【課題】図形パターンの分割数を減らすことによって、描画時間を短縮し、装置に対する描画負荷を小さくできる図形パターン分割方法を提供する。
【解決手段】本発明の図形パターン分割方法は、基材上に形成される遮光膜を選択的にエッチングするレジスト層に電子ビームを照射するときの図形パターンを分割する図形パターン分割方法であって、矩形図形パターンを照射してこれを現像しエッチングを行ったときの頂点の部分に形成されるコーナーラウンディングの半径をｒとするとき、ｒ／４≦Ｌ≦ｒ／２で規定されるＬを一辺とするプロセス依存グリッド単位を規定して、図形パターンの境界内に存在し、かつ、図形パターンの境界線にかからない全てのプロセス依存グリッド単位を決定し、決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて図形パターンを分割することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造に用いられるグレースケールマスクを提供する。
【解決手段】該グレースケールマスクは、ソース電極マスク領域と、ドレイン電極マスク領域と、前記ソース電極マスク領域と前記ドレイン電極マスク領域との間のチャンネルマスク領域と、を備え、前記チャンネル領域内に、前記チャンネル領域の中心線とは垂直するように複数の遮光バーが均一に設置される。前記遮光バーと、前記ソース電極マスク領域及びドレイン電極マスク領域と接触する端部は尖った形状、又は台形であることを特徴とする請求項１に記載のグレースケールマスク。 （もっと読む）

【課題】 レチクルに設けられた露光要素による露光結果を予め検証できるようにすること。
【解決手段】 ＣＰＵ７は、記憶部８のデータファイル記憶部５に記憶された露光要素の図形データ及び座標情報を参照して、前記露光要素に対応するディスプレイパネル上のパネルレイアウト要素を生成し、前記ディスプレイパネル上の複数のパネルレイアウト要素の位置関係を判別することによって前記露光要素がエラーか否かを検証する。表示部１は、パネル基板ウインドウ９又はレチクルウインドウ１０内に、前記検証結果を表示する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、走査型プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法であって、フォトマスクへのダメージが少ないフォトマスクの欠陥修正方法、およびそれを用いたフォトマスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に欠陥部を有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、上記欠陥部に、この欠陥部を分解または溶解する分解・溶解用薬液、あるいは、上記基板のゼータ電位と上記欠陥部のゼータ電位とが同符号となるようにｐＨが調整されたｐＨ調整用薬液を供給しながら、上記欠陥部を走査型プローブ顕微鏡の探針で除去することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ダミーパターンを利用することで、モニタ項目を削減することなく、且つスクライブ領域の幅を広げることなく、且つモニタ結果に誤差が含まれる事を防止して、ＴＥＧパターンを形成できる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】この半導体集積回路は、チップ内に形成された複数の機能モジュールと、チップ内の所定の機能モジュール２の周辺の空き領域３に形成され、収差モニタ機能を有する機能性ダミーパターン５とを備え、機能性ダミーパターン５は、平面視で帯状のメタル部Ｂと帯状の絶縁膜部Ｌとがそれぞれ周期的に繰り返されて形成される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクレイアウトの生成方法及びこれを行うプログラミングされた命令を保存するコンピュータで読み取り可能な記録媒体及びマスクイメージングシステムを提供する。
【解決手段】フォトマスクレイアウトの生成方法は、主パターン及びサブ分解能補助形状パターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するステップと、第１フォトマスクレイアウトを分割して複数のメッシュセルを限定するステップと、メッシュセルのうち少なくとも一つ以上のメッシュセルに対して、ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むルールベーステーブルを生成するステップと、補正情報の値をメッシュセルに属するＳＲＡＦパターンに適用して、ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を含む。 （もっと読む）

書込デバイスを用いるマスクレスリソグラフィ処理のための書込パターン、及びフォトマスクを用いるフォトリソグラフィ処理のためのマスクパターンを判断するためのシステム及び技術を提供する。フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターンを発生させる方法の間に、第１の特徴部が、第１のマスクパターンに追加されて第２のマスクパターンが生成される。第１の特徴部の大部分は、所定値よりも大きいサイズ特性を有することができ、第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離される。更に、第１の特徴部は、少なくとも部分的に第１のマスクパターンとターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加することができる。次に、第２のマスクパターンに基づいて第３のマスクパターンを発生させることができ、ここで、フォトマスクは、第３のマスクパターンに対応する。 （もっと読む）

【課題】微細な孤立コンタクトパターン及び密集コンタクトパターンの同時形成が可能なエンハンサマスクに大開口部からなるアクセサリパターン等を設けている場合にも、サイドローブの発生及びレジスト欠陥の発生を同時に防止できるようにする。
【解決手段】透明基板１１上に形成された半遮光部１２に、第１の寸法Ｓ１を有する第１の開口部１３Ａと、第１の寸法Ｓ１よりも大きい第２の寸法Ｓ２を有する第２の開口部１３Ｂとが形成されている。透明基板１１上における第１の開口部１３Ａの周辺には位相シフト部１４が形成されている。透明基板１１上における第２の開口部１３Ｂの周辺に遮光部１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】フォトスペーサの剥がれ不良を低減し、しかも、パネル組み立て工程でのカラーフィルタとＴＦＴ基板の張り合わせマージンを改善する。
【解決手段】透明基板上にブラックマトリックスと着色画素層と透明導電膜を形成する第１の工程と、前記透明導電膜上にフォトスペーサ形成用のネガ型のフォトレジスト層を形成する第２の工程を有し、次に、前記フォトレジスト層上に近接露光のギャップを隔てて、開口部とハーフトーン部分のパターンを有するフォトマスクを設置し、前記フォトマスクを介して前記フォトレジスト層に露光光を照射する第３の工程を有し、次に、前記フォトレジスト層を現像することにより、前記開口部に対応する中央部分と前記ハーフトーン部分に対応する裾野部分を有するフォトスペーサを形成し、前記裾野部分の高さを前記中央部分の高さの８０％以下にする第４の工程によりカラーフィルタを製造する。 （もっと読む）

【課題】マスクブランク用基板及びマスクブランク等の識別や管理を適切に行う。
【解決手段】マスクブランク用基板１０の製造方法であって、主表面１０２が４角形の板状の基板を準備する基板準備工程と、基板を識別又は管理するためのマーカ１０６ａ〜ｄを、主表面１０２の各辺にそれぞれ繋がる基板の４個の端面１０４ａ〜ｄのうち、少なくとも複数の端面に形成するマーカ形成工程とを備える。 （もっと読む）