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国際特許分類[G03F7/38]の内容

国際特許分類[G03F7/38]に分類される特許

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【課題】通常露光及び液浸露光によるラインエッジラフネスが改善され、液浸露光時に於ける水追随性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】(A)式(I)で表される酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、(C)フッ素及び/又はケイ素原子を含有し、下記(x)〜(z)の群から選ばれる基を含有する樹脂、並びに(D)溶剤、を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。式(I)中、各記号は所定の基を表す。(x)アルカリ可溶性基、(y)アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、(z)酸の作用により分解する基。
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【課題】現像ムラが生じない塗膜を形成し得る着色硬化性樹脂組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】(1)着色硬化性樹脂組成物を構成する成分を混合し、混合物を得る混合工程、(2)混合工程で得られた混合物を攪拌する攪拌工程を含み、さらに攪拌工程で得られた混合物を、(3)20℃以上40℃以下の温度で、10時間以上720時間以下静置する保温処理工程及び(4)濾過して濾液を回収する濾過工程を任意の順に含む、着色硬化性樹脂組成物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】微細細線再現性に優れるフレキソ印刷版作成方法の提供。
【解決手段】支持体上に、少なくとも感光性樹脂層、保護層、感熱マスク層が順次積層されてなる感光性印刷原版を用いて、少なくとも(A)〜(D)の工程を経てフレキソ印刷版を作成する作成方法。(A)赤外線レーザー光により、感熱マスク層を像様融除する工程(B)40℃以上の温度雰囲気下で版を水平な状態で静置する工程(C)化学線で全面露光する工程(D)現像工程 (もっと読む)


【課題】半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフォトファブリケーション工程等に使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する為のパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ネガ型現像用レジスト組成物を塗布することで、水に対する後退接触角が70度以上のレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を液浸媒体を介して露光し、前記ネガ型現像液を用いて現像を行うことを含むことを特徴とするパターン形成方法。 (もっと読む)


【解決手段】高エネルギー線又は熱に感応し、一般式(1)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤を含む化学増幅型レジスト材料。


(Rは芳香環あるいは炭素数5以上の脂環式炭化水素構造を有する一価の炭化水素基。R’はH又はトリフルオロメチル基。A1はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。nは1〜3の整数。)
【効果】本発明の光酸発生剤より生ずる酸は、スルホネートに嵩高い環式構造で酸拡散を抑制しつつ、直鎖状炭化水素基の存在によって適度な機動性も有していることから、適度な酸拡散挙動を示す。また、レジスト材料中の樹脂類との相溶性もよく、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程に問題なく使用でき、解像性能、LWR、露光余裕度といった問題も解決できる。 (もっと読む)


【課題】微細加工において、製造効率を向上可能であって、コストダウンを実現する。
【解決手段】不溶化処理(S31)の実施においては、レジストパターン形成工程(S11)での露光処理において照射した露光光と同じ波長の光を、レジストパターンに照射する再露光処理を実施する。そして、その再露光処理が実施されたレジストパターンについて加熱する加熱処理を実施する。これにより、レジストパターンについて不溶化処理(S31)を実施する。 (もっと読む)


【課題】CD均一性及びマスクエラーファクターをさらに向上させることができるレジストパターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】レジストパターンの製造方法であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂(A)と酸発生剤(B)とを含有するレジスト組成物を、基体上に塗布してレジスト膜を得る工程と、レジスト膜を温度TPBでプリベーク(PB)する工程と、プリベークしたレジスト膜を露光する工程と、露光したレジスト膜を温度TPEBでポストエクスポージャーベーク(PEB)する工程と、ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程とを含み、TPEB≦85℃且つ0℃<TPB−TPEB<25℃であることを特徴とする製造方法。 (もっと読む)


【課題】CD均一性及びマスクエラーファクターをさらに向上させることができるレジストパターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】レジストパターンの製造方法であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂(A)と酸発生剤(B)とを含有するレジスト組成物を、基体上に塗布してレジスト膜を得る工程と、レジスト膜を温度TPBでプリベーク(PB)する工程と、プリベークしたレジスト膜を露光する工程と、露光したレジスト膜を温度TPEBでポストエクスポージャーベーク(PEB)する工程と、ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程とを含み、85℃<TPEB、PEB<TPB、且つTPB<100℃であることを特徴とする製造方法。 (もっと読む)


【課題】発生酸の溶出、ラインエッジラフネス、現像欠陥、スカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、(C)極性変換基を少なくとも1つ有する繰り返し単位(c)を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法。 (もっと読む)


【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


(R2は酸不安定基を示す。R3は水素原子又はCO2CH3を示す。)
【効果】微細加工技術、特にArFリソグラフィー技術において高いマスク忠実性を有し、ライン幅ラフネスの極めて小さいパターンを与えることができ、精密な微細加工に極めて有用である。 (もっと読む)


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