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国際特許分類[G03F1/08]の内容

国際特許分類[G03F1/08]に分類される特許

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【課題】 ハーフトーン型位相反転ブランクマスク、ハーフトーン型位相反転フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、位相反転膜、金属膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるハーフトーン型位相反転ブランクマスク。ここで、位相反転膜は、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、位相反転膜に厚さ方向に相異なる組成比を持たせることによって、位相反転膜の接着力、パーチクル、ピンホール、耐化学性、耐露光性、残留応力、面抵抗特性の優秀なハーフトーン型位相反転ブランクマスクの製造ができる。 (もっと読む)


【課題】撮像デバイスの基板上にレンズのピッチが1μm以下のマイクロレンズアレイを、濃度分布マスクを用いて形成する際に、光の干渉効果による光の結像パターンの歪みを補正した露光をする濃度分布マスクを得る。
【解決手段】凸レンズ状の単位レンズを配列させたマイクロレンズアレイを露光・現像して形成するための濃度分布マスクであって、前記濃度分布マスクの遮光パターンの等濃度線が、1より小さいスーパー楕円のパラメータkとVW軸切片パラメータrを用いるVW座標系のスーパー楕円式の形状を45度回転させた上で、X方向及びY方向に拡大し、凸レンズ状の単位レンズの底面の等濃度線の対角方向に突出した四隅を囲む矩形のX方向の長さを前記マイクロレンズアレイのX方向のピッチにし、また、その矩形のY方向の長さを前記マイクロレンズアレイのY方向のピッチに等しくした等濃度線を有することを特徴とする濃度分布マスクを用いる。 (もっと読む)


【課題】レジスト膜の薄膜化を十分に達成でき、製造安定性の高いマスクブランクを提供する。
【解決手段】透光性基板1上に、塩素系ガスでドライエッチング可能な金属を主成分とする材料で形成される遮光膜2を備え、該遮光膜2に転写パターンを形成する際にレジスト膜を用いるマスクブランクである。遮光膜2の上面には、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素及び酸素のうち少なくとも一方の元素を含む材料で形成されるエッチングマスク膜3が設けられ、該エッチングマスク膜3中の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が9%未満である。 (もっと読む)


【課題】マスクパターンの仕上がり寸法保証を正確に行なうマスク検証方法を提供すること。
【解決手段】テストパターンの実寸法と、テストパターンを形成する際のマスクシミュレーションによって算出されるシミュレーション寸法と、の間の複数種類のパターン周辺環境下における各対応関係に基づいてモデル関数が作成され、検証対象マスクパターンの実寸法と検証対象マスクパターンを形成する際のマスクシミュレーションによって算出されるシミュレーション寸法との間の計算上での差分を、検証対象マスクパターンにモデル関数を適用して算出し、実際に測定された検証対象マスクパターンの実寸法と検証対象マスクパターンのパターンデータ上でのパターン寸法との間の差分を算出し、この差分と計算上での差分の合計値が、所定の許容範囲内であるか否かに基づいて、マスクに形成されたマスクパターンのパターン寸法が合格であるか否かを検証する。 (もっと読む)


