【課題】ゲージ抵抗からの出力信号を増大させて、構成の小型化を図ったセンサ回路を提供することを課題とする。
【解決手段】一端が接地され、印加された物理量に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗１１−１〜１１−４と、ゲージ抵抗１１−１〜１１−４の他端と電源ＶＣＣとの間に接続され、ゲージ抵抗１１−１〜１１−４に定電流を供給し、ゲージ抵抗１１−１〜１１−４の他端に電源ＶＣＣの電源電圧の半分以上の電圧を印加する定電流供給部１２と、ゲージ抵抗１１−１〜１１−４の抵抗値の変化を電気信号として取り出し、印加された物理量を検出する信号処理部１３とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＸＹ軸方向の加速度の検出感度に優れた加速度センサを提供する。
【解決手段】支持枠１１と、支持枠１１に対して変位可能に設けられた錘部１２と支持枠１１と錘部１２と支持する可撓性を有する梁部１３と、梁部１３に、梁部１３の幅方向の中心線上を含んで設けられている空隙部１４と、梁部１３に設けられているひずみ抵抗検出部Ｒとを備える加速度センサ１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】入力されたパルス波形電圧と同期した信号を出力することが可能な物理量センサを提供する。
【解決手段】力覚センサ１は、外力又は慣性力が作用する作用部と、作用部を支持する支持部と、作用部及び支持部を連結する連結部と、連結部に配置された歪検出用抵抗素子Ｓを含むフルブリッジ回路ＦＢと、フルブリッジ回路ＦＢにパルス波形電圧を印加する信号入力部９と、パルス波形電圧が印加されたフルブリッジ回路ＦＢからの出力信号が入力されるＡ／Ｄ変換部５３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】構造的制限を設けることなく、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の検出感度の差を小さくし、且つ、ドリフトが小さく、３軸間の信号出力の変動を低減する半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明によると、半導体基板に、枠部と、錘部と、前記枠部と前記錘部との間に配置される可撓部と、前記可撓部に第１の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記複数のピエゾ抵抗素子をそれぞれ含む複数のブリッジ回路とを有し、前記ブリッジ回路に電圧を印加する高電位端及び低電位端のうちの何れか一方と、前記ブリッジ回路との間に第１の抵抗体を有する少なくとも１つの前記ブリッジ回路を備えることを特徴とする半導体加速度センサが提供される。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧で、かつ、タイムラグおよび温度ムラなく歪検出用抵抗素子の発熱を促進することができ、これにより電圧印加後から定常状態になるまでの時間を大幅に短縮することができる力覚センサ用チップを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る力覚センサ用チップ１００は、外力を検出するための力覚センサ用チップ１００であって、外力が印加される作用部１１と、作用部１１を周囲から支持する支持部１２と、作用部１１と支持部１２とを連結する連結部１３と、を有するベース部材１０と、前記外力が印加された場合におけるベース部材１０の変形発生部に形成された複数の歪検出用抵抗素子Ｓと、歪検出用抵抗素子Ｓの上層に、抵抗素子用配線２１および層間絶縁膜２５を介して形成された薄膜抵抗２２と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された渦巻き状の可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】変位測定範囲を増加させた可動ゲート型加速度センサを提供することにある。
【解決手段】複数のソース電極１７ａ，１７ｂとドレイン電極１８ａ，１８ｂの組みを設け、ソース電極１７ａ，１７ｂそれぞれにソース配線部１９ａ，１９ｂを接続し、ドレイン電極１８ａ，１８ｂそれぞれにドレイン配線部２０ａ，２０ｂを接続し、それぞれの組のチャネル形成領域２１の上方に矩形状の可動ゲート１５が共通に配置される可動ゲート型加速度センサとした。 （もっと読む）

【課題】可動ゲート電極の変位を制御可能な可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１７とドレイン電極１８との上に導電シールド電極２０が配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。そして導電シールド電極２０の電位を固定することとした。導電シールド電極２０が配置されることにより、可動ゲート１５とドレイン電極１８またはソース電極１７との間に発生する静電力を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 短時間で確実にデポ膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 錘部と、錘部を開口部を挟んで囲むように配置された外枠支持部と、錘部と支持部とを連結する梁部とを備える半導体装置の製造方法であって、支持基板をエッチングして錘部と支持部とを形成する基板加工工程と、基板加工工程のエッチングで生じたデポ膜に接する錘部及び支持部各々の開口部側の側壁を変質させる変質工程と、変質工程後、側壁の変質箇所をデポ膜と共に錘部及び支持部各々から除去するデポ膜除去工程と、を備える。 （もっと読む）