【課題】本発明の課題は、気泡や導体配線のエッジ部の非被覆が発生せず、適正な厚みで高精細のソルダーレジストパターンを形成できる、ソルダーレジストの形成方法を提供することである。
【解決手段】回路基板の表面にソルダーレジストの膜を形成し、次に、アルカリ水溶液処理によって、ソルダーレジストの膜全面を略均一に薄膜化し、次いで、パターン露光、現像を実施し、さらに、ポストキュアを実施することを特徴とするソルダーレジストの形成方法。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上の塗布膜に対する減圧乾燥処理を急速に行うプロセスと緩慢に行うプロセスとの選択的な切り換えを可能とする。
【解決手段】この減圧乾燥ユニット１４において、気流制御部６０は、Ｙ方向において下部チャンバ２４の相対向する側壁２４(2)，２４(4)の内側でステージ３０の両側に配置される第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂと、この第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂを第１の高さ位置と第２の高さ位置との間で昇降移動させる第１の昇降機構６４とを有している。さらに、気流制御部６０は、ステージ３０の周囲または傍らに配置される横断面コ字状の第２の仕切板７６と、この第２の仕切板７６を第３の高さ位置と第４の高さ位置との間で昇降移動させる第２の昇降機構７８とを有している。 （もっと読む）

【課題】塗布膜に乾燥ムラが形成されるのを抑えることができる減圧乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板１を収容するチャンバ部１０と、前記チャンバ部１０に基板１を収容した状態で基板１の裏面に当接して基板１を支持する基板支持部２０と、前記基板支持部２０を駆動制御する制御装置と、を備える減圧乾燥装置であって、前記制御装置は、チャンバ部１０が減圧乾燥環境下で、前記基板支持部２０を駆動制御することにより、基板支持部２０が基板１裏面に当接する当接位置を変更させる構成とする。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーに特に好適な新規のフォトレジストプロセスを提供する。
【解決手段】（ａ）基体上にフォトレジスト組成物を適用し；（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光し；（ｃ）露光されたフォトレジスト層の水接触角を調節し；および（ｄ）処理されたフォトレジスト層を現像してフォトレジストレリーフ像を提供する；ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、機上現像可能な印刷版の用途に適した輻射線感受性組成物を提供する。
【解決手段】この輻射線感受性組成物は、オニウム塩およびIR線吸収剤を含む開始剤系を含む。この開始剤系は重合可能な材料と、ポリエチレンオキシド・セグメントを含む高分子バインダーと組み合わされている。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能が良好であり、且つ塗布欠陥が抑制されたパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記（Ａ）〜（Ｄ）を含有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）特定構造のスルホニウム塩系である、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する極性変換基を有する樹脂、及び（Ｄ）２種以上の溶剤からなる混合溶剤であり、特定構造を有する溶剤群より選択される少なくとも１種の溶剤を含有し、該溶剤の合計の含有率が全溶剤中の1〜２０質量％である混合溶剤。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い層間絶縁膜の形成が可能であり、反射率１．０％以上の高反射性の下地基板上においても、定在波の少ない良好なパターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、硬化パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明は、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ〔Ｒ^１は、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基又はアルキルカルボニルオキシ基、Ｒ^２は、１価の有機基、ａは１〜３の整数〕で表される加水分解性シラン化合物、及び、一般式Ｓｉ（ＯＲ^３）_４〔Ｒ^３は、１価の有機基〕で表される加水分解性シラン化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物を加水分解縮合させて得られる重合体と、感放射線性酸発生剤と、酸増殖剤と、溶剤とを含有するネガ型感放射線性組成物である。 （もっと読む）

【課題】薬液の気化効率が高く、高濃度の疎水化ガスを基板に供給することができ、さらに薬液の劣化を抑えることができる疎水化処理装置を提供すること。
【解決手段】気化室内にその表面が位置する気化面形成部と、この気化面形成部を加熱するための気化面加熱手段と、前記気化面形成部の表面に疎水化処理用の薬液を供給するための薬液供給ポートと、前記気化面形成部に広げられた薬液を気化するキャリアガスを前記気化室内に導入するためのガス導入ポートと、疎水化ガスを取り出すための取り出しポートと、前記取り出しポートから供給された疎水化ガスを基板に供給する処理容器と、を備えるように疎水化処理装置を構成する。この構成によって基板に高濃度の疎水化ガスを供給することができ、処理を行わないときには貯留された薬液がキャリアガスに接触することがないので、薬液の劣化が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 化学増幅フォトレジスト組成物及びそれを使用するプロセスを提供する。
【解決手段】 フォトレジスト組成物は、フェノール系ポリマーと、エーテル含有部分及び／又はカルボン酸含有部分を含まない（メタ）アクリレート・ベースのコポリマーとのブレンド、及び、光酸発生剤とを含む。前記コポリマーは、アルキルアクリレート、置換アルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、置換アルキルメタクリレート、及びこれらの混合物からなる群から選択される第１のモノマー、並びにアクリレート、メタアクリレート及びこれらの混合物からなる群から選択され、酸開裂性エステル置換基を有する第２のモノマーを含む。当該フォトレジスト組成物を用いて基板上にフォトレジスト像を形成するプロセスも開示される。 （もっと読む）

【課題】熱板又は冷却板を備え、基板の受け渡しの際に動く部分を備える場合において、基板の受け渡しの際に発生するパーティクルを効率よく捕集することができる加熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板の表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱処理装置において、基板を加熱処理する加熱処理部７０と、加熱処理部７０の周辺で発生した塵埃を静電吸着する帯電プレート７７を、加熱処理部７０の上方の第１の位置において保持する保持台７６とを有する。 （もっと読む）