線２５３〜２５７の他端部の上層には、絶縁層を介して接続パッド２６１〜２６５が形成される。 （もっと読む）

【課題】センサ感度を下げることなく、また交差部角にも応力を集中させずに最大応力を抑制して、耐衝撃性を上げることができる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、枠部１１１と、錘部１１２と、枠部１１１と錘部１１２とを連結する梁部１１３と、梁部１１３上に形成された加速度検出部と、梁部１１３と錘部１１２又は枠部１１１との連結部に近接するに従って広がるフィレット部１１６と、連結部１１５の下側に円弧状又は楕円形状で形成され、かつ連結部１１５から離れる方向に奥行きを有する応力緩和部１１７とを備え、応力緩和部１１７は、梁幅Ｗ、交差部幅Ｌ、奥行きＯとしたとき、Ｌ≧１００μｍ、３０μｍ≦Ｗ≦６０μｍ、１０μｍ≦Ｏ≦４０μｍに形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い物理量検出装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる物理量検出装置は、パッケージ１０と、表裏関係にある第１主面２１および第２主面２２を有し、パッケージ１０に撓み可能に固定され、該第２主面２２がパッケージ１０の内面に対向している反応基板２０と、反応基板２０の少なくとも第１主面２１側に載置され、反応基板２０に発生した応力に応じて信号を発生する物理量検出素子３０と、反応基板２０が撓んだときに反応基板２０およびパッケージ１０の間の距離が最小となる反応基板２０の部位に形成された緩衝体４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

最大化された双方向の対称的な減衰のために最適化されて数千Ｇを超える加速度範囲に対応するプルーフマスを備えた新たな高Ｇ範囲減衰加速度センサを提案する。この高Ｇ範囲加速度センサは、最大限の双方向の対称的な減衰を達成するために、プルーフマスの質量を最小にする一方でその表面積を最大化するように設計される。このような高Ｇ範囲減衰加速度センサは、極めて高い頻度での減衰（すなわちリンギングの抑制）が望まれるあらゆる用途に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】高感度で高精度な物理量検出装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量検出装置の製造方法は、基板、反応基板、物理量検出素子、第１開口部を有する第１スペーサー、第２開口部を有する第２スペーサー、および第３開口部を有する第３スペーサーを準備し、前記基板を前記第１開口部にはめ込む工程と、該基板および前記第１スペーサーの上に第４スペーサーを敷設する工程と、前記第４スペーサーの上に前記第２スペーサーを敷設する工程と、前記反応基板を前記基板に固定する工程と、該反応基板および前記第２スペーサーの上に第５スペーサーを敷設する工程と、前記第５スペーサーの上に前記第３スペーサーを敷設する工程と、前記物理量検出素子を前記反応基板に固定する工程と、前記第３スペーサー、前記第５スペーサー、前記第２スペーサー、前記第４スペーサー、および前記第１スペーサーを順次取り去る工程と、を含む。 （もっと読む）