【目的】 光を用いて、光の回折による最小転写寸法の限界を超えた０．２μｍ以下のパターンを転写する技術を提供すること。
【構成】 本発明は、遮光膜（原画パターン）のないマスク基板側にマスク基板と同じあるいは近い屈折率を持つプリズムを設置し、レーザ光をプリズムの１斜面から入射して原画パターン面で入射光を全反射させ、プリズムのもう１つの斜面から大気中に取りだすように構成した光照明系を持ち、さらに、このマスクの原画パターン側に試料の感光材（レジスト）を密着し、エバネッセント波のみ試料の感光材に伝搬させて、０．２μｍ以下の微小パターンを転写できるようにした。 （もっと読む）

【目的】 緻密で平滑性のよいＸ線吸収体を有するＸ線マスクの製造方法及びそれにより得られたＸ線マスクを提供する。
【構成】 薄厚の基板３１の平滑な面に非晶質または微結晶のいずれかからなるＸ線吸収体２１を形成する吸収体形成工程と、Ｘ線吸収体２１上にダイヤモンド膜２２を成膜するダイヤモンド成膜工程と、基板３１を除去する基板除去工程と、Ｘ線吸収体２１に所定のパターンを形成するパターン形成工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 高精度の位相シフタパターンを容易に形成する。
【構成】 マスク基板１１上に位相シフト層１３となる塗布シリコン酸化膜を回転塗布する。レジスト１４を回転塗布する。続いて、所定パターンを電子線露光で形成する。このレジスト１４のパターンをマスクとして、平行平板型リアクティブ・イオン・スパッタリング装置を用いて、塗布シリコン酸化膜を２８０ｎｍの膜厚だけドライエッチングにより除去する。この除去した膜厚は位相シフト層１３の全膜厚の７０％に相当する。続いて、残った塗布シリコン酸化膜を緩衝弗酸溶液を使用してウエットエッチングにより除去する。 （もっと読む）

【目的】 アライメントマークをずれを生じさせたり、つぶしたりすることなくウェハーに露光し、合わせ精度を高める。
【構成】 縮小投影露光装置用レチクルの、本体チップ領域１周辺のスクライブライン領域３に配置するアライメントマーク４に、保護パターン１０，１１を配置することによって本体チップ領域１周辺のスクライブライン領域３にアライメントマーク４を配置可能にしたことと、保護パターン１０，１１を設けたことによって露光時にアライメントマークのつぶれがなくなり、縮小投影露光装置用レチクルの設計のスループットの向上、合わせ精度の向上になり良品収量の向上を実現できた。 （もっと読む）

【目的】 真空紫外光を用いたリソグラフィにおいて、レチクルを簡易にかつ高精度に製造する。
【構成】 石英基板１１上にＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）に対して透過率がほぼ０％の電子線感光レジスト１２を塗布し、電子線感光レジスト１２上に電子ビームにより所望のパターンを描画し、現像し、レジストパターンを形成した。この様にして形成したレジストパターンはＡｒＦエキシマレーザリソグラフィにおけるレチクルとして使用することができ、レチクルを簡易にかつ高精度に製造することができた。レジストをパターン形成したレチクル１６上にＡｒＦエキシマレーザ１５を照射して、Ｓｉ基板１３上のＡｒＦ感光レジスト１４を露光して、所望のパターンを高コントラストで転写することができた。 （もっと読む）

【目的】 空間フィルタを用いて散乱光の一部を遮光しても信号レベルをあまり低下させることなく、S/N 比のよい異物検査装置を提供することを目的とする。
【構成】 例えば、フーリェ変換面に設けられたＴＶカメラ５２により、あらかじめサンプルとして取り出されたあるウエハ１の各チップにおけるフーリェ変換パターンが受像され、情報処理装置の処理により各フーリェ変換パターンの共通パターン（または論理和パターン）が抽出され、この抽出されたパターンに対応する遮光パターンが描かれた空間フィルタをフーリェ変換面に設けることにより光センサの受光信号においてウエハ１からの規則的パターンの回折光が除去され、ガラス板や写真フィルムのような赤外線透過率が高い透明板を用いているので、遮光パターンにより除去された光量低下分を補足することができ、その結果、パターン上に付着した異物の散乱光のＳ／Ｎ比が向上し、異物を良好に検出できる。 （もっと読む）

【構成】 半導体製造プロセスのマスク合わせにおいて、マスク合わせパターンに所定幅のバーニアスケールを形成するようにした。また、バーニアスケール全体を十字状もしくはＬ字状とした。。
【効果】 短時間に精度良くマスク合わせができるようになるという効果がある。また、互いに直交するｘ方向とｙ方向のバーニアスケールを別々に形成する場合に比べて占有面積を小さくすることができる。 （もっと読む）