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国際特許分類[H01J23/14]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | グループ25/00に含まれている型の走行時間型電子管の細部 (290) | 導入部構造;そのための封止 (24)

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国際特許分類[H01J23/14]に分類される特許

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【課題】マグネトロンM1に作用する振動を低減させて、マグネトロンの耐久性を向上させる。
【解決手段】筒状の陽極体(陽極円筒36)と、陽極体に配置された陰極体(フィラメント41)とを有し、高周波を発生させる本体部31と、陰極体を発熱させるための電力を陰極体に出力する陰極用トランス51とを備え、陰極体から陽極体に向かって放出された電子のエネルギーが、高周波に変換されるマグネトロンM1であって、陰極用トランス51においては、一次コイル51aと二次コイル51bとのうち、二次コイル51bだけが、本体部31に一体化されている。 (もっと読む)


【課題】 排気管への放電を少なくして誤作動を防止でき、チョーク効果による基本波漏洩を防止できるマグネトロンおよびマイクロ波利用機器を提供する。
【解決手段】 マイクロ波利用機器に用いられるマグネトロン10は、陽極筒体23と、陽極筒体23に連結されるトップシェル31と、陽極筒体23に連結される陰極筒体25と、陰極筒体25に支持される第1リード線26と、陰極筒体25に支持される第2リード線27と、陰極筒体25を封止する絶縁部材33と、絶縁部材33を貫通して第1リード線26および第2リード線27に接続される一対の接続端子34,35と、絶縁部材33を貫通する排気管36と、接続端子34,35のうちの一方と排気管36とを電気的に接続する接続部材37とを備える。 (もっと読む)


【課題】コストを低減しつつ、外囲器等でクラックが発生するのを抑制できるリード線固定方法及び電子管を提供する。
【解決手段】セラミックスから成る外囲器に貫通孔を設け、貫通孔内にリード線を挿入し、貫通孔とリード線の隙間にメタライズペーストを充填し、メタライズペーストを焼結することでリード線を貫通孔内に固定する。 (もっと読む)


【課題】センターリード、サイドリード、ステム、リード中継板及びステム管外用のリードをろう付けする際に生ずる余剰ろう材を原因とする管内放電を抑えることができるマグネトロンを得る。
【解決手段】表示側と裏面側のそれぞれの平面部に円周方向に沿う中継板環状溝部28cを有するリード中継板28を備える。これにより、リード中継板28の中継板環状溝部28cが、センターリード、サイドリード、ステム、リード中継板28及びステム管外用の鉄製リードをろう付けする際に生じた余剰ろう材を吸収するので、余剰ろう材がリード中継板28の先端まで流れなくなり、先端の表面状態がろう材で粗面になることがない。これにより、リード中継板28の先端と側管との間隔が短くなることがないので、管内放電が抑制される。 (もっと読む)


【課題】 リード部、メタライズ層、メッキ層を有するマグネトロン用ステムを歩留まり
良く製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】
セラミックス焼結体からなるステム本体部、ステム本体部上に形成されたメタライズ層お
よびステムを挿通したリード部を有するマグネトロン用ステムの製造方法において、Mn
を含有するアルミナ焼結体からなるステム本体部を用意する工程、Mo−Mn系ペースト
を前記ステム本体部の一部に塗布し、還元雰囲気中50〜100℃で乾燥させた後、焼成
することによりメタライズ層を形成する工程を具備することを特徴とする。これにより歩
留まりが向上すると共に、メタライズ層の接合強度を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】真空電子装置エンクロージャ用のカバー組立体を提供する。
【解決手段】真空電子装置(VED)エンクロージャ用のカバー組立体は、(a)VEDのエンクロージャの一部を形成するようになっており、VEDのエンクロージャの内部と第1の外気連結部とを連通させる第1の空気通路を有する第1のコンパートメントと、(b)VED用の高電圧回路を包囲するようになった第2のコンパートメントとを有し、前記第2のコンパートメントは、前記第2のコンパートメントの内部と第2の外気連結部とを連通させる第2の空気通路を有し、(c)EMIベントパネルを備え、前記第1のコンパートメントと前記第2のコンパートメントを分離するパーティションを有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】無線周波数隔離システムを提供する。
【解決手段】真空電子装置(VED)エンクロージャ用の無線周波数(RF)隔離システムは、第1及び第2のコンパートメント及びVEDを受け入れ、VEDエンクロージャを分割するプレートを備えたカバーを有する。第1のコンパートメントはVEDエンクロージャの一部を形成し、第2のコンパートメントはVEDの高電圧回路を包囲する。プレートは、外周部を定める第1の表面と開口部を備えた第2の表面を有し、第2の表面は第1の端部とエミッタ領域との間の領域でVEDの外面と連続接触するようになっており、第1の表面はエンクロージャ壁(内壁)と連続接触するようになったインタフェースを備えている。パーティションは、第1、第2のコンパートメントを分離し、空気の流れを可能にしながら、第2のコンパートメントに入る無線周波数の量を最小限にする。 (もっと読む)


位相同期式マグネトロンは、カソード及びアノードと、それらの間の相互作用空間とを含む。カソードは、注入同期信号に結合され、この注入同期信号により、マグネトロンの作動が同期信号の位相と同相状態になるようにする。カソードが高い負電位にあるタイプのマグネトロンでは、同期信号へのカップリングは、非接触手段によるもの、具体的にはその中に同期信号が存在する導波管内にカソードを延長することによるものとなる。別の構成は、カソードが実質的に接地電位にあるタイプのマグネトロンに対するものである。この構成では、カップリングは、注入同期信号を有する導体への直接的な電気的接続によるものとなる。 (もっと読む)


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