国際特許分類［H01L21/66］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 製造または処理中の試験または測定 (6,126)
国際特許分類［H01L21/66］に分類される特許
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検査システム及びレシピ設定方法
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エピタキシャルウエーハの欠陥評価方法
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検査装置
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結晶欠陥検出方法、炭化珪素半導体装置の製造方法
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外観検査装置
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炭化珪素半導体装置の製造方法及びその検査方法、並びに、炭化珪素半導体ウェハの製造方法及びその検査方法
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基板及びその製造方法、並びにプローブカード
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電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体とそれを用いる検査装置
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半導体デバイスの検査装置とそれに用いるチャックステージ
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試料観察装置及びマーキング方法
【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。
【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。
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