【課題】バンプを有する第１の部品を、当該バンプを介して第２の部品に接合してなるバンプ接合構造体の製造方法において、沈み込み量のばらつきを抑制して安定した接合が実現できるようにする。
【解決手段】バンプ１３への超音波振動の印加を開始し、当該超音波振動の印加を続けながら、第１の荷重Ｆ１よりも大きい第２の荷重Ｆ２を、第１の部品１０および第２の部品２０に印加することにより、第１の工程の終了時点よりも更に第２の部品２０側へ第１の部品１０が沈み込むようにバンプ１３を潰して接合させる第２の工程において、第１の部品１０の第２の部品２０側への沈み込みによる変位量を沈み込み量としたとき、第２の工程では、第２の工程における沈み込み量ｘ２をモニタし、当該沈み込み量ｘ２が所定値になった時点で、超音波振動の印加を停止し、第２の荷重Ｆ２の印加のみとする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのパッドに金属リボンをボンディングする工程を伴う半導体装置の製造において、半導体チップのサイズ縮小に伴って金属リボンの厚さが薄くなった場合においても、ボンディング強度を保ちながら、金属リボンの断線を防止する。
【解決手段】半導体チップのパッドの表面に位置決めしたＡｌリボンに超音波振動を印加しながらウェッジツール１０の圧着面を圧接してボンディングを行うに際して、ウェッジツール１０の圧着面の両端部に凹部１０ａを設けておき、パッドにボンディングされたＡｌリボンの幅方向の両端部がウェッジツール１０の圧着面と接触しないようにする。 （もっと読む）

【課題】高温環境に対して使用可能でＧｄ元素を添加したアルミニウムワイヤを有する低コストのパワー半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムに微量のＧｄ元素を添加したボンディングワイヤ（ワイヤ１０）を用い、ボンディング接合部１０ａを２００℃〜４００℃の熱時効処理と、その後に冷却速度が１℃／ｍｉｎ以下の徐冷を行なうことにより、２００℃以上の高温環境に耐え、Ｇｄ添加のアルミニウムワイヤ（ワイヤ１０）を有する低コストのパワー半導体装置およびその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ搭載用樹脂基板の板厚がインレット基材の厚みより薄くても、インレット基材の金属ワイヤを精度良くＩＣ搭載用樹脂基板へ配設し、且つＩＣチップも樹脂基板に安定してフリップチップ搭載できる手段を提供すること。
【解決手段】一対の接続用電極を有するＩＣ搭載用樹脂基板を、前記樹脂基板より厚いインレット基材に設けた開口部に収容し、インレット基材の周縁にアンテナとして敷設された金属ワイヤの両端部を前記樹脂基板の一対の接続用電極にそれぞれ接合するにあたり、接続用電極面とインレット基材面とが面一になるように高さを調整した上、金属ワイヤの端部を接続用電極上を開口部を横断するように配置し、次いで上部から接触部を加熱圧着し金属ワイヤと接続用電極とを接続することを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法。 （もっと読む）

【課題】超音波ワイヤーボンディングを良好に行うことができる制御装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＵ１２が、第２ハウジング３０の基板載置部４７に載置されたパワー基板４８と、電子部品および端子板５８を保持した樹脂部材５９とを備える。端子板５８が、樹脂部材５９に保持された第１板部７５と、第１板部７５の端部７５ａから延設されて樹脂部材５９から離隔した弾性変形可能な第２板部７６とを含む。仮に、パワー基板４８に反り等が生じていても、超音波ワイヤーボンディング工程において、ワイヤーボンディングツール８１がボンディングワイヤ７４を第２板部７６の表面７６ａに押圧したときに、第２板部７６が、パワー基板４８の反りに応じて弾性変形する。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールにおけるリードと基板配線パターンを超音波接合する構造において、大面積の接合面を絶縁基板の損傷を防止しつつ良好な接合を可能にし、良好な放熱性を兼ね備えさせる。
【解決手段】
表面に複数の配線パターンが形成された基板と、この基板に搭載されて複数の配線パターンのうちの一部の配線パターンに電気的に接続された半導体素子と、複数の配線パターンのうちの他の配線パターンと電気的に接続されたリードを有する端子部を備えたパワーモジュールを、端子部のリードは他の配線パターンの材料と同等もしくは柔らかい材料を含む複数の金属部材を積層して構成されており、複数の金属部材のうち他の配線パターンの材料と同等もしくは柔らかい材料が他の配線パターンと超音波接合により電気的に接続されるように構成した。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品１４ａ〜１４ｃを埋め込む樹脂層１８の一方の面側に、電子部品に電気的に接続されたバンプ４２が形成され、樹脂層の他方の面側に、樹脂層より弾性率の高い部材４４が密着した構造物２を形成する工程と、基板４６上に形成された電極４８とバンプとを接触させた状態で、部材を介して超音波振動を印加することにより、バンプと電極とを接合する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】熱時効処理温度からの冷却速度を適正にすることで、半導体チップの表面電極とワイヤの接合部の信頼性を高めることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ添加のアルミニウムワイヤ１０を半導体チップ５のＡｌ−Ｓｉ電極膜（表面電極７）にボンディングした後、３００℃以下の高温で熱時効処理し、その後、１℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で徐冷することにより、ボンディング時の加工ひずみを除去し、熱時効処理後の冷却時に導入される熱ひずみを抑制することができて、高い信頼性を有する半導体装置１００を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 無駄になるレーザのエネルギを少なくしつつ、レーザを照射してはならない箇所へレーザを照射することを回避でき、ワイヤと接合対象とをより強固に接合することができるワイヤボンディング構造の製造方法を提供すること。
【解決手段】互いに離間する光入射面１１２と光出射面１３１とを有するボンディングウエッジ１を用意する工程と、光出射面１３１と第１接合対象７１とでワイヤ６’を挟んだ状態で、光出射面１３１を経由してレーザ８８１をワイヤ６’に照射することにより、ワイヤ６’および第１接合対象７１を接合する工程と、を備える。 （もっと読む）