【課題】ＴＯＦ−ＳＩＭＳの一次イオンに使用できるほど短いパルス幅のＧＣＩＢを射出できるＧＣＩＢ銃を提供する。
【解決手段】
イオン化室３０から射出されたＧＣＩＢを予め決められた時間だけ通過させる第一のシャッター部４１と、第一のシャッター部４１を通過したＧＣＩＢのうち予め決められた質量範囲外のＧＣＩＢを除去する選別部５９とを有している。選別部５９は、ＧＣＩＢを交互に反射して往復移動させる第一、第二のミラー電極５１ａ、５２ａと、第一、第二のミラー電極５１ａ、５２ａの間に配置され、前記質量範囲内のＧＣＩＢを、予め決められた時間だけ通過させる第二のシャッター部５３と、を有し、前記質量範囲内のＧＣＩＢを選別部５９から射出する。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターを構成する中性粒子数を保ちながらイオン化効率を高めることのできるガスクラスターイオンビーム装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ガスクラスターを噴出するノズルと、ノズルから噴出するガスクラスターをビームにするスキマーと、を結ぶ延長線上に、ガスクラスターをガスクラスターイオンにするイオン化部を配置する。また、イオン化部は熱電子を発生するフィラメントを有する電子引出電極と、引き出した熱電子を加速する電子加速電極と、を備え、電子加速電極、電子引出電極をスキマー側から順次配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光ポンピングを用いることなく量子ビートを利用して偏極イオンビームを発生させることを課題とした。
【解決手段】上記課題を解決するために、偏極イオンビーム発生装置は、無偏極のイオンビームを発生するイオン源と、当該イオン源からの無偏極イオンビームを標的に入射するビーム輸送手段と、この標的表面の原子から弾性散乱された偏極イオンを取り出すイオン取出し手段とからなることを特徴とする手段を採用した。
また前記標的が、散乱イオン強度に関して量子ビートに起因する磁気振動を発現する物質であることを特徴とする偏極イオンビーム発生装置を作成した。
さらに、偏極イオンビーム発生方法は、イオン源から無偏極のイオンビームを標的に照射し、当該標的における散乱イオン強度の量子ビートに起因する磁気振動により、前記標的から弾性散乱された偏極イオンを取り出すことを特徴とする手段を用いた。 （もっと読む）

【課題】高輝度で低エミッタンスのイオン供給源、加速／減速移動システム及び改善したイオン供給源を提供する。
【解決手段】イオン化チャンバー（８０，１７５）の出口開口部(４６，１７６)に近接の直進電子の衝撃イオン化により、例えば、二量体又はデカボランのガス又は蒸気をイオン化することによりイオン注入を行う。イオン供給源は、供給ガスを受け取るためのガス入口を有する囲まれた空間を規定する、長短軸を有するリボン状のビームとしてイオンを前記イオン化チャンバーから出させるための細長溝として形成された出口開口部を有するイオン化チャンバーと、前記イオン化チャンバーの前記供給ガスをイオン化するとともに分子イオンを形成するため電子を発生するための電子供給源と、前記リボン状のビームを加速するための前記細長溝の近くに配置された縮小レンズと、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオン化チャンバ内の電子ビーム通路に均一な磁場を生成する磁場装置を提供する。
【解決手段】電子衝撃イオン源用の磁場装置において、イオン化チャンバ内の電子ビーム通路に均一な磁束線１１９を生成させるために、一対の永久磁石５１０Ａ、５１０Ｂにより生成された磁束が、磁気ヨークアセンブリ５００を経て、電子ビーム通過用の一対の整列した開口５３０Ａ、５３０Ｂを有する磁極片５２０Ａ、５２０Ｂの間の間隙を通って戻るようにする。 （もっと読む）

【課題】ノズルが動くのを抑制し、安定した適切なサイズ分布のクラスターイオンビームを得、かつクラスターイオンビーム電流を多く取れるように真空中で調整可能にする。
【解決手段】クラスター生成室１とビーム制御室２との間に配置されるスキマー７をＸＹステージ１０ａにプレート８を介して搭載し、スキマー７の位置をマイクロメータ１０ｂ，１０ｃで調整する。マイクロメータ１０ｂ，１０ｃは、真空チャンバー４０の外部に露出して配置されており、真空チャンバー４０の真空度を保持した状態でマイクロメータ１０ｂ，１０ｃを操作することができる。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターイオンビームのイオンビーム電流の大電流化を実現する。
【解決手段】中性のガスクラスターを電子衝撃により正にイオン化してガスクラスターイオンビームを発生する方法において、イオン化電子電流とイオンビーム電流の関係を示すカーブにおいてイオン化電子電圧が異なる２つのカーブが交差する交差点より大きいイオン化電子電流と、前記交差点より大きいイオン化電子電流領域でイオンビーム電流がより大きく増加するイオン化電子電圧の組み合わせを用いてイオン化する。 （もっと読む）

開示されたものは、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システム（１００，１００’１００’’）において、プロセスガスの混合物、又は多重のプロセスガスの混合物、を導入するためのマルチ−ノズル及びスキマーの組み立て品、並びに基体（１５２，２５２）に層を成長させる、それを変更する、それを堆積させる、又はそれをドープするための動作の関連させられた方法である。多重のノズル及びスキマーの組み立て品は、少なくとも部分的にそれから単一のガスクラスタービーム（１１８）へと放出されたガスクラスタービームを合体させるために相互の近接で配置された、及び／又は、交差するガスクラスタービームのセットを形成するために、及び、ガススキマー（１２０）へと単一の及び／又は交差するガスクラスタービームを向けるために、単一の交差する点（４２０）に向かって各々のビームを収束させるために角度が付けられた少なくとも二つのノズル（１１６，１０１６，２１１０，２１２０，４１１０，４１２０，７０１０，７０２０）を含む。
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【課題】固体から昇華した蒸気流れを制御する新規システムを提供する。
【解決手段】昇華された蒸気５０の定常流れを真空チャンバ１３０へ送達する蒸気送達システムは、固体物質２９の気化器２８、機械式スロットルバルブ１００および圧力ゲージ６０、真空チャンバへの蒸気導管３２を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。気化器の温度は閉ループ制御３５により設定点温度に決定される。機械式スロットルバルブは電気制御され、バルブの位置は圧力ゲージの出力に対する閉ループ１２０で制御される。蒸気の流量は圧力ゲージの出力に比例し得る。気化器から真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面３７は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上記スロットルバルブとして作用し得る。 （もっと読む）

【課題】固体から昇華した蒸気流れを制御する新規システムを提供する。
【解決手段】昇華された蒸気５０の定常流れを真空チャンバ１３０へ送達する蒸気送達システムは、固体物質２９の気化器２８、機械式スロットルバルブ１００および圧力ゲージ６０、真空チャンバへの蒸気導管３２を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。気化器の温度は閉ループ制御３５により設定点温度に決定される。機械式スロットルバルブは電気制御され、バルブの位置は圧力ゲージの出力に対する閉ループで制御１２０される。蒸気の流量は圧力ゲージの出力に比例し得る。気化器から真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面３７は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上記スロットルバルブとして作用し得る。 （もっと読む）