【課題】 改良された位相シフトリソグラフィと、狭いトラック幅Ｄの書き込み極を画定するためのハーフトーン位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】 磁気書き込みヘッドの書き込み磁極等の重要な対称２次元構造を生産できる、位相シフト光リソグラフィを使用するウェハのパターニング方法。本発明の１つの態様において、光リソグラフィマスクは、不透明部分を有し、この不透明部分の両側に狭い、透明の位相シフト領域がある。非位相シフト領域は、構造の両側の狭い位相シフト部分を越えて延びる。位相シフト領域は、不透明領域に関して対称であり、ウェハ上に生成される像は、完全に対称となる。本発明の他の態様において、透明媒体に位相シフト領域が形成され、位相シフト領域の両側に非位相シフト領域がある。位相シフト領域と非位相シフト領域の間の遷移だけで、ウェハ上のパターンを画定するため、マスク上の不透明構造は不要となる。 （もっと読む）

【課題】マスク開口率の差異に起因するパターンの寸法バラツキを低減させる。
【解決手段】フォトレジスト膜に転写される転写パターン１２と、転写パターン１２の周囲に配置され、転写パターンの解像度を向上させる第一のアシストパターン１３と、
前記フォトレジスト膜に転写されないように構成され、前記転写用パターンの解像度には影響しない第二のアシストパターン１４とをフォトマスク１１に設ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＵＶ光を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクに関し、使用により汚染した反射型マスクを、洗浄することにより生じるＥＵＶ光反射率の低下に対し、ＥＵＶ光反射率を元の反射率に復元することが可能な反射型マスクおよびその修復方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 酸によるマスク洗浄を複数回繰り返すことによって削られたキャッピング層の上にＥＵＶ光の反射率を調整するための堆積膜を所定量形成することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】遮光材料を大量に含む場合であっても画像形成性に優れたフォトマスクブランクス、該フォトマスクブランクスを用いて作製された擦り耐性の高いフォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に、三次元架橋構造を有する酸分解性樹脂及び遮光剤を含有する遮光層と、感光性レジスト層と、をこの順に有するフォトマスクブランクスである。三次元架橋構造を有する酸分解性樹脂は、三次元架橋構造を構成する分子鎖中に酸分解性基を有する樹脂であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板の欠陥を検査する際に、検査レシピを効率よく更新する。
【解決手段】ウェハを撮像して基準画像を取得し（工程Ｓ１）、当該基準画像を含む検査レシピを記憶部に記憶する（工程Ｓ３）。検査レシピに基づいてウェハを撮像して検査対象画像を取得し（工程Ｓ４）、検査レシピと検査対象画像に基づいてウェハの欠陥を検査する（工程Ｓ１０）。検査対象画像や検査結果等を含むレシピを記憶部に記憶する（工程Ｓ１１）。工程Ｓ４〜Ｓ１１を繰り返し行い、記憶部に所定の条件を満たす検査対象画像が記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて記憶部に記憶された前記検査レシピを更新する（工程Ｓ１２）。以後、更新された検査レシピに基づいて工程Ｓ４〜Ｓ１１が行われ、ウェハの欠陥が検される。 （もっと読む）

【課題】 露光装置に起因する像の横ずれがあっても、実際に露光を行った場合に所望の像が得られる露光条件またはマスクパターンを決定する。
【解決手段】 露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、露光装置は光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える。該方法は、露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて投影光学系の物体面にあるパターンの像を計算し、該計算結果に基づいて、露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する。 （もっと読む）

【課題】コヒーレンスマップ法を使用して補助パターンを作成する場合に、その配置精度を向上させることが可能なマスクレイアウト作成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィ工程で危険点となる可能性の高い設計レイアウトを設定し、設定した設計レイアウトに対して、マスクレイアウトを生成するコヒーレンスマップカーネルを設定し、設定されたコヒーレンスマップカーネルと設計レイアウトとに基づいて、コヒーレンスマップを作成し、コヒーレンスマップから補助パターンを抽出・整形してマスクレイアウトを生成し、マスクレイアウトの最適度を評価するコスト関数ＣＯＳＴを定義し、当該コスト関数を使用して、生成したマスクレイアウトを評価し、コスト関数で評価されるマスクレイアウトが最適となるまで、コヒーレンスマップカーネルのパラメータおよびコヒーレンスマップから補助パターンを抽出・整形する際のパラメータの少なくとも一方を変更する。 （もっと読む）

【課題】設定された精度の検査結果を得るのに要する時間の点で有利な検査装置を提供する。
【解決手段】異物または欠陥としての不具合に関して物体を検査する検査装置は、光を照射された物体からの光を検出し、当該光の強度が閾値を超えた前記物体上の位置を示す信号を出力する検出部と、前記物体上の位置に異物または欠陥としての不具合が存在することを示す情報を出力する制御部と、前記物体上の位置に前記不具合が存在する確率を示す情報を記憶する記憶部と、前記不具合の検査漏れの数に対する上限値を示す情報を入力する操作部と、を備える。前記制御部は、前記検出部に既定回数（少なくとも１回）前記検出を行わせ、推定された総数と前記記憶部に記憶された情報が示す前記確率とに基づいて、決定された全回数から前記既定回数を減じた残り回数の前記検出を前記検出部に行わせる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタミネーションクリーニングを行っても転写特性を維持することが可能であり、白欠陥を良好に修正することが可能な反射型マスクおよびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記多層膜上に上記吸収層が形成されている吸収領域と、上記多層膜上に上記吸収層が形成されていない反射領域と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に位置する上記多層膜が除去された白欠陥修正領域とを有し、上記吸収領域および上記白欠陥修正領域が隣接するパターンを有することを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム露光が必要な部分にのみ電子ビーム露光を適用し、残りの部分に対してはレチクル露光を適用する露光方法を提供する。
【解決手段】露光方法は、レチクル露光パターンに基づいてリソグラフィーシミュレーションを実行することにより、レチクル露光により形成されるレジストのパターンを模擬計算により求めたシミュレーションパターンを生成し、目標パターンとシミュレーションパターンとの差分データを生成し、差分データに基づいて第１の電子ビーム露光パターンを生成し、レチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成し、レチクルを用いて光による露光処理を行ない、第１の電子ビーム露光パターンに基づいて電子ビームによる露光処理を行なう各段階を含むことを特徴とする。 （もっと読む）