【課題】電子線露光によりフォトマスク上のパターンに発生するムラを解消するデータ処理技術の提示を目的とする。
【解決手段】描画データを任意のサイズのメッシュ状に区切る。次に乱数を発生させ、メッシュ状に区切られたデータのリサイズ量とする。乱数の並びに問題ないことを確認した後、区切られた各データに対し割り当てられたリサイズ量にてリサイズ処理を行い、再度データスマッシュをかける。 （もっと読む）

【課題】周期性のあるパターンにおいて、回折光量差によるコントラストからパターン変動発生箇所を精度良く識別し、かつ、その変動発生周期を簡便に導出することによってパターン描画装置の状態監視を実施できるパターン描画装置の状態監視方法を提供する。
【解決手段】描画装置によって周期性パターンが形成された基板に照明光を斜め入射し、周期性パターンにより生じる回折光を用いて画像取得を行い、処理判定を行うパターン描画装置向け状態監視方法であって、前記周期性パターンのパターン情報入力工程と、位置決め工程と、パターンピッチと撮像分解能の関係から撮像倍率を決定するための撮像倍率設定工程と、デフォーカス工程と、デフォーカスさせた位置において、前記基板の周期性パターンを撮像し被処理画像を取得する撮像工程と、前記基板上で発生しているむら欠陥の発生周期を求めるむら欠陥周期算出工程と、前記基板上で発生しているむら欠陥が描画装置起因のものであるかどうかの判定を行う判定工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】並列に並ぶゲートパターンを有する半導体装置において、ゲートパターンのレイアウトを工夫することによって、光近接効果を補正しつつ、集積度を向上させる。
【解決手段】並列に並ぶゲートパターン２１，２２の端部と、並列に並ぶゲートパターン２３，２４の対向端部とにおいて、ゲートパターン２１の端部はゲートパターン２２の端部よりもゲートパターン２３，２４の方に突き出ており、ゲートパターン２４の対向端部はゲートパターン２３の対向端部よりも、ゲートパターン２１，２２の方に突き出ている。引っ込んでいる方の、ゲートパターン２２の端部およびゲートパターン２３の対向端部について、仕上がり形状において後退が生じない程度に、補正量を大きく設定することができる。 （もっと読む）

【課題】光学条件（照明の形状、投影光学系の開口数（ＮＡ）など）を固定したままでマスクを製造するための設計ルールを最適化する方法を提供する。
【解決手段】マスクパターンの回折次数関数にＴＣＣマトリクスの単一値分解（ＳＶＤ）から得た固有関数を乗算することで相互相関関数が作成される。元の設計ルールの組について、変動がない条件を用いて回折次数関数が計算される。相互相関の結果とフーリエ変換の並進特性を用いてクリティカル多角形の計算された画像の縁部でＩＬＳが計算される。マスクと光学システムとの計算された相互相関とフーリエ変換の並進特性とを用いて設計を変化させることで、設計ルールの必要な変化を決定するのに必要な演算時間が低減される。計算された最適な離間距離は設計ルール内に取り込まれ、マスクレイアウトは最適化され、マスクのクリティカル及び非クリティカル部分を含むマスク全体にわたってＩＬＳが改善される。 （もっと読む）

【課題】高精細かつウェハーへの転写特性への悪影響が小さいフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板１の一方側表面に金属層２と第１レジスト層３とをその順に積層し、第１レジスト層３をパターニングする。その第１レジスト層３をマスクとして、開口領域である領域Ａの金属層２をエッチングする。その金属層２をマスクとして、エッチングにより透明基板１に凹部を形成する。金属層２を剥離した後、透明基板１の凹部も含めて表面全面に遮光層４を電解メッキ法を用いて形成する。透明基板１の表面と遮光層４の表面が面一になるように平坦化する。熱酸化処理を施して遮光層表面を酸化させ反射防止膜５形成する。以上の工程により、基板１上に設けられた凹部に遮光層４が形成され、透明基板１と遮光層４の表面は面一であり、遮光層４の表面にのみ反射防止膜５を有するフォトマスクが得られる。 （もっと読む）

【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、第２液源からの第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに流量調整バルブ４２ｄが設けられると共に、主配管２０を液供給機構４０に対して他側から開閉し得る主開閉機構２２が設けられている。前記混合比に基づいて流量調整バルブ４２ｄと主開閉機構２２とが制御される。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で得られる画像から微細パターンの側壁角度を精度良く測定することができる微細パターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の微細パターン測定方法は、微細パターンを電子線で走査し得られた走査画像から信号プロファイルを生成する。前記信号プロファイルから微細パターン中のパターン平坦部に相当する輝度値を抽出する。走査画像の各画素の輝度値は、画像中の最大輝度値を基準とした圧縮比による規格化処理を施したものである。したがって、パターン平坦部の輝度値は、微細パターンの側壁角度に依存した値となる。そのため、前記輝度値を側壁角度の指標値として、微細パターンの側壁角度を算出することで、走査型電子顕微鏡のビーム径よりも狭い幅に相当する急峻な側壁角度も精度良く測定することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。
【解決手段】酸窒化タンタル（ＴａＯＮ）からなる低反射膜１６および窒化タンタル（ＴａＮ）からなる極端紫外線吸収膜１５にパターンを形成するためのプラズマエッチング工程で、プラズマエッチング中に発生する光を分光し、エッチング反応生成物であるシアン（ＣＮ）に起因する３８８ｎｍを含む範囲の波長の発光強度を測定し、その強度変化からプラズマエッチングの終点を検出してプラズマエッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】パターンずれの少ない高精度な中間調フォトマスクを提供する。
【課題を解決するための手段】
透明基板１上のデバイスパターン部に、相対的に反射率が高く透過率が極めて低い遮光膜４の上に相対的に反射率が極めて低く透過率が高い半透過膜５が積層されている遮光部と、半透過膜５が透明基板上に直接堆積された半透過部と、遮光部又は半透過部の一部が除去され透明基板が露出した透光部７とを備える。一方、透明基板１上の非デバイスパターン部に設けられたアライメントマーク部に、遮光膜及び半透過膜がいずれも存在せず透明基板が露出した透光部と表面に反射防止膜が形成されていない遮光膜が最表面に露出した遮光部とによってアライメントマーク２が設けられる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクがダメージを受けることなく、精度よく、白欠陥の修正を可能とする、近接場光を用いたマスクパターンの白欠陥修正方法およびマスクパターンを提供する。
【解決手段】マスクパターンに発生した白欠陥３を修正する方法であって、処理室内に導入した原料ガスを、該白欠陥部３近傍に存在する近接場光５によって分解し、該白欠陥部に薄膜を形成することによって修正を行うことを特徴とするマスクパターンの白欠陥修正方法および該方法により得られるマスクパターン。 （もっと読む）