【課題】露光装置のデフォーカス量を簡単に且つ精度良く測定する。
【解決手段】露光用マスク１０は、マスク基板１１にフォーカス測定パターンが設けられ、フォーカス測定パターンは、第１のピッチにより配列された少なくとも３本の第１パターン２２ａを含む第１パターン群１５ａと、第１のピッチとは異なる第２のピッチにより配列された少なくとも３本の第２パターン２２ｂを含む第２パターン群１５ｂとを備え、第１パターン群及び第２パターン群は、いずれも、マスク基板１１に設けられた複数の凹領域及び複数の凸領域により構成される。 （もっと読む）

【課題】回折格子の周期の微細化が可能で、０次光成分を極力小さくして、転写した光導波路回折格子の反射スペクトル中にノイズが発生せず高特性のものとする。
【解決手段】屈折率ｎ₂ の透明基板の１面に格子状の断面略矩形の凹溝２６と凸条２７の繰り返しパターンが設けられてなる位相マスク２１の凹溝と凸条の繰り返しパターン面２９を感光性材料２２を対向させて、その間を透明基板の屈折率ｎ₂ より小さい屈折率ｎ₁ の液体３０で充填し、位相マスク２１の繰り返しパターン面２９とは反対側の面から露光光２３を照射し、繰り返しパターン面２９で回折された±１次回折光２５Ｂ、２５Ｃの干渉縞を感光性材料２２に露光することで回折格子を作製する。 （もっと読む）

【課題】 解像性の良い露光方法、デバイス製造方法および露光パラメータ及びレチクルパターンを決定する決定方法を提供する。
【解決手段】 光源からの光と光学系を用いてレチクルのパターンを被露光体に露光する際の露光パラメータ及び前記レチクルパターンを決定する決定方法であって、前記被露光体に露光すべき回路パターンの機能セルパターンを表す第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なり、前記回路パターンのうち周辺回路パターンを表す第２のパターンと、に関する情報を取得するステップと、該取得した前記第１のパターン及び前記第２のパターンの情報を用いて、前記光源及び前記光学系のうち少なくとも一方の露光パラメータ及び前記レチクルのパターンを決定する決定ステップとを備えることを特徴とする決定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】複雑なパターンを有するフォトマスクにマスクエンハンサー構造を適用する場合にも、プロセスマージンの向上効果が十分に得られるようにする。
【解決手段】フォトマスクを介して露光光をレジストに照射することによって形成される所望の非感光領域と対応するパターンを作成する。前記パターンの内部に配置され且つ露光光を反対位相で透過させる位相シフターの形状を決定する。前記パターンと近接する他のパターンから前記パターンまでの距離に基づいて、位相シフターの幅を調整する。前記パターンのエッジをＣＤ調整用エッジに設定する。位相シフターが配置された前記パターンにより形成されるレジストパターンの寸法を予測する。予測されたレジストパターンの寸法が所望の寸法と一致しない場合、ＣＤ調整用エッジを移動させることにより前記パターンの変形を行なう。 （もっと読む）

【課題】所定の位相角及び透過率を有し、耐薬品性、耐光性、及び内部応力などの膜特
性に優れた光半透過膜又は光半透過部を有する位相シフトマスクブランクの製造方法等を
提供する。
【解決手段】透明基板上に、光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクの製造方法であって、透明基板上に、７０〜９５ｍｏｌ％のシリコンと、金属とを含
んだターゲットを窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及び
シリコンとを含み、圧縮応力を有する光半透過膜を形成した後、光半透過膜を、該光半透
過膜上に形成されるレジスト膜のベーク温度よりも高い温度で熱処理して、光半透過膜の
内部応力を低減する。 （もっと読む）

【課題】高感度で経時安定性に優れた感光性組成物、それを用いた高密度に機能性材料を保持しうるポリマー層を備えた積層体、高密度に金属粒子が存在し、且つ、支持体に対する密着性に優れた画像様の金属膜を備えた遮光材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）光重合開始剤と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される架橋性ポリマーを含むことを特徴とする感光性組成物である。一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４は水素原子、又はアルキル基を示す。Ａは、カルボキシル基等の酸基を含む置換基を示し、Ｂは、カルボキシル基等酸基のアンモニウム塩から選択される部分構造を含む置換基を示し、Ｃは、架橋性基を含む置換基を示し、Ｄはアルキル基等である。ｗ、ｘ、ｙ、及びｚは表示された構造単位のモル比を表す。
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【課題】本発明は、黒欠陥修正後、吸収層または遮光層のパターンの端部にて良好な断面形状が得られるフォトマスクの欠陥修正方法、およびそれを用いたフォトマスクの製造方法、それを実施するためのフォトマスクの欠陥修正装置を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上にパターン状に形成され、金属もしくは合金を含有する吸収層または遮光層とを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、上記金属もしくは合金が、この金属もしくは合金の酸化物よりもエッチング速度が速いものであり、上記吸収層または遮光層の余剰に起因する黒欠陥部の表面および側面を酸化して、酸化皮膜を形成する酸化工程と、上記酸化皮膜のみをエッチングするように、上記黒欠陥部をドライエッチングするエッチング工程とを有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクを用いて高精度の微細パターンが形成されたインプリント用モールドの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、薄膜は、Ｃｒと窒素を含む材料で形成されている上層と、Ｔａを主成分とする化合物を含み、且つ、塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されている下層とからなる。薄膜の上層及び下層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、続いて基板を、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工することによりインプリント用モールドを得る。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクにおけるハーフトーン部の欠陥を事後的に除去する。
【課題を解決するための手段】
透明基板の上に少なくとも遮光膜のパターンと修正半透過膜のパターンとを形成し、前記遮光膜のパターンと前記修正半透過膜のパターンのオーバーラップ部が、半透過膜が遮光膜を覆うように形成する。そのオーバーラップ部の余剰部分ｄが露光装置の解像限界以下の大きさであるように構成する。本発明に係る多階調フォトマスクは露光装置の解像限界以下の余剰部など、本来の設計パターンとは異なる修正半透過膜パターンが形成されているが、露光装置の解像限界以下の大きさであるため露光パターンには全く影響しない。 （もっと読む）

【課題】加工性の向上と低コストを可能にしたグレートーンマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上にＣｒ膜を形成したＣｒ膜ブランクス１０にＣｒエッチング液を用いるエッチングを施すことにより基板Ｓ上に第一開口１１ａを形成する工程する。次いで、第一開口１１ａに、Ｎｉ−Ａｌ、Ｎｉ−Ｃｒ、及びこれらの酸化物、酸窒化物、窒化物からなる群から選択される少なくともいずれか一種からなる半透光膜１４を成膜することにより第一開口１１ａに半透光部１５を形成する。 （もっと読む）