【課題】炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、主表面が設けられた炭化珪素層１９が形成される。炭化珪素層１９の主表面の一部を覆うマスク１７が形成される。主表面に対して傾斜した側面ＳＳが炭化珪素層１９に設けられるように、マスク１７が形成された炭化珪素層１９の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が５０％以下である雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面１ａに触媒層３が形成された基板１において、前記一方とは反対側から前記触媒層３の裏面３ａに至る開口部１ｃを形成する工程と、前記開口部１ｃにおいて、前記触媒層３の裏面３ａにグラフェン５を形成する工程と、前記触媒層３の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部１ｃの形成後、グラフェン５の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン５を形成する前に、触媒層３の表面に保護層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において、欠陥を減少させ、静電気放電に対する保護能力を高める。
【解決手段】 上面１２Ａおよび上面１２Ａに配置された複数のバンプ３０を備えた基板１であって、バンプ３０の各々が、上面１２Ａに対して実質的に平行な頂面３２および頂面３２と上面１２Ａとの間の複数の壁面３４を有するものである基板１２、および基板１２上に配置されたエピタキシャル層であって、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４に実質的に同じ結晶方位を有するエピタキシャル層を備える。また、別の態様において、エピタキシャル層は、基板１２上に配置され、実質的に単一の結晶方位を有し、実質的に空隙なく、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４を被覆するものであってよい。 （もっと読む）

【課題】均一な堆積膜を安価に安定して製造可能な、堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】
反応容器と、該反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入する手段と、該クリーニング性ガスを排気する手段と、前記反応容器の内部に基体を設置するための基体ホルダと、該基体ホルダを回転運動又は往復運動させるための軸と、該軸を支持する軸受とを備え、前記軸および前記軸受の摺動面のうち少なくとも一方が固体潤滑材からなる堆積膜形成装置を用いて前記基体の外周面上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、前記基体の外周面上に堆積膜を形成させた後に、前記反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入し、前記軸を回転運動又は往復運動させながらクリーニング処理をおこない、前記クリーニング処理中に前記回転運動又は往復運動の駆動状態を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、厚み１０００μｍ以上２０００μｍ以下のシリコンウェーハを準備し、前記気相成長装置を用いて、前記シリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】設置する場合に、建物内での設置の高さ制限が緩和された、またメンテナンスが簡単である成膜装置および気化器の設置方法を提供する。
【解決手段】成膜用液体材料供給系と、前記液体材料をキャリアガスと混合して気化させる気化器３０ａと、前記気化器３０ａから出る材料気化ガスを基板に流して膜を成膜させる成膜室４０ａと、前記気化器３０ａからのガスを、前記成膜室に供給する材料気化ガス供給配管５０ａとで構成される成膜装置であって、前記成膜室４０ａの側面と並行に、前記気化器４０ａが配置されことを特徴とする成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長において、ヒータからの熱線を調節して、シリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サセプタに水平に載置されたシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置であって、前記サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、該上下のヒータのそれぞれの中央に配置された上下の円筒状リフレクタと、前記上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、一部又は全ての前記単体ヒータの前記ヒータの中心側に、前記単体ヒータからの熱放射を散乱させる散乱体を有するものであるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着を実施するための反応炉を提供する。
【解決手段】化学蒸着またはエピタキシャル層成長反応炉は反応チャンバを含んでいる。少なくとも１つの基板キャリアと基板キャリアを支持するためのサポータとが反応チャンバ内に設けられている。基板キャリアは第１面と第２面とを含んでいる。基板キャリアの第２面には少なくとも１つの内向きに窪んだ凹部が設けられている。サポータは、サポータは、スピンドル部と；スピンドル部の一端に接続されて、スピンドル部の外周から外向きに延びた支持部であって、支持部が支持面を含んだ支持部と；スピンドル部に接続されて、基板キャリアの第１面に向かって所定の高さだけ延びたプラグイン部と、を含み、サポータのプラグイン部は取外し可能に凹部内に挿入され、基板キャリアがサポータ上に配置され且つサポータによって支持されることを可能にしている。 （もっと読む）

【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置１は、ｃ面を表面とする窒化物半導体の半導体層１３と、厚みが減少する厚み減少部１４ａを有する窒化物半導体のｐ型の埋込み層１４と、を備える。埋込み層１４では、厚み減少部１４ａの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部１４ａの傾斜面の間のｐ型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 （もっと読む）