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国際特許分類[H01J43/06]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 二次電子放出管;電子増幅管 (159) | 電子増倍器 (158) | 電極装置 (113)

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本発明は、密閉されたエンベロープ(4)を有する単一チャネル光電子増倍管(1)に関する。密閉されたエンベロープ(4)の壁の1は内部面(7)を有する。その内部面(7)は中心軸(AA’)を有する凹面を有し、その増倍管の内側を向き、対称面を有し、かつ光電陰極(2)、電極を含む入力光学系(9)、複数のダイノード(30-39)及びアノード(16)を有する電子増倍管(11)、並びに、ダイノード(30-39)、光電陰極(2)、光学系(9)の電極(13,15)及びアノード(16)をそれらの動作電圧に接続する手段(12)を有する。本発明は、電子増倍管は、互いに物理的に分離した部分(24,26)からなり、それらの部品は凹面の中心軸に対する回転対称性の関係を有する、ことを特徴とする。

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【課題】原子核技術、レーザ技術分野や工業用及び医療用の断層撮影等で用いることが可能な、可視光領域を含む光を高効率で検出する検出器を提供する。
【解決手段】本発明は、高効率の光記録検出器に関し、原子核技術、レーザ技術分野や工業用及び医療用の断層撮影等で用いることが可能である。本発明のシリコン光電子増倍管(第1の実施形態)は、1018〜1020cm-3のドーピング濃度のp++導電型の基板を備え、前記増倍管は複数のセルからなる。各セルは、1018〜1014cm-3で徐々に変化可能なドーピング濃度を有する、前記基板上に成長されたp導電型のエピタキシャル層と、1015〜1017cm-3のドーピング濃度を有するp導電型の層と、1018〜1020cm-3のドーピング濃度を有するn+導電型の層とを備え、前記n+導電型の層と供給バーとを接続するポリシリコン抵抗部が各セルの酸化ケイ素層上に配置され、セル間には分離部分が配置される。前記シリコン光電子増倍管(第2の実施形態)は、1018〜1020cm-3のドーピング濃度のp++導電型の層が形成されたn導電型の基板を備える。この増倍管は、複数のセルからなり、各セルには、ポリシリコン抵抗部が酸化ケイ素層上に配置され、また、セル間には分離部分が配置される。 (もっと読む)


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