【課題】 液浸露光時に於ける、欠陥、スカム、及び溶出割合が改善された液浸露光に好適なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）単環または多環の脂環炭化水素構造を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、
（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｃ）炭素数５以上のアルキル基を有するアルカリ可溶性化合物、
（Ｄ）溶剤を含有し、
該アルカリ可溶性化合物（Ｃ）が少なくとも１つ以上のフッ素原子を有し酸価が１．６〜１０ミリ当量／ｇの樹脂であることを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】パターンの現像欠陥及びディスタンス依存性が改善された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）側鎖にノルボルナン構造を有する特定の繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基を有する樹脂を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィにより得られるレジストパターンの形状を良好にできるようにする。
【解決手段】半導体製造装置は、ウエハ２０を保持する可動ステージ３１と、ウエハ２０上に形成されたレジスト膜と露光レンズ３２との間に液体を配してパターン露光を行なう露光部３０と、レジスト膜の上に液体２５を供給する液体供給部３３と、レジスト膜の上に配された液体２５をレジスト膜の上から排出する液体排出部３４とを備えている。さらに、可動ステージ３１の温度が液体２５の温度よりも低くなるように制御する温度制御部６０を備えている。 （もっと読む）

【課題】撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィー用レジスト材料の添加剤を用いたレジスト材料、この材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、（Ｂ）ベース樹脂として酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、（Ｃ）高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、（Ｄ）有機溶剤を含有するレジスト材料。
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【課題】焦点深度マージン（ＤＯＦ）、表面荒れ、及び現像欠陥が改良された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】−Ｃ(Ｘ₁)(Ｘ₂)(ＯＲ₁)で表される基（Ｘ₁及びＸ₂は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基を表し、Ｘ₁及びＸ₂のどちらか一方又は両方に少なくとも１個以上のフッ素原子を含む。Ｒ₁は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又は酸分解性基を表す。）を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、及び、少なくとも１つの極性変換基を有する繰り返し単位を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の厚さを均一化して露光を行なうことで、良好なレジストパターンを得る。
【解決手段】基板９１に感光性のレジストを塗布してレジスト層９３を形成する（レジスト塗布工程）。次に、アッシング用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間１３に通して吹出し、レジスト層９３に接触させる（大気圧リモートプラズマアッシング工程）。次に、レジスト層９３に部分的に光を照射する（露光工程）。次に、レジスト層９３に現像液５を接触させる（現像工程）。 （もっと読む）

【課題】プリベーク工程時の温度ムラに起因するレジストパターン寸法のばらつきを抑制する。
【解決手段】ポジ型又はネガ型のレジストを半導体ウェーハ３に塗布するレジスト塗布工程（ステップＳ１）と、プリベーク工程（ステップＳ３又はＳ４）と、露光工程（ステップＳ５）と、ポストエクスポージャーベーク工程（ステップＳ６）と、を備える。レジストを現像することにより、該レジストを所定のパターン形状に形成する現像工程（ステップＳ７）を備える。プリベーク工程では、レジストがポジ型の場合には、該レジストに含まれるベース樹脂の保護基の脱離開始温度以上でプリベークを行う（ステップＳ３）。レジストがネガ型の場合には、該レジストに含まれるベース樹脂の架橋剤の架橋開始温度以上でプリベークを行う（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の表面の濡れ性を高め、現像の均一性を高める。
【解決手段】基板９１に感光性のレジストを塗布してレジスト層９３を形成する（レジスト塗布工程）。次に、レジスト層９３に部分的に光を照射する（露光工程）。次に、親液化用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間２３に通して吹出し、レジスト層９３に接触させる（大気圧リモートプラズマ親液化工程）。次に、レジスト層９３に現像液５を接触させる（現像工程）。 （もっと読む）

【課題】ＫｒＦレジストやＡｒＦレジストなどの液体レジストを用いて、中空構造などの複雑な三次元立体構造を有する微細な多層レジストパターンを形成することが出来るレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第一の化学増幅型レジスト組成物を用いて第一のレジスト膜を形成し、第一のレジスト膜を選択的に露光を施す第一の工程と、第一のレジスト膜上に、第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、第二のレジスト膜を選択的に露光し、露光後ベーク処理を施す第二の工程と、第一のレジスト膜および前記第二のレジスト膜を現像して多層レジストパターンを形成する工程とを有するレジストパターン形成方法であって、第一の化学増幅型レジスト組成物が、露光によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポジ型レジスト組成物であるレジストパターン形成方法。 （もっと読む）