【課題】ボンディングパッド１２の輪郭Ｘよりも内側で輪郭Ｘに沿った第１のラインＬ１より内側の第１領域に形成され、ボンディングパッド１２の表面が露出した第１の開口部２１Ａと、第１の開口部２１Ａ上に第１の開口部２１Ａよりも大きい開口面積で形成され、ボンディングパッド１２の輪郭Ｘよりも外側で輪郭Ｘに沿った第２のラインＬ２より内側の第２領域に形成された第２の開口部２１Ｂとからなる開口部２１を有する保護膜２１を備えた半導体装置を製造効率良く低コストに製造する。
【解決手段】露光工程において、フォトマスクとして、第１のラインＬ１より内側の領域と、第１のラインＬ１から第２のラインＬ２までの領域と、第２のラインＬ２より外側の領域の光透過量がそれぞれ異なるレチクル５１を用いる。 （もっと読む）

【課題】露光用マスクの成長性異物による汚染を管理するためのマスクやウェハの検査が不要であり、マスクの履歴に依存せずに汎用性があり、マスク製造や検査のための時間・コストが増大せず、常に清浄な状態でマスクを使用できるように運用する露光用マスクの管理方法に基づき、成長性異物による汚染が生じない露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光用マスクを使用する環境において、前記環境中の実測した硫酸イオン濃度と、前記露光用マスク表面に吸着する最大硫酸イオン吸着量と、前記露光用マスク表面に前記異物が発生する前記露光用マスク表面に存在する硫酸イオン量の閾値とから、一定時間経過後の前記露光用マスク表面の硫酸イオン吸着量が算出され、前記異物が発生しない使用期限が設定された露光用マスクを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＦ配置が困難なレイアウトパターンを含んで構成されるメインパターンに対してもＳＲＡＦを短時間で配置すること。
【解決手段】実施の形態の補助パターン配置方法では、基板上に形成するメインパターンの解像度を向上させる補助パターンの配置方法の種類として、ルールに従ったルールベースと、モデルを用いたモデルベースと、の何れを、前記メインパターンに対応するパターンデータ上の何れのパターン領域に設定するかを選択する配置方法選択ステップと、前記ルールベースに設定されたパターン領域であるルールベース領域に、前記ルールベースによる補助パターンをルールベース補助パターンとして配置するとともに、前記モデルベースに設定されたパターン領域であるモデルベース領域に、前記モデルベースによる補助パターンをモデルベース補助パターンとして配置する補助パターン配置ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】低い検査頻度で高精度のパターン検査を実現する。
【解決手段】実施形態によれば、経時的に変化するパターンを検査する方法が提供される。該方法は、同一の検査対象パターンについて任意の時期における輪郭形状を予測する工程と、上記検査対象パターンの要求仕様に応じた閾値を設定する工程と、上記予測された輪郭形状と上記閾値とから上記検査対象パターンが上記要求仕様を満たさなくなる時期を予測する工程と、を備える。上記検査方法は、上記同一の検査対象パターンについて異なる時期に撮像して画像を得る工程と、得られた複数の画像の輪郭をそれぞれ検出する工程と、検出された、異なる撮像時期の輪郭同士でマッチングを実行する工程と、該マッチング後に、対応する輪郭同士の差を求めて差分ベクトルを生成する工程とをさらに備え、上記輪郭形状は、生成された該差分ベクトルと上記撮像時期の間隔とに基づいて予測される。 （もっと読む）

【課題】精度良くレジストに所望のパターンを形成することが可能な荷電ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置１０は、基板１１ｂ上に塗布したレジスト１１ａにビームを照射する照射部１２と、照射部を制御する制御部１４とを具備し、制御部は、ビームの照射量とビームの照射により引き起こされるパターンの位置偏移量との関係を取得し、レジストにパターンを形成するために必要なビームの基準照射量Ｄ１を取得し、パターンに対して許容される許容位置偏移量ｄＰを取得し、関係に基づいて許容位置偏移量に対応するビームの限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを取得し、関係に基づいて基準照射量に対応する基準位置偏移量Ｐ１から許容位置偏移量を減じた飽和位置偏移量Ｐｓａｔに対応する飽和照射量Ｄｓａｔを取得し、照射部に対して１回の照射量が限界照射量を越えないように、飽和照射量に到達するまでビームをレジストに照射させる。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程において、レジストで形成されるマスクの角部において丸みを低減することが可能なフォトマスクを提供する。または、ばらつきの少ない半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】遮光部の角部に補助パターンを有し、当該補助パターンは、（ｋ＋１）本の辺（ｋは３以上の自然数）でｋ個の鈍角を構成するフォトマスクである。または、遮光部の角部に補助パターンを有し、当該補助パターンはジグザグ状の曲線で構成されるフォトマスクである。 （もっと読む）

【目的】高精度パターンの寸法精度を向上させながらより高速な描画を可能とし得る方法を提供することを目的とする。
【構成】描画データの作成方法は、電子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す工程（Ｓ１０６）と、切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理する工程（Ｓ１１０）と、マージ処理されたパターンのデータと切り出されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとを出力する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の設計ＴＡＴの増大や歩留まり低下の要因となるホットスポットが生じにくい、標準セルの端子に係る配線構造を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、第１方向に隣接配置された第１および第２の標準セル１０，２０を含む。第１方向に直交する第２方向に延びる出力端子部１１および入力端子部２１を電気的に接続するように、接続配線２５が第１方向に延びるように配置されている。出力端子部１１は接続配線２５が接続された領域を基点として、第２方向における第１の向きに延びている一方、その逆の第２の向きに延びておらず、入力端子部２１は接続配線２５が接続された領域を基点として、第２方向における第２の向きに延びている一方、第１の向きに延びていない。 （もっと読む）

【課題】遮光パターンを形成する際に、透明基板上にレジスト膜の残滓などの塵埃が付着した場合であっても、遮光膜としての機能を十全に発揮させる。
【解決手段】透明基板１の表面にレジスト膜２を形成し（ｂ）、レジスト膜２をパターニングする（ｃ）。透明基板１上に残っているレジスト膜２をマスクとして透明基板１をエッチングすることにより、透明基板１に凸部１ａを形成する（ｄ）。凸部１ａ上に残っているレジスト膜２を除去し、透明基板１の表面を洗浄する（ｅ）。透明基板１の表面に遮光膜４を形成する（ｇ）。少なくとも遮光膜４を研磨することにより、凸部１ａが露出した状態で遮光膜４および凸部１ａを平坦にする（ｉ）。これにより、透明基板１上のレジスト膜２が完全に除去された状態で透明基板１の表面が洗浄された後、この透明基板１上に遮光膜４が形成される。 （もっと読む）

【課題】プロセスモデル内に潜むマスクの製造誤差の影響を低減させ、転写時に高い数法制御精度を得る。
【解決手段】設計したテストパターンをテストマスクに形成し、テストパターンの設計データとテストマスクの実測データを合わせ込むことでマスク製造プロセスをモデル化したマスクモデルを作成し、これを用いてマスク製造プロセスのばらつきを排除したプロセスモデルを作成し、これらを用いてフォトマスクを製造する。 （もっと読む）