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国際特許分類[G03F7/38]の内容

国際特許分類[G03F7/38]に分類される特許

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【課題】エッジ汚れを発生することのない新聞印刷用の機上現像型平版印刷版原版及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に赤外線吸収染料、ラジカル重合開始剤、ラジカル重合性化合物及びポリオキシアルキレン鎖を側鎖に有する高分子化合物を含有し、印刷機のシリンダー上で印刷インキ及び/又は湿し水により現像可能な画像記録層を有する平版印刷版原版であって、該平版印刷版原版の端部から1cm以内の領域を有機溶剤及び水溶性樹脂を含有する液で処理することにより得られた新聞印刷用平版印刷版原版。 (もっと読む)


【課題】HSQレジストを用いた微細構造物の製造において、高い歩留まりで製品を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の微細構造物の製造方法は、(工程1)基板と、ハイドロシルセスキオキサンを含むレジスト層と、水溶性導電性高分子化合物を含む層とがこの順序で積層されてなる積層体を準備し、前記積層体に対して荷電粒子線の照射および現像を施してレジストパターンを備えた基板からなるレジストパターン付き基板を準備する工程、(工程2)走査型顕微鏡による前記レジストパターンの観察を行い、観察されたレジストパターン付き基板を、観察結果に基づいて良品または不良品に判別する工程、および(工程3)前記良品を用いて微細構造物を製造する工程を含む。 (もっと読む)


本発明は、式(I)又は(II)の酸、例えば、相応するスルホニウム塩及びインドニウム塩ならびに相応するスルホニルオキシムを生成する化合物に属し、式(I)又は(II)中、XはCH2又はCOであり;YはO、NR4、S、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4 、OSO2、O(CS)又はO(CS)NR4 であり;R1は、例えばC1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC〜C30−シクロアルキル、中断されているC〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり、全て非置換であるか又は置換されている;又はR1は、NR1213であり;R2とR3は、例えば、C3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、C1〜C18−アルキレン、C1〜C10−ハロアルキレン、C2〜C12−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレン、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンであり;全て非置換であるか又は置換されている;R4は、例えばC3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;R12とR13は、例えばC3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、Ar、(CO)R15、(CO)OR15又はSO215であり;かつArは、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、全て非置換であるか又は置換されている。
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【課題】現像後のLWRが良好で、膜減りを生じ難い感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位と酸解離性基を有する重合体、(B)感放射線性酸発生剤、及び(C)フッ素原子を含有する重合体を含む感放射線性樹脂組成物(但し、一般式(1)中、Rは水素原子などを示し、Rは単結合などを示す。Rは3価の有機基を示す)。
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【課題】本発明は、ドライフィルムレジストを均一に薄膜化することが可能なドライレジストの薄膜化処理方法を提供するものである。
【解決手段】基板上にドライフィルムレジストを貼り付け、水洗処理を行った後、無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%のアルカリ水溶液によって薄膜化処理することを特徴とするドライフィルムレジストの薄膜化処理方法。 (もっと読む)


【課題】プリベーク後のウエハのピン上停滞による塗膜の過剰乾燥及びそれによりもたらされる現像後の開口寸法の縮小を抑制できる樹脂膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】(a)ウエハ上に感光性樹脂組成物を塗布して塗膜を形成する塗布工程、(b)前記塗膜をホットプレート上で乾燥するプリベーク工程、(c)前記乾燥した塗膜を露光する露光工程、及び、(d)前記露光した塗膜を現像する現像工程をこの順で含み、前記(b)プリベーク工程が、(b1)前記塗膜を有するウエハを、ホットプレート上で保持する工程、及び、(b2)前記塗膜を有するウエハを、ホットプレートから浮いた状態で保持する工程をこの順で含む樹脂膜パターンの形成方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、レジスト材料として用いることのできるスルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式(1)で示されるスルホニウム塩。


(式中、X、Yは重合性官能基を有する基を示す。Zはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜33の二価の炭化水素基を示す。Rはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜36の二価の炭化水素基を示す。R及びRはそれぞれヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜30の一価の炭化水素基を示すか、あるいはR及びRが相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。) (もっと読む)


【課題】水性アルカリ性現像剤中で現像が可能な光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物及び、このような組成物の使用方法を提供する。
【解決手段】光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物であって、発色団基、ヒドロキシル及び/またはカルボキシル基、及び酸不安定基を含むポリマー、及び末端ビニルエーテル基を有する架橋剤を含み、更に光酸発生剤を含むかまたは含まない、上記組成物及び、このような組成物の使用方法。 (もっと読む)


【課題】より優れた形状及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂。


[式(I)中、Rは、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基;Xは炭素数2〜36の複素環であり、該複素環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜24の炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基又は炭素数2〜4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該複素環に含まれる−CH−は−CO−又は−O−で置き換わっていてもよい。] (もっと読む)


【課題】感度及び解像力が高く、線幅バラツキ(LWR)が小さく、露光ラチチュード(EL)及びパターン形状に優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。
【解決手段】(ア)(A)2個以上の水酸基を有する繰り返し単位を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)架橋剤、及び(D)溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 (もっと読む)


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