【課題】図形パターンの分割数を減らすことによって、描画時間を短縮し、装置に対する描画負荷を小さくできる図形パターン分割方法を提供する。
【解決手段】本発明の図形パターン分割方法は、基材上に形成される遮光膜を選択的にエッチングするレジスト層に電子ビームを照射するときの図形パターンを分割する図形パターン分割方法であって、矩形図形パターンを照射してこれを現像しエッチングを行ったときの頂点の部分に形成されるコーナーラウンディングの半径をｒとするとき、ｒ／２≦Ｌ≦ｒ／３で規定されるＬを一辺とするプロセス依存グリッド単位を規定して、図形パターンの境界内に存在し、かつ、図形パターンの境界線にかからない全てのプロセス依存グリッド単位を決定し、決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて図形パターンを分割することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ペリクル膜１３の表側、裏側、並びに局所的な異物分析を安定的に行えるペリクル膜評価用治具１及びペリクル膜の評価方法並びに薄膜評価用治具を提供する。
【解決手段】ペリクル膜１３とペリクルフレームとからなるペリクルのペリクル膜１３上の異物１４を評価するための枠形状のペリクル膜評価用治具１であって、ペリクル膜１３を張る面１５を備えた保持部１０と、保持部１０の周辺部との間でペリクル膜１３をはさむ枠部１１と、張る面１５の内側に設けられ、端部１６がペリクル膜１を張る面１５より飛び出し可能で、端部１６の高さを可変できペリクル膜１３の撓みを防止する撓み防止部１２とから構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイシング領域の面積を大きくすることなく、ショットローテーションやショット倍率の誤差による重ね合せ精度の劣化を防止できるレチクルおよびそれを用いた露光装置ならびに露光方法を提供する。
【解決手段】素子形成領域１Ａ、１Ｂとその間に挟まれるダイシング領域３Ｂとから構成される四角形の所定領域２の外形の対辺の一方に配置されるダイシング領域の凹凸は対辺の他方に配置されるダイシング領域の凹凸に嵌まり合うような形状を有している。またダイシング領域３Ａの凸部には、所定領域２の４つの角部のすべてに対応してモニタマーク領域５、７が配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半透明領域および透過領域が隣接している領域で光の干渉による露光不良パターンが生じ難い階調マスクおよびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された半透明膜とを有し、上記透明基板が露出した透過領域および上記透明基板上に上記半透明膜が設けられた半透明領域を有し、上記透過領域および上記半透明領域が隣接するパターンを有する階調マスクであって、この階調マスクを用いて露光する際の光強度分布のシミュレーションを行った場合に、上記透過領域および上記半透明領域の境界から５μｍ以内の距離の領域で、上記透過領域から上記半透明領域に向けて光強度が単調に減少し、光強度分布に変曲点をもたないものであることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率よくウェットエッチング法により製造され、目的とするパターン状に高精細に遮光膜および半透明膜が形成された階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された遮光膜と、上記遮光膜上および上記透明基板上にパターン状に形成された半透明膜とを有し、上記透明基板が露出した透過領域、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域、および上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域を有する階調マスクであって、上記半透明膜が金属膜もしくは窒化金属膜であることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】異なる寸法を持つ複数の開口部が設けられたハーフトーン位相シフトマスクを用いる場合にも、サイドローブの発生及びレジスト欠陥の発生を同時に防止する。
【解決手段】透明基板１１上に形成されたハーフトーン部１２に、第１の寸法Ｓ１を有する第１の開口部１３Ａと、第１の寸法Ｓ１よりも大きい第２の寸法Ｓ２を有する第２の開口部１３Ｂとが形成されている。透明基板１１上における第２の開口部１３Ｂの周辺に遮光部１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】線幅欠陥についての検出感度が高いマスク検査方法、マスク検査装置及びマスク検査プログラムを提供する。
【解決手段】
フォトマスクに形成されたラインパターンの線幅欠陥を検査するマスク検査方法において、フォトマスクを撮像することにより、ラインパターンに対して直交する直線に沿ったセンサ輝度プロファイルＰ_ｓｅｎｓを作成し、フォトマスクの参照データに基づいて参照輝度プロファイルＰ_ｒｅｆを作成し、センサ輝度プロファイルＰ_ｓｅｎｓにおける閾値Ｔ以上の部分と直線Ｌ_Ｔとにより囲まれた領域Ｒ_ｓｅｎｓの面積Ｓ_ｓｅｎｓを算出し、参照輝度プロファイルＰ_ｒｅｆにおける領域Ｒ_ｒｅｆの面積Ｓ_ｒｅｆを算出し、面積Ｓ_ｒｅｆに補正値Ｈを加えて補正後参照面積Ｓ_{ｒｅｆ−Ｈ}を算出し、面積Ｓ_ｓｅｎｓと補正後参照面積Ｓ_{ｒｅｆ−Ｈ}との差を算出し、この差に基づいてラインパターンの幅が正常であるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク上に、垂直側面プロファイルを有する微細なエッチング対象膜パターンを形成するためのブランクマスク及びこれを用いるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】石英基板のような透明基板１００上に光遮断膜１１０、炭素膜１２０、レジスト膜１４０が配置される。光遮断膜１１０は、透過される光を遮断できる物質、例えば、クロム（Ｃｒ）膜からなる。ここで、炭素膜１２０とレジスト膜１４０の間に、酸化膜１３０がさらに配置されることができる。炭素膜１２０は、例えば、非晶質炭素膜からなる。製造方法は、レジスト膜に露光し、レジストパターンを形成、次に、該レジスト膜パターンをマスクに、酸化膜をエッチング、次に、酸化膜パターンをマスクに炭素膜をエッチング、次に、炭素膜パターンをマスクに光遮断膜をエッチングし、光遮断膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】半透光部に半透光膜を用いたグレートーンマスクの製造段階で生じ得るアライメントずれを定量的に検査できるグレートーンマスクの検査方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２回の描画工程を含むパターニング工程を用いて透明基板上に形成した膜にパターンを形成することにより製造される遮光部と透光部と半透光部を有するグレートーンマスクの検査方法であって、１度目の描画工程によって得られる第一レジストパターンは第一マークを含み、２度目の描画工程によって得られる第二レジストパターンは第二マークを含み、第一レジストパターンにおける第一マーク又は該第一マークに相当する膜パターンのエッジと、第二レジストパターンにおける第二マーク又は該第二マークに相当する膜パターンのエッジとの距離を測定し、当該距離が所定範囲内であるか否かを検査する。 （もっと読む）

【課題】歩留まり低下要因を回避するようにレイアウトパターンを分配する、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、ダブルパターニングを用いた半導体装置の製造方法であって、ダブルパターニングで用いる複数枚のマスクを準備する工程を備える。また、上記複数枚のマスクを用いてダブルパターニングを行なう工程を備える。複数枚のマスクを準備する工程は、複数枚のマスクのそれぞれを用いる露光工程の特性に応じて、レイアウトパターンＬＰ１〜ＬＰ４のサイズを考慮して、レイアウトパターン群ＬＰＧ１を複数枚のマスクに分配する工程を含む。 （もっと読む）