【課題】いかなるアスペクト比の素子分離溝においても、ボイドのない素子分離膜を有する半導体装置、またその半導体装置の製造方法、さらには半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】熱ＣＶＤ法により素子分離溝にＳｉＯ_２を溝幅の１／８程度成膜した後、斜め上方からエネルギーを印加することにより、ＳｉＯ_２膜を収縮させる。このとき、斜め方向からの印加により、溝上部の膜にのみエネルギーが印加されるため、溝上部のＳｉＯ_２膜は溝下部のそれよりも大きく収縮する。これにより、溝のアスペクト比が緩和されるとともに開口が広がる。この成膜・収縮工程を数回繰り返すことで、ボイドのない素子分離膜を作製することができる。 （もっと読む）

半導体ウェハのような基板の少なくとも１つの光学特性を求めるための方法およびシステムを開示する。光学特性が求められると、処理チャンバ内の少なくとも１つのパラメータがプロセス改善のために制御される。例えば、１つの実施形態では、基板の一方の表面の反射能が雰囲気温度近傍でまず求められる。そしてこの情報から、高温処理中のウェハの反射率および／または放射率が正確に推定される。放射率はウェハ処理中に高温計を用いた温度測定を補正するために使用することができる。温度測定をより正確にするだけでなく、基板の光学特性は加熱サイクルのより良い最適化にも使用しうる。
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【課題】本願発明は、ソーダガラスを含む任意の物質の基板上に形成されるシリコン薄膜トランジスタであって、チャネル領域のキャリヤーの移動度が最大となる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】アモルファスシリコン薄膜を堆積させ得る基板上に生成されたシリコン薄膜の結晶方位が、該基板面に平行な（１００）に配向された単結晶である単結晶シリコン薄膜トランジスタであり、この単結晶シリコン薄膜トランジスタにおける単結晶シリコン薄膜は、アモルファスシリコン薄膜を堆積させた基板に、前記基板の垂線に対してそれぞれ略５４．７°の角度をもって両方向から、アモルファスシリコン薄膜に、スパッタリングを惹起させず、かつ、結晶方位を制御し得る低エネルギーの中性Ｎｅビームを照射するとともに、中性Ｎｅビームの照射領域内を前記基板に対して基板の溶融温度未満の高温度で加熱することにより生産される。 （もっと読む）

【課題】製造上の制御が容易で、逆方向のリークを増大することなく、逆回復時間Ｔｒｒを短縮できるショットキバリアダイオードを提供する。
【解決手段】電子線を透さない金属薄膜を付けたマスクを用い、ガードリング領域と基板が形成するＰＮ接合部のみに局部的に欠陥領域を形成する事により、逆方向のリーク電流が増大することなく、逆回復時間Ｔｒｒを短縮できる。さらに、欠陥領域を形成するために新にパターニングし保護膜等を形成する必要がないため、工程を増やすことなく、電子線照射の工程のみで対応が可能という製造上の利点もある。 （もっと読む）

【課題】一様なエネルギーが照射される半導体ウエハの温度制御をする装置の提供。
【解決手段】半導体ウエハ１０を処理するための装置。静電チャック６は円周状ガス分配溝１４と、半導体ウエハ後面１３と静電チャック６との間に位置するガスギャップ１６を画定する。リップ３は、ウエハ１０の外側帯５をシールドするために配置される。
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