【課題】設定された精度の検査結果を得るのに要する時間の点で有利な検査装置を提供する。
【解決手段】異物または欠陥としての不具合に関して物体を検査する検査装置は、光を照射された物体からの光を検出し、当該光の強度が閾値を超えた前記物体上の位置を示す信号を出力する検出部と、前記物体上の位置に異物または欠陥としての不具合が存在することを示す情報を出力する制御部と、前記物体上の位置に前記不具合が存在する確率を示す情報を記憶する記憶部と、前記不具合の検査漏れの数に対する上限値を示す情報を入力する操作部と、を備える。前記制御部は、前記検出部に既定回数（少なくとも１回）前記検出を行わせ、推定された総数と前記記憶部に記憶された情報が示す前記確率とに基づいて、決定された全回数から前記既定回数を減じた残り回数の前記検出を前記検出部に行わせる。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置の製造において、パターン間隔を縮小し、レジスト膜厚、エッチング量等のバラツキに対応する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に被加工膜を形成する工程（ａ）、被加工膜上にレジスト膜を形成する工程（ｂ）、フォトマスクのマスクパターン２００ｂをレジスト膜に転写パターン２００ｃとして転写する工程（ｃ）、転写パターン２００ｃを加工する工程（ｄ）を含む。転写パターン２００ｃは、所定間隔を開けて端部同士が対向して直列に並ぶ第１及び第２の転写ラインパターン２０１ｃ及び２０２ｃと、これらに各々並列する第３及び第４の転写ラインパターン２０３ｃ及び２０４ｃと、第２及び第３の転写ラインパターン２０２ｃ及び２０３ｃの端部同士を接続する接続部２１２とを含む。工程（ｄ）にて、接続部２１２の少なくとも一部を除去し、第２及び第３の転写ラインパターン２０２ｃ及び２０３ｃを分離する。 （もっと読む）

【課題】マスクブランク用ガラス基板に対し、発塵の原因となりにくいマーカを適切に形成する。
【解決手段】マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用ガラス基板であって、マスクブランク用ガラス基板の転写パターンを作製する際に影響のない領域の面に、マスクブランク用ガラス基板を識別又は管理するための情報を複数の凹部２０で表現したマーカ１８が形成されており、マーカ１８を構成する２０凹部は、その縁部が略円形の丸孔であり、隣接する凹部２０同士の縁部間の距離Ｌ１が、５０μｍ以上である。マーカ１８は、例えばマスクブランク用ガラス基板の端面に形成される。 （もっと読む）

【課題】ＥＢ描画装置に対し親和性の高い設計データであるか否かを判断することが可能なフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】設計データに対し微小図形処理を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成し、このフラクチャ時にＥＢ描画用データに生じたスリット状の矩形数をカウントする。さらに、設計データに対しスリット状の矩形へ変換を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成し、このＥＢ描画用データ中のスリット状の矩形数をカウントする。これらスリット状の矩形数の差分が一定の割合未満であると判断された時はＥＢ描画装置でフォトマスクの製造を開始する構成にした。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。また、ハードマスク層に段差を形成するにあたり、ハードマスク層を基板表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板の帯電（チャージアップ）を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、加工の困難なＴａＢＯ等からなる低反射層を不要とし、検査光の短波長化にも対応可能で、工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく欠陥修正が可能なＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス及び反射型マスク、その製造方法、並びに検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ＥＵＶ光を反射する反射部とＥＵＶ光を吸収する吸収部との段差を、欠陥検査に使用する検査光の１／４波長の奇数倍の大きさに調整し、検査光を垂直に照射した際の、反射部からの反射光と、吸収部からの反射光の位相差によるエッジ遮光効果を利用して欠陥検査を行うことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】マスクの工数を低減したタッチスクリーンパネルの製造方法を提供する
【解決手段】透明基板の一面に導電膜及び絶縁膜を順次成膜する段階と、導電膜及び絶縁膜をハーフトーンマスクを利用して同伴パターニングすることによりそれぞれ分離されたパターンを持つ複数の第１連結パターンと前記第１連結パターンの一領域を露出するように前記第１連結パターン上に部分的に位置される絶縁膜とを形成する段階と、第１連結パターン及び絶縁膜が形成された透明基板上に透明電極膜を形成する段階と、透明電極膜をパターニングすることによって第１連結パターンの露出した領域を介して前記第１連結パターンと連結されて第１方向に沿って連結される複数の第１センシングパターンと前記第１センシングパターンと絶縁されるように前記第１センシングパターンの間に配置されて第２方向に沿って連結される複数の第２センシングパターンとを形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの画像を取得する画像取得装置の視野内に、マスクのアライメントマークを短時間で容易に入れる。
【解決手段】フォトマスク２に、複数のアライメントマーク２ａＲ，２ａＧ，２ａＢを設け、アライメントマーク２ａＲ，２ａＧ，２ａＢの周囲に、アライメントマーク２ａＲ，２ａＧ，２ａＢの位置の情報を含む複数の位置情報マーク２ｂ，２ｃを設ける。位置情報マーク２ｂ，２ｃの画像を複数の画像取得装置により取得し、取得した位置情報マーク２ｂ，２ｃの画像に含まれるアライメントマーク２ａＲ，２ａＧ，２ａＢの位置の情報に基づいて、各画像取得装置を移動することにより、画像取得装置の視野内に、マスクのアライメントマークを短時間で容易に入れることができる。 （もっと読む）

【課題】位相欠陥と、パターン欠陥または異物とを、同時に検出可能な検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置１００は、透過照明光学系３０１によってマスク１０１の一方の面に光を照射し、マスク１０１を透過した透過光を透過結像光学系３０３を介して第１のフォトダイオードアレイ１０４に結像する。また、反射照明光学系３０２によってマスク１０１の他方の面に光を照射し、マスク１０１で反射した反射光を反射結像光学系３０４を介して第２のフォトダイオードアレイ１０５に結像する。透過照明光学系３０１の瞳面には第１の開口絞り２０３が配置され、透過結像光学系３０３の瞳面には、第１の開口絞り２０３と共役な形状であって位相差フィルタを備えた第２の開口絞り２０８が配置されている。 （もっと読む）

【目的】１回目のパターニングにネガ型レジストを使用した場合でも２回目の描画の際にレジストに帯電する電荷を除去することが可能なマスクの製造方法を提供する。
【構成】基板上に導電性の遮光膜とネガ型の第１のレジスト膜とを順に形成する工程と、遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、電子ビームを用いて基板上に第１のパターンを描画する工程と、描画後に、基板を現像し、第１のレジストパターンを形成する工程と、第１のレジストパターンをマスクとして、遮光膜をエッチングする工程と、エッチング後の遮光膜上に第２のレジスト膜と帯電防止膜とを順に形成する工程と、第１のパターンを描画する際とは異なる位置に基板の上方側から遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、電子ビームを用いて基板上に第２のパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）