【課題】フォトレジスト層を純水で現像することができる親水性モノマー、およびそれを含む親水性フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の４官能基からなる親水性アクリレートモノマーおよび親水性樹脂は、それぞれ、純水に溶解出来、親水性フォトレジスト組成物を基板表面にスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層を純水で現像することができ、塩基性の現像溶媒の使用により、環境汚染、またフォトリソグラフィに費用がかかるという従来技術の欠陥を克服出来る。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１ａ）又は（１ｂ）で示されるスルホニウム塩。


（Ｒはヘテロ原子を含んでもよい炭素数７〜３０の直鎖状、分岐状又は環状の１価の炭化水素基を示し、ｎは１〜４の整数を示す。）
【効果】本スルホニウム塩は、親水性の高いフェノール性水酸基やエチレングリコール鎖を有しており、特定アニオンと組み合て用いた場合には液浸水への溶出も少なく、またパターン依存性が少なく、化学増幅型レジスト材料の光酸発生剤として非常に有用。 （もっと読む）

【課題】線幅の面内均一性（ＣＤＵ）に優れたパターンを形成することができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のラクトン構造を有する繰り返し単位と、特定の単環脂環構造を有する繰り返し単位とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する特定構造を有する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】低酸拡散性と高い溶解コントラストを両立すると共に、発生酸やクエンチャーなどによるケミカルフレアを抑制することにより、ホールパターンやトレンチパターンのＤＯＦと真円性もしくはＬＷＲを改善したポジ型レジスト組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）高エネルギー線に感応した結果、側鎖にスルホン酸ジフロロメチル構造の酸を発生する繰り返し単位（ａ１）と、酸不安定繰り返し単位（ａ２）とを有し、酸によってアルカリ溶解性が変化する高分子化合物、及び（Ｂ）下記一般式（２）で示されるスルホン酸オニウム塩を共に含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
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【課題】本発明は、基板上の光架橋性樹脂層を形成した後、有機アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、回路パターンの露光、現像、エッチング処理を行う金属パターンの作製方法において、光架橋性樹脂が現像液に対して膨潤しにくい組成の樹脂であっても光架橋性樹脂層をむらなく略均一に生産性良く薄膜化することができ、面内均一で微細な金属パターンの作製方法を提供するものである。
【解決手段】基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、有機アルカリ性化合物を含有してなるアルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理する工程、回路パターンの露光、現像、エッチング処理をこの順に含むことを特徴とする金属パターンの作製方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種浸漬液を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用浸漬液の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。
【解決手段】レジスト膜を浸漬させる液体、特に水に対して実質的に相溶性を持たず、かつアルカリに可溶である特性を有する保護膜を、使用するレジスト膜の表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＢ温度が低温であっても、感度等に優れ、ＬＷＲ、ＤＯＦ等のリソグラフィー性能が高度にバランスし、エッチング耐性をも十分に満足する化学増幅型レジスト用の感放射線性樹脂組成物、そのパターン形成方法、その重合体、及び化合物を提供する。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線照射の高エネルギー線に感応して酸を発生する特定の構造の繰り返し単位と酸不安定単位を有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物（Ａ）、特定の構造のスルホニウム塩（Ｂ）を共に含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明は、酸拡散の抑制と溶解コントラスト向上を両立し、かつケミカルフレア耐性を高めることにより、微細パターン、特にトレンチ（溝）パターンやホール（穴）パターンのリソグラフィー性能（形状、ＤＯＦ、エッジラフネス）を改善させることができる。 （もっと読む）

【課題】ドライレジストの薄膜化処理方法を提供するものであり、詳しくは、レジストの除去工程にて泡立ちがなく、均一な薄膜化処理が連続して行える薄膜化処理方法を提供する。
【解決手段】ドライフィルムレジストが貼り付けられた基板５の該ドライフィルムレジストを処理液で処理する工程、その後に、表面の不要なドライフィルムレジスト分を除去液を用いて除去する工程とからなるドライフィルムレジストの薄膜化処理方法において、除去する工程が除去液を繰り返し使用するものであり、除去液中に消泡剤が含まれるドライフィルムレジストの薄膜化処理方法。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるフッ素アルコール化合物。


（Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状の１価炭化水素基を示し、１価炭化水素基を構成する−ＣＨ₂−が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換されていてもよい。Ａａは、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状の（ｋ¹＋１）価の炭化水素基又はフッ素化炭化水素基である。ｋ¹は１〜３の整数である。）
【効果】本発明のフッ素アルコール化合物は、波長５００ｎｍ以下、特に波長３００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用である。 （もっと読む）