【課題】遮光層のサイドエッチングを抑制することでパターニング精度の高いハーフトーンマスクを作成することが可能なマスクブランクス及び当該マスクブランクスから形成されるパターニング精度の高いハーフトーンマスクを提供すること
【解決手段】本発明に係るマスクブランクスは、この順に積層された透明基板と、半透光層と、エッチングストッパ層と、遮光層とを具備する。半透光層は第1の光学濃度を有し、エッチングストッパ層は第2の光学濃度を有する。遮光層は20nm以上95.2nm以下の厚さを有し、第1の光学濃度及び第2の光学濃度との和が3.0以上である第3の光学濃度を有する。遮光層の厚さを当該範囲内とすることにより、半透光層がエッチングされる際の遮光層のサイドエッチング量を低減し、かつ、製造されたハーフトーンマスクの遮光部において、入射光を十分に遮蔽することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】インプリント法を用いて所望のパターンを形成するためのパターン検証方法等を
提供する。
【解決課題】テンプレートパターンを有するテンプレートを基板上のレジストに転写して
レジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクに前記基板を加工して被加工
パターンを形成するパターン形成方法における、前記被加工パターンの設計パターン、前
記レジストパターンのターゲットパターン及び前記テンプレートパターンのターゲットパ
ターン、のいずれかを被検証パターンとして抽出する工程と、前記被検証パターンの特徴
量と予め用意した危険パターンの特徴量とを照らし合わせて、前記被検証パターンが危険
パターンであるか否かを検証する工程と、を有することを特徴とするパターン検証方法。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造可能な検査装置を用いて、低メンテナンスコスト及び低検査コストで、マスクブランク用基板の内部欠陥(光学的不均一部分)を検出して、微細なパターニングに適応した基板、マスクブランク及び転写用マスクを高い歩留まりで製造する方法を提供する。
【解決手段】透光性材料からなる板状の基板2を準備する工程と、波長200nm以下の検査光を基板2に照射し、基板2内を透過した透過検査光を板状の蛍光部材8で受光して蛍光に変換し、蛍光の強度分布から基板2の内部欠陥を検出する欠陥検査を行ない、内部欠陥がない基板2を選定する基板欠陥検査工程と、を有するマスクブランク用基板の製造方法、このマスクブランク用基板2の主表面4aにパターン形成用の薄膜42を形成するマスクブランク40の製造方法、及びこのマスクブランクのパターン形成用薄膜42の表面に転写パターンを形成する転写用マスク50の製造方法。 (もっと読む)


【課題】複数の薄膜をそれぞれパターニングして成る転写用パターンを備えたフォトマスクにおいて、各薄膜に対してそれぞれ歪み補正を施しつつパターンを形成し、これらのパターンを正確に重ね合わせる。
【解決手段】 透明基板上に形成した第1の薄膜にフォトリソグラフィ工程を施して第1パターンを形成する第1パターニング工程と、透明基板上に形成した第2の薄膜にフォトリソグラフィ工程を施して第2パターンを形成する第2パターニング工程と、を有し、第1パターニング工程は第1描画工程を、第2パターニング工程は第2描画工程をそれぞれ含み、第1描画工程及び第2描画工程では、同一の歪み補正の施された補正座標系を用いて行う描画を含む。 (もっと読む)


【課題】露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形成された配線形成用マ
スク部分が複数平行に形成されているレジスト材料からなる配線パターンを部分的に細く
ならないように同一の高さに形成することができる露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光に用いられ、露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形
成された配線が並列に配置されているレジスト材料からなる配線パターンを形成するため
の露光用マスク19において、片側にのみ隣接する配線形成用マスク部分が存在する部分
18a2の配線幅を、両側に隣接する配線形成用マスク部分が存在する部分18a1の配
線幅よりも太くする。 (もっと読む)


【課題】マイクロレンズ間の境界部がなだらかになることを防止する。
【解決手段】フォトマスクは、2次元状に配置された複数の矩形領域210のそれぞれに、マイクロレンズを形成するための遮光部と非遮光部とからなるマイクロレンズパターンを有する。各矩形領域210は、当該矩形領域210の4つの辺を外縁とする枠領域230と、枠領域230の内縁を境界とする主領域240とを含む。枠領域230は、4つの辺のうちの1つの辺をそれぞれ輪郭線の一部とする4つの帯状領域231〜234からなり、枠領域230の外縁と内縁との間の幅Wは、フォトリソグラフィーにおいて使用する露光光の波長の1/2以下である。(遮光部の面積)/((遮光部の面積)+(非遮光部の面積))として定義される遮光部密度が0以上15パーセント以下である。 (もっと読む)


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