【課題】描画状況下での高さ測定位置の検出が可能なフォトマスク高さ測定方法及びこの高さ測定が可能な電子線描画装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 キャリブレーションマークに光の反射率が異なるパターンを作成し、このパターンを光で走査し、検出された光量データと対応させて高さ測定する測定点の位置を特定し、描画状況下で、前記走査及び前記高さ測定する測定点の位置の特定を行い、所定の光量データに対応する測定点の位置を前記描画状況の前後で比較し、描画状況下における位置ずれを検出し、この位置ずれから、描画状況下の高さ測定する測定点の位置の補正データを生成する高さ測定方法及び電子線描画装置を提供する。
（もっと読む）

【課題】グレートーンマスク作製時にＣＤ（線幅）変動を低減できるグレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、半透光膜と遮光膜とをこの順に有するグレートーンマスクブランクを用意し、該マスクブランクに第１のパターニングを施し、パターニングされた遮光膜及び露出した半透光膜を含む基板全面にレジスト膜を形成した後に第２のパターニングを施すことによって、該半透光膜と該遮光膜にそれぞれ所定のパターニングを施してグレートーンマスクとする。ここで、前記第1のパターニングの際の描画光に対する前記遮光膜の表面反射率と、前記第２のパターニングの際の描画光に対する前記半透光膜の表面反射率との差が、35％以下に調整されている。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの製造難易度を定量的に表現し、フォトマスクを効率的に製造できる技術を提供する。
【解決手段】マスク製造負荷予測システムによる計算で求めたマスク製造負荷指数でマスクレイアウト、製品およびマスク層ごとに異なるマスク製造難易度を相対的に把握し、レイアウト修正可能な段階では最終的なレイアウトを難易度の低いものに修正し、マスク発注者からマスク製造者に早いタイミングでマスク製造難易度に関する情報を提供する。マスク製造負荷指数は、欠陥保証負荷指数と描画負荷指数とで示す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンの形状にかかわらず形状予測の精度を向上させることができ、かつ解析効率を向上させることができる形状予測方法、フォトマスクの製造方法、電子部品の製造方法、および形状予測プログラムを提供する。
【解決手段】入射量予測点における入射角をパターンデータに基づいて求め、前記入射量予測点における入射量を前記入射角とプロセス条件データに基づいて求め、入射量分布を複数の前記入射量予測点における入射量に基づいて求め、前記入射量分布と、所定の閾値または製造履歴データと、に基づいて形状予測点を選定し、前記選定された形状予測点における形状の予測を行うこと、を特徴とする形状予測方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】パターン転写時の露光装置に高ＮＡの露光方法を利用した場合の焦点深度による影響に対応でき、デバイス上にハーフピッチ４５ｎｍ以下の高精度の微細パターンを形成するのに好適な遮光膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し６原子％未満である。また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性、及び光堅牢性に優れた金属粒子含有膜を備え、優れた表面硬度を有し、種々の波長に対する遮光性に優れる遮光材料を簡便な工程により作製しうる遮光部材の作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）露光によりラジカルを発生しうる基材上に、ラジカル重合可能な不飽和部位と金属イオン又は金属塩を吸着する部位とを有する化合物を接触させた後、露光を行うことにより、前記基材上に直接結合したポリマーを生成させてポリマー層を形成する工程と、（ｂ）該ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、（ｃ）該金属イオン又は金属塩中の金属イオンを還元して金属粒子を析出させる工程と、（ｄ）該金属粒子が析出した後、前記ポリマー層を構成するポリマー中の１価の金属塩構造に対して、多価金属架橋処理、化学修飾、及び酸処理からなる群より選択される１つを施す工程と、を有することを特徴とする遮光材料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】マスク使用時のハンドリング中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を抑制できるフォトマスクを提供する。
【解決手段】被転写体上に所望の転写パターンを形成するためのマスクパターンを透明基板２４上に有するフォトマスク（例えばグレートーンマスク）であって、マスクパターン１０ａ，１０ｂ，１０ｃ間を連結する、被転写体に転写されないような細線状の導電性パターン１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂを有する。かかる細線状の導電性パターンは、半透光膜または透光膜により形成される。 （もっと読む）

【課題】欠けチップの発生を防止し、また、デフォーカスの発生を防止することが可能な露光方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハの中央部および周辺部に、適切な個数のデバイスパターンが配置されたマスク領域を投影するショット領域割り付けを行い、投影すべき領域以外を遮光して露光を行う。縦横それぞれ複数のデバイスパターン２が配列された中央領域１０１の外側に複数の周辺領域１０２〜１０９が、遮光帯で分離されて配置されたマスクを利用し、ウエハの中央部および周辺部のそれぞれに適切な領域を投影するショット領域割り付けを行って、露光を行う。 （もっと読む）

【課題】半透光膜を用いたグレートーンマスクにおいて、精緻なパターンを形成するときに、被転写体上に所望のパターンが得られるグレートーンマスクブランク及びグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】被転写体に対する露光光の照射量を部位によって選択的に低減し、被転写体上に残膜値の異なる部分を含む所望の転写パターンを形成するグレートーンマスクの製造に用いるためのグレートーンマスクブランクであって、該グレートーンマスクブランクは、透明基板上に半透光膜と遮光膜とを有し、半透光膜は、基板面内の少なくともマスクパターンが形成される領域内における、露光光透過率の分布が4.0％以内である。該マスクブランクに所定のパターニングを施すことにより、遮光部と透光部と、半透光膜による半透光部を形成し、グレートーンマスクとする。 （もっと読む）

【課題】所望の透過率を有するとともにゼロ付近の位相シフト量を有し、比較的薄い膜厚の光半透過膜、この光半透過膜を利用した新規な位相シフトマスク及びその位相シフトマスクを製造できるフォトマスクブランク、並びに上記光半透過膜の設計方法を提供する。
【解決手段】透光性基材上に形成された、所望の波長λの光の一部を透過する光半透過膜であって、以下の機能を有する位相差低減層を少なくとも一層有する。すなわち、前記位相差低減層は、０＜ｄ≦λ／（２（ｎ−１））を満たす屈折率ｎ及び膜厚ｄを有し、層を通過した光の位相（以下、層透過光と呼ぶ）から層がない場合の光（以下、層参照光と呼ぶ）の位相を減じた値Δθ（以下、位相差Δθ（単位：度）と呼ぶ）が、層透過光と層参照光の光学的距離の差から算出される値Δθ_０＝（３６０／λ）×（ｎ−１）×ｄ（以下、位相差Δθ_０（単位：度）と呼ぶ）よりも小さくなる層である。 （もっと読む）