国際特許分類[H01L21/205]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長 (11,073) | 固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの (7,439)
国際特許分類[H01L21/205]に分類される特許
11 - 20 / 7,439
プラズマ処理装置
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
ドープIII−Nバルク結晶及び自立型ドープIII−N基板
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
発光ダイオード
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
半導体装置およびその製造方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
気相成長方法及び気相成長装置
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
半導体ウェーハの製造方法及び半導体製造装置
【課題】ウェーハ搬入時にウェーハのエッジが反って非接触搬送部材と接触し、スクラッチ傷が発生することを防止する。
【解決手段】反応炉10のカメラ取り付け穴18にカメラ14を取り付け、反応炉10内のウェーハを撮影可能な状態とする。次に、予め所定のウェーハ投入温度に設定された反応炉10内にウェーハWを搬入し、サセプタ11上に載置する。このとき、ウェーハWのエッジが一時的に反り上がるので、この状態をカメラ14で撮影する。そして撮影した画像からウェーハWの反り量を求め、さらにこの反り量に基づいて非接触搬送部材と接触することがない反り量となる適正なウェーハ投入温度を求める。その後、ウェーハWと同一品種を処理する場合に、反応炉10内をこの適正なウェーハ投入温度に設定する。
(もっと読む)
シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリやピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】気相成長装置を用いて、サセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、サセプタとして、SiCにより表面をコートされた黒鉛製サセプタをチャンバー内に配設し、黒鉛製サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコンのコートは行わずに、ウェーハ載置面上にリフトピンによりシリコン単結晶基板を載置して、シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル成長においてシリコン単結晶基板の裏面のリフトピンの先端部に対向する領域に発生する面荒れを防止するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
(もっと読む)
基板処理装置
【課題】成膜に十分な量のラジカルを生成し、かつそれを失活することなく基板上に輸送することで成膜速度の向上を図ると共に、基板に加わる熱による損傷を低減し、膜質を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室1と、処理ガスを処理室1に供給する処理ガス供給部と、前記処理室1を、2つの空間に隔て、前記処理ガスを一方の空間から他方の空間に通流させる通流孔5aを有する遮熱板5と、前記一方の空間に配され、前記処理ガスを接触させることにより該処理ガスを活性化させる触媒6を支持する触媒支持部61と、前記他方の空間に配され、基板を支持する基板支持体3とを備える基板処理装置において、前記遮熱板5の前記他方の空間側の面の温度を、前記一方の空間側の面より低い温度となるように制御する温度制御部を備える。
(もっと読む)
結晶成長装置
【目的】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
結晶成長装置10は、基板15の成長面に対して材料ガスを水平な流れで供給する材料ガス供給管12と、押さえガスを成長面に垂直ないしは材料ガスの下流方向に傾斜した流れで供給する副噴射器20と、を含む。副噴射器20の内部に設けられた遮熱器25は、押さえガスが流入する流入側開口部26aと押さえガスを噴出する流出側開口部26bとを有する枠体26と、枠体26の内部に収容された複数の粒状の充填材27と、を含む。
充填材27は、流出側開口部26bから流入側開口部26aへの見通し経路を形成しないように枠体26の内部に収容されている。
(もっと読む)
プラズマ処理装置
【課題】ガス管路118からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部113、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部115と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓111を備えた。
(もっと読む)
11 - 20 / 7,439
[ Back to top ]