【課題】過電流保護値に適切な負の温度特性を持たせる。
【解決手段】過電流保護回路１８は、抵抗値の異なる抵抗Ａ１、Ａ２を含む抵抗部Ａと、抵抗Ａ１、Ａ２に現れる電圧Ｖ１、Ｖ２を比較して過電流保護信号Ｓ１を生成する比較部Ｂと、抵抗Ａ１、Ａ２にスイッチ素子１２の降下電圧（ＳＷ−ＰＧＮＤ）を印加する入力部Ｃと、電流値の等しい電流Ｉ１、Ｉ２を生成して抵抗Ａ１、Ａ２に供給する電流生成部Ｄとを有し、電流生成部Ｄは、抵抗Ａ１、Ａ２と同一の温度特性を有しており、温度特性のフラットな基準電圧ＢＧから基準電流Ｉｘを生成する抵抗Ｄ１０と；スイッチ素子１２と同一の温度特性を有しており、基準電流Ｉｘから基準電圧Ｖｘを生成する抵抗Ｄ７と；負の温度特性を有しており、基準電圧Ｖｘから基準電流Ｉｙを生成する抵抗Ｄ８と；基準電流Ｉｙから電流Ｉ１、Ｉ２を生成するカレントミラー（Ｄ１〜Ｄ４）と；を含む。 （もっと読む）

【課題】付加する起動回路を小面積とし、高電源電圧でも低消費電流を実現した定電流回路を提供すること。
【解決手段】ＰＮＰ型のトランジスタＱ１，Ｑ２からなる第１のカレントミラー回路と、ＮＰＮ型のトランジスタＱ３，Ｑ４、抵抗Ｒ１からなる第２のカレントミラー回路より構成された起動回路において、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ５とＮ型のＪＦＥＴトランジスタＪ１からなる起動回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】高温時でもエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタが弱反転状態で動作できる定電流回路を提供する。
【解決手段】カレントミラー回路と定電流生成ブロック回路とオフリーク回路を備えた定電流回路において、オフリーク回路は、ゲートとソースが接地端子に接続され、ドレインが定電流回路の出力に接続される第一のエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタで構成される。これにより、定電流を生成するエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタのゲート−ソース間電圧の上昇を抑えることで、弱反転状態での動作を保つ。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さくて遅延が少なく且つ特性に与える素子バラツキの影響が小さいDC-DCコンバータの異常電流防止回路を提供する。
【解決手段】電流検出抵抗12を流れる電流を所定の基準電流と比較して過電流の有無を判定する電流コンパレータ30を備える。検出抵抗12の電圧は通常時(正常時)には負電圧であるが異常時に逆電流が生じた場合には正電圧が現れるようになる。電流コンパレータ30は検出抵抗12の電圧を監視し、検出抵抗12の電圧が負電圧の間はハイ出力をラッチ10を介してＡＮＤ回路20に送ってPWM比較器9の出力信号がローサイド側スイッチ素子14,19に伝わるようにし、検出抵抗12の電圧が正電圧になると電流コンパレータ30の出力電圧はローになり、ローサイド側スイッチ素子14,19を強制的にOFFにする。 （もっと読む）

【課題】電流値の設定が容易であり、且つ、装置構成を簡素化することが可能な定電流回路の出力設定装置を提供する。
【解決手段】基準電流Ｉrefを流す基準電流発生回路１１と、基準電流Ｉrefに比例した電流を流すカレントミラー回路を少なくとも一つ備えた、４個のカレントミラー回路群、即ち、第１〜第４のカレントミラー回路群２１〜２４を備える。そして、各カレントミラー回路群２１〜２４は、それぞれ、基準電流Ｉrefに対してα倍、２α倍、４α倍、８α倍となる電流を出力する。そして、各カレントミラー回路群を適宜選択して負荷に接続することにより、該負荷に供給する電流値が所望の電流値となるように設定することが可能となる。このため、操作性を容易とし、且つ、装置構成を簡素化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】バイパス容量の容量値を大きくすることなく、供給電流の変動を抑制する。
【解決手段】負荷の状態に応じて予め設定したピースワイズリニア信号に基づき、負荷が重負荷のとき所定の電流値、軽負荷のとき零となり、重負荷と軽負荷との間で切り替わるとき前記所定の電流値と零との間で線形に変化する電流Ｉｍ１２を入力電圧Ｖｉｎから生成する。また、前記ピースワイズリニア信号に基づき、負荷が前記重負荷のとき零、前記軽負荷であるとき前記所定の電流値となり、重負荷と軽負荷との間で切り替わるとき零と前記所定の電流値との間で線形に変化する電流Ｉｍ１３を出力電圧Ｖｏｕｔから生成する。前記電流Ｉｍ１２と前記電流Ｉｍ１３との和を供給電流Ｉｓｕｐ１とし、これを制御回路Ｃｔｒｌ１に供給する。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動によるバラつき要因が少ない基準電圧回路の提供。
【解決手段】第１のＭＯＳトランジスタと、ゲート端子が第１のＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続され、第１のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有する第２のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値の差に基づく電流を流すカレントミラー回路と、カレントミラー回路の電流を流す第３のＭＯＳトランジスタと、第３のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有し、カレントミラー回路の電流を流す第４のＭＯＳトランジスタを備え、第３のＭＯＳトランジスタと第４のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値の差に基づく定電圧を基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】定電圧発生回路の回路面積及び消費電流を削減しながら、負荷の直流的及び過渡的な変化に対する出力電圧の変化を小さくする。
【解決手段】ＦＥＴ４は、電圧源端子に接続されたドレインと出力端子に接続されたソースとを備える。ＦＥＴ２は、ＦＥＴ４のソースに接続されたゲートと、ＦＥＴ４のゲートに接続されたドレインとを有する。ＦＥＴ１は、ＦＥＴ２のソースと接地端子との間に設けられ、ダイオード接続されている。ＦＥＴ３は、電圧源端子とＦＥＴ２のドレインとの間に接続され、そのドレインとソースとの間に所定の電位差を有し、第１の定電流源として機能する。ＦＥＴ５は、出力端子と接地端子との間に接続される。ＦＥＴ１及びＦＥＴ５によりカレントミラー回路を構成することにより、ＦＥＴ５は第２の定電流源として機能する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が一時的に低下した場合であっても、その後電源電圧が上昇すれば基準電圧を素早く出力できるようにした電圧生成回路、および、リセット信号を素早く出力できるようにしたパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＭＰ５およびＭＰ６が第１電源線Ｎ１およびノードＮ６間に直列接続されている。トランジスタＭＰ５が起動電流Ｉｓをセンシングし、トランジスタＭＰ６が基準電流Ｉｐをセンシングする。電源電圧ＶＤＤが低下したとしても、両トランジスタＭＰ５およびＭＰ６には閾値電圧以上となる電圧がゲートソース間に与えられる虞がなくなり、充電回路８には充電電流Ｉｏが充電されにくくなる。したがって、電源電圧ＶＤＤが再復帰して電源電圧が上昇したときには、トランジスタＭＰ４が起動電流ＩｓをノードＮ５に素早く供給でき、電流生成回路６は基準電流Ｉｐを素早く生成できる。 （もっと読む）