【課題】被検査体の電極への影響を抑えつつ電極の微細ピッチ化及び電極の配列の狭ピッチ化に対応して効率的に被検査体の検査を行うことができる低コストの検査用プローブ、プローブユニット及び検査用治具を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板１２と、基板１２の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子１３と、基板１２に形成されて接触子１３と導通する配線パターン１４とを備え、被検査体２１の検査を行う際に接触子１３の先端からなる接点１５が被検査体２１の電極２２に接触される検査用プローブ１１であって、接触子１３及び配線パターン１４が、微小電気機械システム技術によって基板１２に形成されたものであり、接触子１３の先端側が基板１２の表面に対して所定角度で屈曲されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物をチャックステージに適切に真空吸着させることができる真空吸着保持装置および真空吸着保持方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物２を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ３と、被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化及び溶損を防止することができるプローブカード用接触端子を提供する。
【解決手段】半導体デバイスを検査するプローブカード１０のベース１１において半導体デバイスと対向する面には、複数のポゴピン１２が配され、各ポゴピン１２のプランジャー１４は柱状の接触部１４ｃを有し、接触部１４ｃは、柱状の中心部１４ｄと、中心部１４ｄの側面を覆う外部筒１４ｅとを有し、外部筒１４ｅを構成する材料の硬度及び比抵抗は、中心部１４ｄを構成する材料の硬度及び比抵抗と異なる。 （もっと読む）

【課題】汎用性を有し、高速で動作する半導体装置を検査できる検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置は、第1貫通電極24bと、テスト信号を生成する信号生成ユニット30とを有する第1半導体基板24と、複数の接触子60を有するプローブ基板27と、第2貫通電極25bと、複数の接触子60と信号生成ユニット30との間の信号経路をプログラム可能に設定するスイッチマトリックス20eとを有する第2半導体基板と、を備え、第1半導体基板24と第2半導体基板25とは積層されており、第1貫通電極24bは、信号生成ユニット30が生成したテスト信号をスイッチマトリックス20eに伝達し、第2貫通電極25bは、スイッチマトリックス20eによって経路設定されたテスト信号を所定の接触子60に伝達し、信号生成ユニット30から、着脱自在に接続される電気的接続部を介さずに、接触子60にテスト信号が伝達される。 （もっと読む）

【課題】バーンインテストで温度を変える場合にプローブカード用配線基板が反ってウエハ上の端子とプローブが電気的に接続されない問題がおきやすく、そのためにバーンインテストにかかる時間を短縮できないので、バーンインテストを短縮できるプローブカード用配線基板とするためには改善が必要なものであった。
【解決手段】プローブカード用配線基板３において、ダミービア２ｂを含むビア２とを備えており、表層部１ａの横断面における絶縁基体１に対するビア２の面積比は、内層部１ｂの横断面における絶縁基体に対するビア２の面積比より高くなっていることによって、プローブカード用配線基板３の上下の表層部１ａから内層部１ｂには接続用ビア２ａに加えてダミービア２ｂによって効率的に熱が伝導されるようになるので、バーンインテスト時に短時間で定常な温度分布状態となるので、バーンインテストにかかる時間を短縮することに関して向上されている。 （もっと読む）

【課題】より小型または簡単な構成で、より精度よく、半導体ウェハの表面に存在するソーマークの検出又は大きさの測定を行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの表面に対して斜め方向から、入射面において平行光である光を照射し、ラインセンサカメラ３、４で半導体ウェハＷの表面におけるライン状の領域３ａを撮影する。このことで、半導体ウェハＷの表面からの照射光の反射光または散乱光を検出し、この強度に基づいて、半導体ウェハＷの表面における線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。光源装置１、２によって、ラインセンサカメラ３、４によって撮影されるライン状の領域３ａのラインに平行な方向から光を照射し、線状の凹凸の方向がラインの方向に直交するように配置された状態で、半導体ウェハＷの線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。 （もっと読む）

【課題】目視による外観検査を不要としながら、高精度に効率よく半導体ウエハの外観異常を検出する。
【解決手段】検査装置により、欠陥の検出感度を標準感度にして半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所Ｆ１，Ｆ２が検出される。続いて、検出感度を標準感度よりも検出感度が高い高感度に設定して、半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所Ｆ３〜Ｆ６（図中、点線で示す）が得られる。そして、標準感度にて検出された欠陥箇所と高感度にて検出された欠陥箇所とが重複している欠陥箇所において、高感度にて検出された欠陥箇所（欠陥箇所Ｆ６，Ｆ３）を欠陥箇所エリアと決定し、該欠陥箇所エリアに該当する半導体チップを不良チップとする処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを検査する際の下地の影響を低減させた検査装置を提供する。
【解決手段】 検査装置１は、複数種の波長を有する照明光でウェハを照明する照明部３０と、照明光により照明されたウェハを撮影する撮影部４０と、複数種の波長毎に所定の重み付けを行って撮影部４０により撮影されたウェハの検査用撮影像を生成するとともに、生成した検査用撮影像に基づいてウェハにおける欠陥の有無を判定する画像処理部２７とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのエッジ部の破壊強度の評価において、測定結果のバラツキを低減して、精度の良い評価を実施できる方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウェーハのエッジ部の破壊強度を評価する方法であって、前記評価する半導体ウェーハの所定の結晶方位に対応するエッジ部に荷重を付与して、前記半導体ウェーハのエッジ部の破壊強度を評価することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、電子線の照射により半導体ウェハから発生するＸ線を検出する検出器３４，３５と、傾斜角度が可変のカラム１６とを備え、試料ステージ２４により、半導体ウェハのエッジの欠陥位置にカラム１６の撮像視野を移動し、カラム１６を傾斜させた状態で、半導体ウェハのエッジに電子線を照射する。 （もっと読む）