【課題】検査対象基板上の異物を確実に除去することができる基板検査装置の提供。
【解決手段】基板検査装置１は、マスク１１６、複数の粘着性粒子が離脱可能に設けられた剥離シート２０、および粘着部材２２が装着されるマスクホルダ１１７と、マスクホルダ１１７に対してマニピュレータ（例えばナノピンセット１０）と検出部４１とが設けられた検出ヘッド１１３を相対移動させる移動手段である鉛直方向駆動機構１２３および水平方向駆動機構１２４と、制御装置２００を備えている。制御装置２００は、剥離シート２０に設けられた複数の微小吸着粒子のいずれか一つをマニピュレータで保持して離脱させ、微小吸着粒子を保持したマニピュレータを異物の位置へ移動し、異物を粘着性粒子に付着させてマスク１１６から除去し、異物が付着した微小吸着粒子を粘着部材２２に付着させて移送する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示素子用カラーフィルタのパターン形成のためのフォトマスクに関し、具体的には微細パターン形成のために主パターンの内部に補助パターンを含むことを特徴とするフォトマスクに関するものである。
【解決手段】本発明は、フォトマスクウィンドウの内部に追加的なパターンを形成することによって、光の補強／相殺干渉を用いて、より小さなパターン製作が可能であるようにすることで、大きいフォトマスクを利用しながらも微細パターン製作が容易であるという長所を有する。 （もっと読む）

【課題】グレースケールマスクを製作する際に、マスク描画装置の分解能を超えてグレースケールマスクの透過率の精度を向上させる。
【解決手段】所定の透過率に応じて設計形状エリアＡ１を画定する。マスク描画装置の分解能に応じて設計形状エリアＡ１を当該設計形状エリアＡ１との相似関係を維持しつつ丸めた第１開口エリアＡ２を画定する。第１開口エリアＡ２の面積を設計形状エリアＡ１の面積から減じた差分を算出する。この差分に相当する面積調整エリアＡ４をその幅Ｗ１がマスク描画装置の最小描画単位の整数倍となるように第１開口エリアＡ２に隣接させて設けることにより、これら第１開口エリアＡ２および面積調整エリアＡ４からなる第２開口エリアＡ５を画定する。この第２開口エリアＡ５に沿ってマスク描画装置で遮光膜に開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークが複数のショットに跨って形成されている場合、完成形であるアライメントマークをＣＡＤデータから作成するためにはユーザ自身の手作業が求められる。
【解決手段】１つのアライメントマークが複数のショットに跨って作成される場合に、各アライメントマークに関連する複数のショットのＣＡＤデータを相互の位置関係に応じて合成し、アライメントマークの完成形を含む合成ＣＡＤデータを自動的に作成する。 （もっと読む）

【課題】ＯＰＣ処理の処理時間を短縮することができるマスク設計方法を提供する。
【解決手段】マスク設計方法は、レイアウトを示すレイアウトデータを取得する工程と、基本レイアウトを示す基本レイアウトデータと基本レイアウトデータに対する第１のＯＰＣ処理後の第１のＯＰＣ処理後データとを互いに対応付けたテーブルから、レイアウトデータに対応する前記第１のＯＰＣ処理後データを読み出す工程と、レイアウトデータに対して読み出した第１のＯＰＣ処理後データを付加して、レイアウトデータの第１の初期補正後データを生成する工程と、レイアウトデータが所望の形状となるように、第１の初期補正後データに対して第２のＯＰＣ処理を少なくとも１回行い、第２のＯＰＣ処理後データを生成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】マスクパターン描画方法及び装置に関し、マスクにパターンを正確に描画するためのマスクパターン描画方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】素子領域層とゲート層とにより構成されるマスクパターンを作成する場合に、ゲート層パターンから素子領域層パターンのインコーナーまでの距離Ｄを算出する手段と、該距離Ｄがある一定の距離Ｄ₀より短い場合には、素子領域層パターンのインコーナーから、ゲート層パターンと重なる素子領域層までを領域Ｆ１、それ以外の領域を領域Ｆ２と分割する手段と、前記距離Ｄがある一定の距離Ｄ₀より長い場合には、ゲート層パターンと重なる素子領域層パターンを領域Ｆ１、それ以外の領域を領域Ｆ２と分割する手段と、前記領域Ｆ１と領域Ｆ２とでショットする最大ショットサイズを変えて素子領域層用マスクにパターン描画を行なうように構成する。 （もっと読む）

【課題】任意のパターン上の粒子を検出する高速方法を提供する。
【解決手段】システムおよび方法を用いてマスクＭＡからの熱放射を検出する。マスクＭＡ上のデブリ粒子Ｄは加熱するが、周囲マスクほど速く冷却しない。この温度差によって、粒子ＤおよびマスクＭＡによって放出される放射の波長は異なる。したがって、熱放射を検出することによって、マスク上に堆積した粒子Ｄの存在を検出することができる。粒子Ｄが検出された場合は、マスクＭＡをクリーニングすることができる。 （もっと読む）

【課題】１度の描画で立体的なレジストパターンを形成することができる電子線描画用マスクブランクを提供する。
【解決手段】電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであって、
基板と、
前記基板上に形成された薄膜と、
前記薄膜上に形成された電子線レジスト膜と、を備え、
前記電子線レジスト膜は、少なくとも下層レジスト膜と上層レジスト膜とを含む積層膜からなり、
前記下層レジスト膜と前記上層レジスト膜とは、電子線に対する感度が互いに異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】白欠陥の補正が、やり直し可能なマスク修正方法を提供する。
【解決手段】実質的に光を遮光する第１領域と、実質的に光を透過する第２領域とを有するマスクの白欠陥を修正するマスク修正方法において、第２領域上であって白欠陥部の近傍に形成され、白欠陥部の近傍の透過率が、白欠陥部が存在しないときに得られる第１透過率になるように透過率を調整する補助パターンを求める工程と、補助パターンを形成し、白欠陥部の近傍の第２透過率を求める工程と、第１透過率と第２透過率とを比較し、比較結果が基準値を満たすか否かを判定する工程と、比較結果が基準値を満たさない場合、比較結果が基準値を満たすように、比較結果に応じて補助パターンを修正または変更する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】任意のパターン上の粒子を検出する高速方法を提供する。
【解決手段】カメラ３０がマスクＭＡからの放射を検出して像を形成するが、像の焦点面ＦＰはマスクＭＡの前にある。マスクＭＡ上にある任意の粒子Ｄは合焦される。しかし、マスクＭＡ上のパターンは焦点がずれる。これにより、したがって、任意のパターンを有するマスクＭＡ上の粒子Ｄの存在および位置を検出することができる。カメラ３０の焦点深度は小さく、焦点面ＦＰは、パターニングデバイスの表面から焦点深度の２倍よりも遠くにない。 （もっと読む）