【課題】従来の方法で作製されたフォトマスクは、193nmの波長の光を使って露光されるうちにマスク上に形成された素子が太くなることが報告されていた。このような現状から、素子寸法変動が抑制されたフォトマスクおよびその製造方法の確立が本発明の課題である。
【解決手段】透光性基板１００上に遮光性膜パターン１１１が形成されたフォトマスクであって、少なくとも遮光性膜パターン１１１が形成された側のフォトマスク表面における硫酸イオンや硫酸塩の残渣量を０．３０ｐｐｂ未満とすることによって素子寸法変動を抑制させられることが確認できた。これにより、素子寸法変動を懸念することなくフォトマスクを使用できる。 （もっと読む）

【課題】 コスト上昇を招くことのない方法によってウェーハ上に形成される露光ショットの配列誤差を低減し、ショットエリアの大きさが異なる露光装置を混用しても上下のマスクパターンの重ね合わせ精度が向上できるフォトリソ工程を提供する。
【解決手段】 露光装置に露光ショットの配列誤差測定用マークを備えたフォトマスクを装着し、ウェーハ上に前記マークのレジストパターンを形成した後、前記マークを用いて露光ショット配列誤差に基づくズレに関する量を測定する。次に測定した量を上下パターンレイヤの重ね合わせ誤差と見なした時の誤差成分を算出し、さらにこの誤差成分から露光ショット配列誤差に関する誤差成分を算出する。次にこの結果を判定し、誤差成分値が所定の基準を満たさない場合は算出した露光ショット配列に関する誤差成分値を用いて露光装置のパラメータを補正し、基準を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】遮光膜の深さ方向でのドライエッチング速度を最適化させ良好なパターン精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜を有し、該遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、上記遮光膜の透光性基板側におけるドライエッチング速度を、遮光膜の表面側におけるドライエッチング速度よりも遅くさせるようにした。 （もっと読む）

【目的】 透光性物品における光学的な不均一性の有無を正確に検査できる透光性物品の
検査方法を提供する。
【構成】 透光性物品に２００ｎｍ以下の波長を有する検査光を導入した場合に、該透光
性物品内部で前記検査光が伝播する光路に前記局所又は局部的に光学特性が変化する部位
がある場合にこの部位から発せられる光であって前記検査光の波長よりも長い光を感知す
ることにより、前記透光性物品における光学的な不均一性の有無を検査する。 （もっと読む）

【課題】段差パターンに起因するパターン形成不良領域を、正確かつ短時間に算出するパターンレイアウト評価方法を得ること。
【解決手段】実施形態のパターンレイアウト評価方法では、段差部を覆う形成膜にリソグラフィプロセスを通して形成される形成パターンから前記段差部までの距離と前記形成パターンの形状がパターン形成不良領域となる可能性との対応関係と、前記段差部のレイアウトと、を用いて算出された前記パターン形成不良領域と、前記形成パターンのレイアウトと、を比較することによって前記パターン形成不良領域を抽出する。前記対応関係は、前記対応関係を示す関数であり前記段差部を形成する際の露光条件またはプロセス条件に基づいて作成される。前記パターン形成不良領域は、前記段差部の形成に用いたレイアウトに対して前記対応関係の畳み込み演算を行うことによって算出される。 （もっと読む）

【課題】効率よくＤＵＶ光を発生させる光源装置、検査装置、及びコヒーレント光発生方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる光源装置は、波長１０６０〜１０８０ｎｍ光を発生させる第１のレーザ光源１１と、波長１７５０〜２１００ｎｍ光を発生させる第２のレーザ光源１６と、波長１０８０〜１１２０ｎｍ光を発生させる第３のレーザ光源１７と、第４次高調波発生により波長２６５〜２７０ｎｍの第１のＤＵＶ光を発生させる第２高調波発生器１２，１３と、第１のＤＵＶ光と第２のレーザ光源の出力光との和周波混合により波長２３２〜２３７ｎｍの第２のＤＵＶ光を発生させる第１の和周波発生器１４と、第２のＤＵＶ光と第３のレーザ光源の出力光との和周波混合により波長１９２．５〜１９４．５ｎｍの第３のＤＵＶ光を発生させる第３の波長変換手段とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明のマスクの製造方法によれば、プロセスマージンの広いばらつきの小さな加工用マスクを提供することが出来る。
【解決手段】
本発明のマスクの製造方法は、基板上に芯材パターンを形成する工程と、前記芯材パターンの上面及び側面を覆うように第１材料を含む第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜上に第２の材料を含む第２の膜を形成する工程と、前記芯材パターンの側面に前記第１の膜及び前記第２の膜を含む側壁層が形成され、かつ前記側壁層以外の前記第１の膜及び前記第２の膜が除去されるように、前記第１の膜及び前記第２の膜を異方性エッチングする工程と、前記側壁層の前記第１の膜を等方性エッチングする工程と、前記芯材パターンを除去する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の金属電極と半導体基板の界面に、現像残渣のない半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に、金属電極が設けられた半導体装置であって、金属電極は、半導体基板の上面視において、細線部と、細線部の電極の長手方向の両端に太線部と、細線部から太線部へ向けて線幅が漸増する線幅漸増部とからなり、細線部の側面と線幅漸増部の側面の境界領域に、曲率を有す円弧が付けられた形状であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半透光部と透光部で形成される転写パターンを用いて、被加工体に微細なパターン形状を形成する場合に、マークパターンの読み取り不良を抑制できるフォトマスク及びその製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、転写パターン部のパターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクであって、転写パターン部を透明基板上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成された透光部と半透光部で設け、透明基板の前記転写パターン部と異なる領域に遮光膜で形成されるマークパターン形成部を設ける。 （もっと読む）

【課題】薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板の主表面上に薄膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法であって、
前記薄膜を形成する側の主表面の表面形状が凸形状である基板に対し、クロムを主成分とする材料からなり、引張応力を有する前記薄膜をスパッタリング法で形成することにより、前記薄膜の成膜前よりも主表面の平坦度が高いマスクブランクを得ることを特徴とするマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法。 （もっと読む）