【課題】 検査に必要な光を容易に被検査体に照射させる構成を簡素化させることができる検査装置を提供する
【解決手段】 本発明は、受光部と電極を備える被検査体とプローブカードを用いて電気的に接続して被検査体に関する検査処理を行う検査装置に関する。そして、プローブカードは、被検査体と電気的に接続するための接触子と、接触子と電気的に接続する基板と、基板で接触子と同じ板面に配置された、被検査体に向けて光を発光することが可能な光源を備える照明部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】虚報を多発させることなく，システマティック欠陥を検出する半導体パターン検査装置を提供する。
【解決手段】検査に先立ち，前準備として，少数の実画像101と対応する設計データ102から，特徴量算出部でそれぞれのパターンの特徴を表す特徴量を算出し(106a，106b），これと，欠陥座標が指定された教示データ103とから，正常と欠陥を識別するルールである識別境界を識別境界算出部で算出する(107)。検査時には，検査対象の実画像104と，設計データ105から106a，106bと同様にして特徴量を算出し(108a，108b)，これらに対し，検査前準備にて算出した識別境界107を適用することにより，欠陥判定部で欠陥判定109を行う。 （もっと読む）

【課題】電子線を走査して試料を観察するにあたって、高い分解能を有するとともに、電子線の走査に要する時間を短くできる試料観察装置を提供する。
【解決手段】ステージに載置された試料ＳＭに電子線ＩＢを照射して、試料ＳＭからの電子線を検出することにより試料を観察する電子線検査装置に於いて、１つの電子筒体５０は、試料ＳＭに照射される複数の電子線ＩＢ及び試料ＳＭからの電子線が通る電子線路を形成する複数の電子線照射検出系により構成される。ここで、複数の電子線照射検出系を同時に用いることで、検査の高速化を実現する。 （もっと読む）

【課題】ガイド部材にズレが生じてもプローブがスムーズに摺動可能なガイド部材によるプローブの保持構造を提供する。
【解決手段】電気的接触子がガイド部材によって保持された電気的接触子構造であり、電気的接触子は、先端にプランジャ、後端に支持部、さらにプランジャと支持部を接続するスプリングコイル、およびプランジャからスプリングコイル内へと延びる制動軸部を有し、スプリングコイルはプランジャに接続される可動部および支持部に接続され可動部よりも密に巻回されている固定部からなり、ガイド部材は、電気的接触子の先端側が挿入される第1のガイド穴が設けられた第１のガイド部材１１と、電気的接触子の後端側が挿入される第２のガイド穴が設けられた第２のガイド部材１２とが所定の間隔で配置されており、第１のガイド部材と第２のガイド部材との間で、スプリングコイルが湾曲するように、第１のガイド穴と第２のガイド穴が配置されている。 （もっと読む）

【課題】配線基板が周囲の湿度の影響を受け難くする。
【解決手段】プローブカード１は、プリント基板２１を積層したプローブカード基板２を有する。プローブカード基板２の側面には、調湿層３が設けられている。調湿層３は、プローブカード基板２側から順番に、接着層３１と、調湿材層３２と、保護層３３との積層構造を有する。調湿材層３２には、ケイ酸カルシウム水和物からなるトバモライトが用いられている。周囲の湿度が高いときには、水分が調湿材層３２に吸収され、プローブカード基板２の膨張が抑制される。周囲の湿度が低いときには、水分が調湿材層３２からプローブカード基板２に供給され、プローブカード基板２の収縮が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部の幅広い位置変化にも追従することができる光学式検査装置及びエッジ検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１００の表面の欠陥を検査する表面検査装置３００と、この表面検査装置３００に対するウェハ１００の搬送路に設けたウェハステージ２１０と、このウェハステージ２１０上のウェハ１００のエッジ部を検査するエッジ検査部５３０と、このエッジ検査部５３０を当該エッジ検査部５３０の光軸に沿って移動させる移動装置６５０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 伝搬遅延時間の測定値が所定範囲外になる恐れがある配線が、外部のＬＳＩテスタによって測定対象となっても、ＬＳＩテスタにエラー処理を実行させないようにできるプローブカードを提供する。
【解決手段】 プローブカードの少なくとも一部の配線はそれぞれ、自配線の一端に、投入された伝搬遅延時間測定用のパルス波形を、自配線の他端以外の箇所で反射させる反射箇所規定構造を有する。例えば、反射箇所規定構造を有する配線は、ＬＳＩテスタ寄りの配線部分と、ＤＵＴ寄りの配線部分と、これらの配線部分間に介挿された、パルス波形の周波数成分に対し、各配線部分より高インピーダンスのフェライトビーズとを有し、ＬＳＩテスタ寄りの配線部分とフェライトビーズとの境界をパルス波形の反射箇所にしている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜４上にポリシリコン５を配置し、このポリシリコン５にｐｎダイオード９を形成し、ｎカソード層６上に層間絶縁膜１０を挟んで第１ボンディングパッド１１を配置する。また、ｐアノード層７上に第２ボンディングパッド１２を配設することで、層間絶縁膜１０に導入されるダメージが層間絶縁膜１０を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置（パワーＩＣなど）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を備えたＴＦＴ素子などのアクティブ素子の良否の予測を精度高く行うことができる回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板２には、第１の電極４と、第１の電極４とは電気的に分離されている第２の電極６と、第１の電極４および第２の電極６と接するように形成された酸化物半導体層５と、を備えたトラップ準位測定用パターン３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表面にＤＺを有する半導体基板において、該ＤＺの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にＤＺ、内部にＩＧ層を有する半導体基板において、表面再結合速度を１×１０^４ｃｍ／ｓｅｃ以上に調整した第１のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１１を測定し、一次モードのライフタイムτ_１１および下記数式を用いて、ＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを求め、第１のサンプルに対して、表面再結合速度を１×１０^２ｃｍ／ｓｅｃ以下に調整した第２のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１２を測定し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを比較し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧの差が０となったとき、ＤＺが消失したと判定することができる。
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