【課題】基板におけるチップ面積の確保を容易に行うことができ、基板の保持方法による影響を受けることなく、また、高価な計測機器を用いることなく、高精度かつ簡便に、基板の歪みを測定することができる基板の歪み測定装置を提供する。
【解決手段】基板２０を保持する保持面に、前記基板２０に設けられた位置ズレ測定用のマーク４０の比較対象となる基準マーク５０を有する基板保持部３１と、前記基板２０を透過する光を照射する光源部３２と、前記光源部３２により前記光が前記基板２０に照射されることで得られる前記位置ズレ測定用のマーク４０と前記基準マーク５０との重なりを観察する観察部３３と、前記観察部３３により観察された前記重なりから、前記基準マーク５０に対する前記位置ズレ測定用のマーク４０のズレ量を算出する算出部３６と、前記算出部３６により算出された前記ズレ量から、前記基板の歪みを測定する測定部３７とを備える測定装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の表面のみかつ当該表面の全体をエッチング液に接触でき、半導体基板以外からの不純物の混入(コンタミ)がない半導体基板表面の不純物の回収方法、及び、前記不純物の回収方法を使用する半導体基板表面の不純物の定量分析方法を提供する。
【解決手段】平坦な底面を有する支持容器１にエッチング液２を添加し、その上に分析対象の半導体基板３を載せて、半導体基板３表面のエッチング液２への溶解に要する時間放置後、当該エッチング液２を回収する方法であって、半導体基板３の直径をＸｃｍとしたとき、支持容器１に添加されるエッチング液２の量が、２×（Ｘ／５）^２ｍｌ以上、３×（Ｘ／２）^２ｍｌ以下であり、かつ支持容器１とエッチング液２の接触角が６５°以上であることを特徴とする半導体基板表面の不純物の回収方法及び、前記不純物の回収方法を使用する半導体基板表面の不純物の定量分析方法。 （もっと読む）

【課題】検査時のプロービングによる不良の疑いのあるチップの流出を確実に防止することのできるウェハ検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】各チップにプローブを接触させて通電テストを制御するテスト制御手段５と、テスト制御手段５の結果からチップの良否を判定するテスト判定手段６と、各チップのアドレス情報と各チップに対するテスト判定手段６のテスト判定情報及びプローブによるコンタクト情報とを対応させて記憶する記憶手段７と、プローブがチップに接触する毎にチップのアドレス情報に対応するコンタクト情報を更新するコンタクト制御手段８と、コンタクト情報が予め設定した限界条件を超えたときはチップを不良と判定するコンタクト判定手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】有底の凹部の状態を非破壊で検査し、製造コストを低減させる。
【解決手段】本発明のウエハ５０のビア孔５１の検査方法は、有底のビア孔５１が表面に形成されたウエハ５０に被転写材料を塗布し、この被転写材料をビア孔５１内に充填させ、被転写材料を硬化させた後、ウエハ５０から離型させることでビア孔５１がビア像７１として転写されてなる被転写体７０を形成する転写工程と、ビア像７１の表面を観察することでその表面形状の画像データを作成する表面観察工程と、ビア像７１の画像データに基づいてビア像７１の形状を評価し、ビア孔５１内の状態を検査する検査工程とを備えたところに特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】検査時間を短縮し、かつ諸所の検査温度との誤差を抑制する検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置１ａは被検査体２及び熱伝導体１１ａを載置可能な試料台１０と、前記試料台１０に対向して設けられ、前記被検査体２に接触して検査する探針（検査部）１４、この探針１４を支持するユニット１５及びユニットホルダ１３を有する基板１２と、前記ユニットホルダ１３及び前記試料台１０に接触しうる前記熱伝導体１１ａとを有し、検査方法は試料台１０に熱伝導体１１ａを設置する工程と、基板１２と前記熱伝導体１１ａを接触させる工程と、前記熱伝導体１１ａを前記試料台１０から移動し、前記試料台１０に被検査体２を設置する工程と、前記被検査体２に探針１４を接触させて検査をする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき（生産揺らぎ）を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】ｐ型電極１１とｎ型電極１２の形成後に、静電容量測定手段が、ｐ型電極１１とｎ型電極１２間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程（図示せず）と、第１不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、ＭＯＣＶＤ手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第１不純物濃度分布制御工程（図示せず）とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貫通電極のサイズ（直径）が縮小化された場合でも、４端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１０１及び回路素子層１０２を有する半導体チップ本体５５と、半導体チップ本体５５を貫通する第１乃至第４の貫通電極６１〜６４と、回路素子層１０２に設けられた回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第２の貫通電極６２とを電気的に接続する第１の導電経路９６と、回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第３の貫通電極６３とを電気的に接続する第２の導電経路９７と、回路素子を介することなく、第２の貫通電極６２と第４の貫通電極６４とを電気的に接続する第３の導電経路９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。
【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】 大きなオーバードライブを確保し、かつ、スクラブ量を微細に制御可能とするプローブを提供すること。
【解決手段】 垂直方向に延びる垂直プローブと、垂直方向と交差する方向に延び直線又は曲線形状を有し、概略水平方向に延び、一端が固定端と接続し他端は前記垂直プローブと接続する１対の相対する水平梁とから構成されるリンク機構を含むプローブで、前記１対の相対する水平梁間距離が連続に又は不連続に変化するプローブにおいて、前記水平梁間距離が固定端近傍で最大となり、前記垂直プローブ近傍で最小となるようにしたプローブである。 （もっと読む）

【課題】試料評価装置及び試料評価方法において、酸化金属膜の組成変動を簡単に測定すること。
【解決手段】走査型非線形誘電率顕微鏡１０の探針１４ａにより酸化金属膜３５の評価領域Fを走査することにより、評価領域Fの非線形誘電率を示す出力信号S₀を走査型非線形誘電率顕微鏡１０から取得するステップと、酸化金属膜３５の特定の構成元素の組成ずれXと出力信号S₀との関係を表すテーブルTBを参照することにより、取得した出力信号S₀に対応する組成ずれXを求めるステップとを有する試料評価方法による。 （もっと読む）