【課題】露光機の光学系による要因、光源の分光特性、レジストの現像特性などの諸要因を反映したフォトマスクの評価を可能として、パターン形状の決定及び半透過部に形成する膜の素材、または、膜厚の決定が的確に行えるようになされたフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】露光条件を模した露光条件を再現する露光手段を用いて所定パターンが形成されたテストマスクにテスト露光を行いこのテストマスクの透過光パターンを撮像手段により取得し取得された透過光パターンに基づいて透過光パターンデータを得る工程と、透過光パターンデータに基づいて露光条件下における実効透過率を得る工程とを有し、該実効透過率に基づいて、該領域の形状、該領域に形成する膜の素材、または、膜厚を決定する。 （もっと読む）

【課題】遮光部、透光部及び半透光部（グレートーン部）を有するフォトマスク（グレートーンマスク）において、半透光部をなす半透光膜の膜厚に傾斜等の不均一が生じている場合であっても、半透光部における露光光の透過量がフォトマスク上の位置に依って上記不均一に影響されることなく、このグレートーンマスクを用いて形成されるレジストパターンにおけるレジスト膜厚を良好に制御することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板１上に遮光膜６及び半透光膜５が形成され遮光膜６及び半透光膜５にそれぞれパターニングが施されることによって遮光部２、透光部３及び露光光を一部透過する半透光部４が形成され、半透光膜５は、膜面における位置によって露光光の透過率が異なり、露光条件下で、複数の半透光部４の実効透過率が略均一となるように、パターニングが施されている。 （もっと読む）

【課題】高い平面度を有し、且つ、クロム膜の密着性に優れたフォトマスクブランクス、及び該フォトマスクブランクスを簡易に製造しうる製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に、クロム又は酸化クロムと相互作用を形成しうる官能基を有し、且つ、少なくとも片末端で該ガラス基板に直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、該ポリマー層上に気相法にてクロム膜を形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクブランクスの製造方法、及び該製造方法により得られたフォトマスクブランクス。 （もっと読む）

【課題】 ダミーパターンの配置に伴う光学的影響によってＯＰＣ処理の負担（特にバイアス処理の負担）が増大している。
【解決手段】 パターン配置装置５０は、複数の配線パターンが配置されたレイアウト領域にダミーパターンを配置する。パターン配置装置５０は、ダミーパターンが配置されるべき配置領域を、互いに隣り合う配線パターンの中間領域に、かつ両隣の配線パターンに対する間隔が実質的に一定になるように設定する配置領域設定部５４と、ダミーパターンを配置領域に配置するパターン配置部５５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】露光機の光学系による要因、光源の分光特性、レジストの現像特性などの諸要因を反映したフォトマスクの評価を可能として、パターン形状の決定、及び、半透過部に形成する膜の素材、または、膜厚の決定が的確に行えるようになされたフォトマスク情報を取得するフォトマスク情報の取得方法を提供する。
【解決手段】露光条件を模した露光条件を再現する露光手段を用いてフォトマスクに露光を行い、このフォトマスクの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて透過光パターンデータを得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、階調マスクの半透明領域および透過領域が隣接している領域で光の干渉による露光不良パターンが生じ難いカラーフィルタの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された半透明膜とを有し、上記透明基板が露出した透過領域および上記透明基板上に上記半透明膜が設けられた半透明領域を有し、上記透過領域および上記半透明領域が隣接するパターンを有し、この階調マスクを用いて露光する際の光強度分布のシミュレーションを行った場合に、上記透過領域および上記半透明領域の境界から５μｍ以内の距離の領域で、上記透過領域から上記半透明領域に向けて光強度が単調に減少し、光強度分布に変曲点をもたないものであることを特徴とする階調マスクを用いることにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】パターンの輪郭データの抽出を失敗すること無く、高速かつ正確に回路パターンの検査を行うことのできる、パターン検査方法及びシステムを提供する。
【解決手段】パターン比較は通常２次電子像を用いて行うが、パターンの立体形状の観察及び検査に適すると言われている反射電子像を用いて、パターンの輪郭を抽出する。そして、この抽出したパターンの輪郭を用いてパターン検査を実行する。パターン検査は、具体的には、パターンの輪郭とＣＡＤ等の設計データとを比較して両者のずれを計測したり、パターン輪郭から回路パターンの寸法等を算出することにより実行される。
なお、２つ以上の異なる空間的な位置で反射電子を検出して生成された少なくとも２つ以上の反射電子像から、反射電子像に含まれたパターンの輪郭データを抽出するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】従来液晶表示装置製造に用いられている露光機の露光条件においては解像できなかった例えば３μｍ以下のパターンを解像し、より精細な転写像を得るためのフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に形成した半透光膜をパターニングすることによって所定のパターンを形成した、透光部と半透光部とを有するフォトマスクであって、該フォトマスクを透過した露光光によって、被転写体上に線幅３μｍ未満の転写パターンを形成するフォトマスクにおいて、該フォトマスクは、上記透光部又は半透光部の少なくとも一方が３μｍ未満の線幅の部分を有する、透光部と半透光部とからなるパターンを含む。 （もっと読む）

【課題】修正半透過膜の波長依存性を考慮した最適な透過率を設定する具体的な方法を提供する。
【課題を解決するための手段】多階調フォトマスクに使用される複数の露光波長を含む露光光源に対し、未修正半透過膜と修正半透過膜のそれぞれについて各波長のスペクトル強度比で加重平均した透過率の値が等しくなるように、修正半透過膜の膜厚を制御する。修正半透過膜の堆積には、光ＣＶＤ法などの膜厚を制御しながら局所的に堆積できる気相堆積法を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 パターン補正精度を向上することができるプロセスモデル作成方法、プロセスモデル作成プログラム及びパターン補正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 マスクパターンが形成されたテストマスクを露光してテストパターンを被処理膜に形成する工程と、異なるモデルパラメータを有する複数のプロセスモデルを作成する工程と、前記複数のプロセスモデルそれぞれを利用して前記マスクパターンのシミュレーションを行い、複数のモデルパターンを予測する工程と、前記テストパターンと前記複数のモデルパターンそれぞれとの寸法差を計算する工程と、前記複数のモデルパターンのうち前記テストパターンとの寸法差が仕様範囲内に収まるモデルパターンを抽出する工程と、前記マスクパターンのパターン情報ごとに、抽出された前記モデルパターンを予測した前記プロセスモデルを規定する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）