【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜４上にポリシリコン５を配置し、このポリシリコン５にｐｎダイオード９を形成し、ｎカソード層６上に層間絶縁膜１０を挟んで第１ボンディングパッド１１を配置する。また、ｐアノード層７上に第２ボンディングパッド１２を配設することで、層間絶縁膜１０に導入されるダメージが層間絶縁膜１０を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置（パワーＩＣなど）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を備えたＴＦＴ素子などのアクティブ素子の良否の予測を精度高く行うことができる回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板２には、第１の電極４と、第１の電極４とは電気的に分離されている第２の電極６と、第１の電極４および第２の電極６と接するように形成された酸化物半導体層５と、を備えたトラップ準位測定用パターン３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表面にＤＺを有する半導体基板において、該ＤＺの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にＤＺ、内部にＩＧ層を有する半導体基板において、表面再結合速度を１×１０^４ｃｍ／ｓｅｃ以上に調整した第１のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１１を測定し、一次モードのライフタイムτ_１１および下記数式を用いて、ＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを求め、第１のサンプルに対して、表面再結合速度を１×１０^２ｃｍ／ｓｅｃ以下に調整した第２のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１２を測定し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを比較し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧの差が０となったとき、ＤＺが消失したと判定することができる。
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【課題】本発明は、ビーム走査によって得られる検出信号を積算して画像を形成する装置において、取得画像のＳ／Ｎの向上と、シュリンクの低減の両立の実現を目的とするものである。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明によれば、画像データを積算して、画像を形成する荷電粒子線装置において、設定される走査線方向の大きさごとに、走査線方向とは垂直な方向に、異なる大きさであって、異なる走査線数を持つ複数の走査パターンによる走査が可能な偏向器と、１フレーム内にて、前記走査線方向とは垂直な方向の大きさに比例する数の走査線位置への走査によって得られる検出信号を１の走査位置の検出信号として、積算する演算装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】酸化及び溶損を防止することができるプローブカード用接触端子を提供する。
【解決手段】半導体デバイスを検査するプローブカード１０のベース１１において半導体デバイスと対向する面には、複数のポゴピン１２が配され、各ポゴピン１２のプランジャー１４は柱状の接触部１４ｃを有し、接触部１４ｃは、柱状の中心部１４ｄと、中心部１４ｄの側面を覆う外部筒１４ｅとを有し、外部筒１４ｅを構成する材料の硬度及び比抵抗は、中心部１４ｄを構成する材料の硬度及び比抵抗と異なる。 （もっと読む）

【課題】汎用性を有し、高速で動作する半導体装置を検査できる検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置は、第1貫通電極24bと、テスト信号を生成する信号生成ユニット30とを有する第1半導体基板24と、複数の接触子60を有するプローブ基板27と、第2貫通電極25bと、複数の接触子60と信号生成ユニット30との間の信号経路をプログラム可能に設定するスイッチマトリックス20eとを有する第2半導体基板と、を備え、第1半導体基板24と第2半導体基板25とは積層されており、第1貫通電極24bは、信号生成ユニット30が生成したテスト信号をスイッチマトリックス20eに伝達し、第2貫通電極25bは、スイッチマトリックス20eによって経路設定されたテスト信号を所定の接触子60に伝達し、信号生成ユニット30から、着脱自在に接続される電気的接続部を介さずに、接触子60にテスト信号が伝達される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ小型で精密な電気特性検査が可能なパワー半導体測定用コンタクトプローブを提供する。
【解決手段】パワー半導体測定用コンタクトプローブ１は、円筒状のスリーブ２と、スリーブ２内を摺動自在に嵌合するプランジャーコンタクト３と、プランジャーコンタクト３をパワー半導体の外部接続用端子へ向けて付勢するコイルスプリング４とを備え、プランジャーコンタクト４のコンタクト側を可動軸受け５に圧入して固定し、非コンタクト側を固定軸受け６に摺動自在に挿通し、可動軸受け５と、固定軸受け６とで、スリーブ２内にプランジャーコンタクト３を摺動自在とし、可動軸受け５と、固定軸受け６との間にコイルスプリング４をプランジャーコンタクト３に装着して配置し、コイルスプリング４を、スリーブ２、プランジャーコンタクト３、可動軸受け５、固定軸受け６に対して電気的に絶縁した。 （もっと読む）

【課題】測定値のヒストグラムにおいて、複数の主分布を含む場合であっても、主分布から外れた特異値を示す半導体装置を特定できる半導体装置のスクリーニング装置が、望まれる。
【解決手段】半導体装置のスクリーニング装置は、半導体装置の特性に関する測定結果から構成される測定値集合を、所定の規則に基づき分割することで、複数の測定値部分集合を生成するデータ分割部と、複数の測定値部分集合それぞれに含まれる測定結果の評価基準となる第１の評価値を算出する第１の評価値算出部と、第１の評価値に基づいて、複数の測定値部分集合それぞれに含まれる測定結果を変換するデータ変換部と、データ変換部が変換した後の測定結果の評価基準となる第２の評価値を算出する第２の評価値算出部と、第２の評価値に基づいて、測定対象である半導体装置の良否を判定する判定部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路のクロックに一定周波数のクロックのみを供給しつつ半導体集積回路の内部クロックを動的に変化させて半導体集積回路のランダム・ロジックを検査する。
【解決手段】複数の組み合わせ回路と当該複数の組み合わせ回路のスキャンテストを行うためのスキャンチェーンを構成する複数のスキャンフリップフロップとを有する半導体集積回路、の検査方法を、クロック生成装置から前記半導体集積回路に一定周波数の第１クロックを入力する入力工程と、前記半導体集積回路の内蔵する分周器が前記第１クロックを分周して第２クロックを生成する分周工程と、前記複数のスキャンフリップフロップに入力するクロックを、前記第１クロックと前記第２クロックとの間で動的に切り替えつつ前記半導体集積回路を検査する検査工程と、により構成する。 （もっと読む）

【課題】 スキャンチェーンの検査を好適に行うことが可能なスキャンチェーン検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０のスキャンチェーンに検査信号を供給する検査信号供給部１８と、スキャンチェーンの各レジスタでの検査信号の信号レベルの時間変化を測定するレジスタ測定部２０と、測定部２０による測定結果に基づいて各レジスタにレジスタ番号を付与するレジスタ番号解析部５１を有する検査解析装置５０とによってスキャンチェーン検査装置１Ａを構成する。供給部１８は、信号長ｎが異なるｍ種類の検査信号列を供給する。解析部５１は、信号長ｎの検査信号列を用いた測定結果からスキャンチェーンの複数のレジスタをｎ個のグループに分けるグループ分けをｍ種類の検査信号列のそれぞれについて行い、その結果に基づいて各レジスタにレジスタ番号を付与する。 （もっと読む）