【課題】第一に、波長２００ｎｍ以下の露光光に対する位相シフト膜や遮光膜の耐光性を向上させ、転写用マスク寿命を改善できるマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供することである。また、本発明の目的は、第二に、位相シフト膜や遮光膜の薄膜化を可能とするマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供することである。
【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用され、透光性基板上にパターン形成用薄膜を備えたマスクブランクにおいて、前記パターン形成用薄膜は、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなり、その表層に膜中でより高い酸素含有量を有する酸化層が形成されており、前記パターン形成用薄膜を４０００気圧で加圧したとき、加圧前後における膜厚の減少率が２％以下であることを特徴とするマスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬにおいて用いるＥＵＶマスクの信頼性を向上させる。
【解決手段】多層膜と吸収体パターンとを有するＥＵＶマスク上の基準パターンを基点にして、吸収体パターンのレイアウトデータをメッシュに区分する（ステップＳ０１）。その後、ＥＵＶマスク上に欠陥が無い場合におけるＥＵＶ光に対する散乱光の補正信号強度を、メッシュごとに算出する（ステップＳ０３）。それに並列して、ＥＵＶマスクにＥＵＶ光を照射し、その散乱光の測定信号強度を計測する（ステップＳ０４）。続いて、メッシュごとに、測定信号強度から補正信号強度を差し引くことでメッシュ信号強度を算出する（ステップＳ０５）。そして、メッシュ信号強度の値から位相欠陥の有無を判定する（ステップＳ０６）。ここでは、メッシュ信号強度が所定の閾値を超える場合に、そのメッシュのＥＵＶマスク上に位相欠陥が有ると判定する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ用フォトマスクの描画データ作成方法において、周期的配列パターンによるムラの発生を防止することができ、かつ描画量や描画時間を大幅に増やさず、パターン寸法シフトや座標シフトを最小化でき、高精度な描画が可能な手段を提供すること。
【解決手段】描画パターンを構成する各設計データの座標ごとに、ランダムに発生させたＸ方向および／またはＹ方向の座標シフト成分を印加する工程を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば欠陥を探しての試料の検査のあいだ、試料を照射する方法および装置を提供する。
【解決手段】ある局面において、照射装置は、それぞれ第１端および第２端を有する光ファイバの束を含む。照射装置は、１つ以上の入射ビームを、光ファイバの１つ以上の対応する第１端に選択的に伝達することによって、選択された１つ以上の入射ビームがファイバの１つ以上の対応する第２端から出力されるようにする照射セレクタをさらに含む。照射装置は、ファイバの対応する１つ以上の第２端から出力された選択された１つ以上の入射ビームを受け取り、選択された１つ以上の入射ビームを試料に向けて導くレンズ構成も含む。レンズ構成およびファイバは、ファイバの第２端において試料の画像化平面を画像化するよう互いに対して構成される。ある局面において、入射ビームはレーザビームである。本発明の具体的な応用例において、試料は、半導体デバイス、半導体ウェーハ、および半導体レチクルからなるグループから選択される。 （もっと読む）

【課題】Ｆ₂エキシマレーザの波長１５７ｎｍを含む１４０〜２００ｎｍの波長範囲において、従前の２層又は多層膜からなるハーフトーン型位相シフトマスクを使用する上で生じていた、高透過率層に付随して発現してしまう透過率抑制効果が問題とならないような、多層型ハーフトーン型位相シフトマスク及びそのマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】 位相シフター膜が、透過率調整を主たる機能とする低透過率層と、位相シフト量の調整を主たる機能とする高透過率層の２層からなり、前記低透過率層の消衰係数をＫ₁、前記高透過率層の消衰係数をＫ₂としたとき、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、Ｋ₂＜Ｋ₁≦３．０の範囲であって、前記低透過率層の膜厚をｄ₁としたときに、前記露光波長λにおいて、０．００１≦Ｋ₁ｄ₁／λ≦０．５００であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各トランジスタの特性を均一化することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】フォトマスク１００には、複数のチャネルパターン１０１と、配線パターン１０２と、補助パターン１０３とが形成されている。複数のチャネルパターン１０１は、半導体基板上に形成された拡散層２１１の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された複数のチャネル部を形成するために、並列に配されている。配線パターン１０２は、チャネル部から延びたゲート配線部を形成するために、チャネルパターン１０１から延びている。補助パターン１０３は、各々のチャネル部の、拡散層の縁部２１２から一定の距離だけ離れた部分を、該チャネル部が延びている方向と直交する方向Ｔ２に広げるように、各々のチャネルパターン１０１に対して設けられている。各々のチャネルパターンに対して設けられた補助パターン１０３は、互いに同一形状になっている。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させ、転写マスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、クロムを除く遷移金属およびケイ素を含有する材料からなるパタン形成用薄膜と、クロムを含有する材料からなるクロム系薄膜が順に積層したマスクブランクを用い、クロム系薄膜上にレジストパタンを形成する工程と、パタンを形成する工程と、パタンを有するクロム系薄膜をマスクとして、パタン形成用薄膜にパタンを形成する工程と、前記クロム系薄膜を除去して転写用マスクを作製し、作製した転写用マスクをアルカリ溶液洗浄、温水洗浄、オゾン含有水洗浄のうち１以上の洗浄工程を、前記パターン形成用薄膜のパターン幅が４ｎｍ減少するまで、あるいは前記パターン形成用薄膜のスペース幅が４ｎｍ増加するまで行う洗浄工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 多階調フォトマスクの半透光膜が減膜して透過率が変化する際における局所的な減膜量の変化を抑制し、光透過率の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 導電性を有する導電性膜、半透光膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、フォトマスクブランク上に形成した第１レジストパターンをマスクとして、少なくとも遮光膜をエッチングする第１エッチング工程と、第１レジストパターンを除去したのち、第１エッチング工程の行われたフォトマスクブランク上に第２レジストパターンを形成し、第２レジストパターン及び遮光膜をマスクとして半透光膜をエッチングする第２エッチング工程と、第２レジストパターンを除去したのち、露出した半透光膜を所定量減膜する減膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高精度に反射型マスクのパターンをウエハ上に転写することが可能な反射型投影露光マスクブランク、反射型投影露光マスク及び反射型投影露光マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１００上にＥＵＶ光を実質的に吸収することを目的とした吸収体層１０１と、吸収体層１０１上に形成され、ＥＵＶ光を実質的に反射させることを目的とした反射膜層１０２とを備え、反射膜層１０２は吸収体層１０１より上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】遷移金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させた転写用マスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に設けられたパターン形成用薄膜に転写パターンが形成されてなる転写用マスクにおいて、前記転写用マスクは、波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるものであり、前記パターン形成用薄膜は、クロムを除く遷移金属およびケイ素を含有する材料からなり、前記パターン形成用薄膜は、膜中のクロム含有量が、１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であることを特徴とする転写用マスク。 （もっと読む）