【課題】界面層および高誘電率絶縁膜下層部への窒素原子の導入を抑制することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置の提供。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴのゲートスタック形成工程は、ウエハ上に界面層を形成するステップと、界面層に第一ハフニウムシリケート膜を形成するステップと、第一ハフニウムシリケート膜にアニールを施すことで第一ハフニウムシリケート膜を緻密化もしくは結晶化するステップと、緻密化もしくは結晶化した第一ハフニウムシリケート膜上に第二ハフニウムシリケート膜を形成するステップと、第一ハフニウムシリケート膜および第二ハフニウムシリケート膜に対しプラズマ窒化を施すステップと、プラズマ窒化のプラズマダメージを回復する回復アニールステップと、を有する。窒素導入による移動度の劣化を抑制し、良好なＭＯＳＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の同一サイズの半導体装置と比較してゲート耐圧を向上させるとともに、素子分離層をバーズビークを含まない構造とすることにより素子分割領域の面積を縮小し、素子の微細化を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板表面に素子形成領域から素子分割領域に亘って延在するＬＯＣＯＳ膜を形成する。素子形成領域内の半導体基板上にＬＯＣＯＳ膜に接続されたゲート酸化膜を形成する。ＬＯＣＯＳ膜およびゲート酸化膜を覆うように導電膜を形成する。導電膜を部分的にエッチングしてゲート酸化膜およびＬＯＣＯＳ膜の一部を覆うゲート電極を形成する。導電膜のエッチングによって露出したＬＯＣＯＳ膜を部分的にエッチングしてＬＯＣＯＳ膜を素子分離層とゲート酸化膜の端部を構成する高膜厚部とに分割する。ＬＯＣＯＳ膜のエッチングによって露出した半導体基板の表面にイオン注入を行ってゲート電極を挟む位置にドレイン領域およびソース領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程の一工程としての酸化処理において、ダミー基板の酸化膜の膜厚を制御することで、バッチ毎での製品基板の酸化レートのばらつきを抑える。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、製品基板１ａとダミー基板１ｂ，１ｃが装填されたボート２をチャンバ４内に搬入する工程と、チャンバ４内の圧力を大気圧よりも低くした状態でチャンバ４内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して製品基板１ａを酸化処理する工程と、酸化処理後の製品基板１ａとダミー基板１ｂ，１ｃが装填されたボート２をチャンバ４内より搬出する工程と、を有し、ダミー基板１ｂ，１ｃの表面には酸化膜が形成されており、この酸化膜の膜厚を、酸化処理により製品基板１ａに形成される酸化膜の成長にセルフリミットがかかる膜厚とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長されたＰＺＴ膜を適度なエッチングレートで加工可能な圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極膜１１上に、ＰＺＴ膜１５をエピタキシャル成長させる成長工程と、成長工程の後に、エッチング液を用いてＰＺＴ膜１５を所望の形状に加工する加工工程と、を備え、エッチング液は、塩酸及び硝酸のうち少なくとも一方の酸を、エッチング液の重量に対する塩酸及び硝酸のそれぞれの重量濃度をＣ_ＨＣｌ及びＣ_ＨＮＯ３とした場合にＣ_ＨＣｌ＋３．３Ｃ_ＨＮＯ３が１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下となるように含有すると共に、フッ化アンモニウム及びフッ化水素のうち少なくとも一方のフッ素化合物を、エッチング液の重量に対する、フッ化アンモニウム及びフッ化水素に由来するフッ素の重量濃度が０．１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下となるように含有する。 （もっと読む）

半導体薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造体の誘電体層内のプラズマ水素化領域は、ＴＦＴの安定性を向上させる。ＴＦＴは、電極と、電極上に配置された誘電体層と、誘電体上の金属酸化物半導体とを含む多層構造体である。半導体の蒸着前に誘電体層を水素含有プラズマに曝露すると、半導体と誘電体との境界面でプラズマ水素化領域が生成される。プラズマ水素化領域は、半導体と誘電体との境界面から誘電体層及び半導体層の一方又は両方のバルクにかけて濃度が低下するように水素を組み込んでいる。
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【課題】熱ＣＶＤ法で素子分離溝に絶縁膜を埋め込む際に、アクティブエリアの変形を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上に被加工膜を形成し、シリコン基板１及び被加工膜を加工して素子分離溝５を形成し、素子分離溝５に熱ＣＶＤ法により絶縁膜６を埋め込む製造方法であって、絶縁膜６を埋め込む工程の熱ＣＶＤ法の成膜条件を、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの空孔率が５％以上となると共に、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さを越える部分を埋め込む絶縁膜６ｂの堆積速度が素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの堆積速度よりも小さくなる条件に設定した。 （もっと読む）

【課題】 酸化対象物を酸化する技術を提供する。
【解決手段】 酸化装置１０は、酸化対象物である半導体ウエハ２０と純水５２を収容可能な密閉容器３０と、密閉容器３０内にマイクロ波を照射するマイクロ波照射装置５０を備えている。密閉容器３０は、断熱性に優れた保温容器３２と耐圧性に優れた圧力容器４２を備えている。保温容器３２は、マイクロ波を透過する素材で形成されており、内部に半導体ウエハ２０と純水５２を収容する収容部４０が形成されている。この酸化装置１０では、半導体ウエハ２０を酸化する際に、収容部４０を密閉し、収容部４０にマイクロ波を照射する。これによって、収容部４０に収容された純水５２が蒸発し、収容部４０内の圧力とともに、温度が上昇する。この酸化装置１０では、収容部４０内の温度が上昇することで、半導体ウエハ２０が加熱され、半導体ウエハ２０を加熱する専用の加熱装置を必要としない。 （もっと読む）

【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ１０は、半導体材料で形成される活性層６；活性層に結合するソース電極４；活性層に結合し、活性層を通してソース電極と導通可能なドレイン電極５；活性層に結合し、複数の有機高分子材料層と複数の無機化合物層とが交互に積層されて構成されるゲート絶縁膜３；および、ゲート絶縁膜に接し、ゲート絶縁膜を介して活性層にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極２；を備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスとを用い、プラズマを発生させて、厚さ３〜１０ｎｍ、好ましくは３〜５ｎｍの第１の半導体層を形成する。次に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを用い、プラズマを発生させて、非晶質半導体と、第１の半導体層を種結晶として部分的に結晶成長させて、形成される微結晶半導体で形成される複数の錐形状の凸部を有する第２の半導体層を形成する。次に、一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層を形成し、導電層を形成して、薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素製の部材に形成される酸化膜の剥がれが原因で発生する異物を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素製の反応管内に基板を搬入する工程と、前記反応管内に酸化性ガスを供給して熱酸化により基板表面に酸化膜を形成する処理を行う工程と、前記反応管内から処理済基板を搬出する工程と、前記反応管内から処理済基板を搬出した状態で、前記反応管内の温度を、一旦、前記熱酸化により前記反応管の内壁面に形成された酸化膜の温度が少なくともひずみ点に相当する温度に到達するまで昇温させた後、前記処理済基板を前記反応管内から搬出する時の温度よりも低い温度まで降温させる工程とを有する。 （もっと読む）