【課題】簡単な製造工程によりクラックなどの形状不良が生じない微小デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一表面側に凹所２２が形成された半導体基板１と、この半導体基板１の一表面側に固着され前記凹所２２を閉塞するベース３とを備え、半導体基板１の凹所２２の底面と一表面側と反対側の他表面側との間の部位は薄肉部２３であり、薄肉部２３は梁部形成予定領域２４と、エッチング予定領域２５と、を備え、エッチング予定領域２５にエッチングを施し、梁部形成予定領域２４に梁部１４が形成される微小デバイスの製造方法であって、エッチング予定領域２５内に全体に亘って薄肉部２３を貫通させてなる貫通孔２７を複数形成することにより、網目状部２６を薄肉部２３に形成する工程と、前記工程の後、エッチング予定領域２５にエッチングを施し、網目状部２６を除去し、梁部１４を形成する工程と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 センシング部などに発生し得る断線を総て検出することのできるセンサ装置を
実現する。
【解決手段】 電源線１２が断線したり、ピエゾ抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ２が両方とも断線する
と、ＶｓＰ，ＶｓＭ＜ＶｒｅｆＬとなるため、第１および第２のウインドウコンパレータ
３２，３３がそれぞれハイレベル（Ｈ）を出力し、ＯＲ回路３４の出力Ｓｏｕｔがハイレ
ベルになるので断線を検出することができる。グランド線１５が断線したり、ピエゾ抵抗
Ｒｓ３，Ｒｓ４が両方とも断線すると、ＶｓＰ，ＶｓＭはそれぞれほぼ電源電位Ｖｃｃま
で上昇するため、ＶｓＰ，ＶｓＭ＞ＶｒｅｆＨとなり、第１および第２のウインドウコン
パレータ３２，３３がそれぞれハイレベル（Ｈ）を出力し、ＯＲ回路３４の出力Ｓｏｕｔ
はハイレベルになるので断線を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 生産性が高く小型な加速度センサ素子及び加速度センサを提供する。
【解決手段】
錘部と、平面視で外形が矩形状であり、前記錘部を囲繞する枠状の固定部と、一方端が前記錘部に、他方端が前記固定部に接続された梁部と、前記梁部に設けられ、前記梁部の撓みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、平面視で前記錘部に重なるように配置され、前記固定部の一主面側の辺上に固定された規制板と、を有する加速度センサ素子。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性を向上させた加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】固定部１３と、固定部１３に対し変位可能な重り部１１と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結され、重り部１１の変位に伴って撓む梁部１２と、を有する加速度センサ素子２０と、加速度センサ素子２０が実装されるとともに、固定部１３を囲繞する枠状部５を有する実装基体１と、固定部１３の外側面１７と実装基体１の枠状部５の内側面１８との間に介在し、加速度センサ素子２０と実装基体１とを接合する第１の接着材８を有する。 （もっと読む）

【課題】 生産性が高く、信頼性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】
固定部と、前記固定部に対して変位可能な錘部と、一方端が前記錘部に、他方端が前記固定部に接続された梁部と、前記錘部の変位に応じた信号を出力する変位検出手段と、を有する加速度センサ素子と、平面視で、前記加速度センサ素子の前記錘部が配置される第１領域と、前記第１領域に隣接し、前記加速度センサ素子を外部回路に接続するための配線層を有する第２領域と、を有する基板と、前記加速度センサ素子を空隙を介して封止するように、前記基板の上面に固定されたキャップ型の封止部材と、有する加速度センサである。 （もっと読む）

【課題】配線導体による起伏の影響を抑えつつ、小型化に対応した加速度センサおよび加速度センサの製造方法を提供する
【解決手段】固定部３と、加速度が加わったときに固定部３に対し変位する重り部１と、一端が固定部３に、他端が重り部１にそれぞれ連結され、重り部１の変位に伴って撓む梁部２と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が実装される平板状の第１の基板３０と、第１の基板３０が実装される基体４０であって、内部または第１の基板３０が実装される面４０Ｓに配線導体４１が配置されている基体４０と、第１の基板３０と基体４０との間に介在され、第１の基板３０を基体４０に固定するための第１の接着材１０と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】アルミ溶断による陽極接合の不良発生を抑制するウェハレベルパッケージ構造体を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１１と、この半導体ウェハ１１の一表面側に形成される絶縁膜１２と、この絶縁膜１２において前記半導体ウェハ１１と反対側に形成されるアルミ膜１３と、を含む積層構造を備えるセンサウェハ１と、このセンサウェハ１においてアルミ膜１３が形成された一面側に接合されるカバーウェハ２と、を備え、センサウェハ１において、アルミ膜１３の一部は、絶縁膜１２に設けられた貫通孔５内部に突出する凸部６を備えるように形成され、この凸部６と電気的に接触する半導体ウェハ１１の所定箇所をコンタクト部７となし、コンタクト部７を介して電流をアルミ膜１３に流すことによりセンサウェハ１とカバーウェハ２とをアルミ膜１３を介して陽極接合させてなるようにした。 （もっと読む）

【課題】微小デバイスチップの半導体基板表面における付着物による不良をチップレベルで検知できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の一表面側にカバーガラス２が接着され、前記半導体基板の前記一表面側とは反対側の他表面側にベースガラス３が接着されてなる積層構造状のウェハレベルパッケージ構造体であって、前記積層構造状の複数の微小デバイスチップが集合してなり、複数の微小デバイスチップのうちの少なくとも一つの微小デバイスチップは、半導体基板の前記一表面側に接着されたカバーガラス２を分離し得る構造を備え、半導体基板１の前記一表面側が検査対象とされる検査対象用微小デバイスチップＴであるようにした。 （もっと読む）

【課題】陽極接合の際、錘部がガラスストッパに接着せず、錘部がガラスストッパに接触した場合でも異物が発生しない微小デバイスを提供する。
【解決手段】可動部と、可動部の周囲に設けられ可動部を可動可能に支持するフレーム１１と、を有するシリコン基板１と、可動部との間にギャップ５、６を設けるようにシリコン基板１のフレーム１１に陽極接合されるガラス基板２、３と、を備える微小デバイスであって、フレーム１１に陽極接合されるガラス基板２、３の接合面２２、３２の面粗度はＲａ＝２ｎｍ以下であり、ガラス基板２、３のシリコン基板１側の表面において可動部に対向する対向面２３、３３の面粗度はＲａ＝０．２乃至０．５μｍであるようにした。 （もっと読む）

【課題】感度を低下させることなく、多軸方向の感度差を小さくすることができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】開口部２３を有する支持部２１と、支持部２１の開口部２３の内側に位置する錘部２２と、錘部２２を揺動自在に支持する梁部１３と、梁部１３に設けられ、梁部１３の撓み量に基づいて多軸方向の力学量に応じた信号を出力する検出素子１５、１６とを備え、梁部１３の延在方向の少なくとも一部分は、他の部分よりも細く形成し、検出素子１５、１６の出力によって検出される多軸方向の力学量に対する感度差が所定の範囲内に収まるようにした。 （もっと読む）