【課題】ブランクスにおけるレジスト膜のアミン性化合物の吸着によるパターン寸法精度の低下を抑えることが可能なフォトマスクの製造方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】基板上に化学増幅型レジスト膜を形成し、第１のプリベーク処理を行った後、大気露出させることなく、或いは化学増幅型レジスト膜に吸着されたアミン系化合物を実質的に全て脱着した状態で、荷電粒子ビームにより描画を行う。 （もっと読む）

【課題】遮光部、透光部、および位相シフタ部を正確に画定する。
【解決手段】基板上に形成された遮光膜がパターニングされてなる遮光部と、基板の一部表面が露出してなる透光部と、基板の一部表面がエッチングされてなる位相シフタ部と、を有する光学素子の製造方法であって、基板上に遮光膜と第１のレジスト膜とがこの順に積層された光学素子ブランクを用意する工程と、第１のレジスト膜を描画して現像することにより、遮光部の形成予定領域を覆うと共に、位相シフタ部の形成予定領域を画定する第１のレジストパターンを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィにおいて、１レチクルを用いた複数パターンの形成方法及びパターン形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明によると、ウェハ上のレジストに複数の異なるパターンを有するチップパターンを形成する方法において、複数の領域に前記複数の異なるパターンを形成したレチクルを用い、前記複数の領域から第１の領域を選択し、前記第１の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第１の領域の一部に光を照射して、前記レジストに第１のパターンを形成し、前記複数の領域から前記第１の領域と異なる第２の領域を選択し、前記第２の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第２の領域の一部に光を照射して、前記レジストにパターンを形成することを特徴とする第２のパターン形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】マスクの有効露光領域内のチップ数を削減し、空き領域が形成される場合のマスクの製造方法において、マスクの電子線描画負荷を著しく上げずにマスク価格の低減を図り、フルチップの時と同一の製造条件で、デバイスパターンの寸法均一性が保証されたマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】マスクの有効露光領域内の空き領域にダミーパターンを形成し、デバイスパターン形成領域とダミーパターン形成領域との間に遮光帯を設け、ダミーパターンが複数の矩形パターンからなり、ダミーパターンの被覆率が、デバイスパターンの被覆率と略同じであり、矩形パターンの最小パターン寸法が、デバイスパターンの最小パターン寸法よりも大きく、矩形パターンの最大パターン寸法が、パターンの描画に用いる電子線描画装置の最大ショットサイズ以下の大きさとなるように形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥が発生しにくいレイアウト図を簡単な処理で作成する。
【解決手段】半導体集積回路のレイアウト設計に用いられる、単位機能を実現するセル毎の設計データのライブラリであるセルライブラリにおいて、セル毎の設計データは、セルが備える端部と、該端部を介して隣接するセルに欠陥を生じせしめやすいか否か、および隣接するセルから欠陥を生じせしめられやすいか否か、を示す属性値と、の対応付けである属性情報を夫々含む。 （もっと読む）

【課題】良好にパターンを形成することが可能なフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】フッ素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含む遮光膜１３の上に、フッ素系ドライエッチング且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含まない膜１４が積層される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの大型化に伴う撓みによる洗浄ムラを解消した、とくにフォトマスクの中心部付近と外周部において均一な洗浄効果が得られる洗浄ブラシを用いた回転式フォトマスク洗浄装置の提供。
【解決手段】フォトマスクを洗浄する装置であって、少なくともフォトマスク保持部と、フォトマスクを保持しつつ回転させる回転機構と、回転機構制御部と、アームに取り付けられた回転ブラシ部と、回転ブラシ位置制御部を具備していることを特徴とするフォトマスク洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを形成できるレベンソン型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】レベンソン型マスクの製造方法は、第１パターンの両側に、同位相開口部および反転位相開口部を定める開口部設定工程を含む。この開口部設定工程は、対同士の距離が近い順または、所定の値以下のものに、対同士が対向する開口部の少なくとも一方に、同位相開口部を設定する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】パターン形成用薄膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する６０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥数を低減させ、高いレベルの欠陥品質を要求されるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなるパターン形成用薄膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することによりマスクブランク１０を製造する。ここで、透光性基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）

【課題】疑似エラーの発生を抑制する。
【解決手段】設計装置は、設計データ２１に含まれる回路パターンの光学的近接効果に対するアウターセリフパターンとインナーセリフパターンを生成し、それらを含む中間データ２３を描画データ２４に変換する。設計装置は、アウターセリフパターン，インナーセリフパターンを回路パターンと分離して配置した。そして、設計装置は、アウターセリフパターン，インナーセリフパターンを描画データ２４から除去したチェック用描画データ２６を生成し、そのチェック用描画データ２６に含まれる描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する。 （もっと読む）