【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷＦを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系１８〜２２と、当該電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、傾斜可能なカラム１６とを備え、半導体ウェハのエッジ上におけるレシピあるいは位置情報に従って定まる位置に、試料ステージ２４によってカラム８の撮像視野を移動し、半導体ウェハのエッジにカラム１６を傾斜させた状態で電子線を照射して走査電子顕微鏡画像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】欠陥画像取得時間を短縮することが可能な欠陥観察方法および欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】複数の画像取得条件から選択した任意の画像取得条件を用いて検査対象である試料の表面を撮像して欠陥画像を取得する画像取得工程と、前記画像取得工程にて取得した欠陥画像を処理して、該試料の表面上の欠陥位置を算出する欠陥位置算出工程と、前記欠陥位置算出工程にて算出した欠陥位置の確からしさである欠陥検出確度を求める欠陥検出確度算出工程と、前記欠陥検出確度算出工程にて求めた欠陥検出確度が予め定めた条件を満たすかどうかを判定する終了判定工程と、を備え、前記終了判定工程にて該条件を満たすと判断するまで、前記複数の画像取得条件から画像取得条件を選択し直し、前記画像取得工程と前記欠陥位置算出工程と前記欠陥検出確度算出工程と前記終了判定工程とを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】現在の手動検査プロセスを置き換える自動化検査システムおよび方法を提供すること。
【解決手段】自動化欠陥検査システム（１０）が発明され、これはパターン化されたウェハ、全ウェハ、破損ウェハ、部分ウェハ、ワッフルパック、ＭＣＭなどを検査するために使用される。この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 （もっと読む）

【課題】微細な欠陥の検出を容易に行うことができるパターン検査装置、およびパターン検査方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係るパターン検査装置は、被検査体に向けて光を出射する光源と、前記被検査体からの光を検出する検出部と、前記検出部からの出力に基づいてパターン検査を行う検査部と、を備えている。そして、前記光源は、前記光の波長を変化させる。また、前記検査部は、前記検出部からの出力に基づいて回折像を作成し、最も鮮明な回折像に関する光の波長と、対比する回折像に関する光の波長と、を比較することで、前記パターン検査を行う。 （もっと読む）

【課題】不良と判定される欠陥を内在する半導体基板のウェハプロセスにおける製造効率を向上させ、良品率を向上させる。
【解決手段】ウェハ１を搬送してウェハ支持台４へ載置するための搬送装置３と、該ウェハ支持台４の位置を可変制御する駆動装置１４と、該ウェハ１が載置される前記支持台４の位置の可変制御により、ウェハ１の上部に配設される照射光８を前記ウェハ１表面に走査させながら照射する光照射部６と該光照射部６に照射光８を供給する光源７と、前記ウェハ１表面からの散乱光９を検出する第１受光検出部１３とウェハ１の透過光を検出する第２受光検出部１０と、該受光検出部からの信号を受けて演算処理する演算部１１と該演算部１１からの信号を受けて画像として出力するモニター１２とを含む半導体基板の欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置２００は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ（１）に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＢを作成するＷＰフィルタ処理部５６と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップＣを作成するＬＰフィルタ処理部５８と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ（２）に対し、ＬＰフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＣを作成するＬＰフィルタ処理部６４と、位置ずれマップＡと位置ずれマップＢの差分に位置ずれマップＣを加算することによって合成して位置ずれマップＤを作成する合成部６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハをステージ上に配置する際、確実に位置決め精度を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における位置決めガイドＰＡＧがリング形状をしているため、半導体ウェハの外縁部全体にわたって位置決めガイドＰＡＧで保持することができる。このことから、たとえ、半導体ウェハの外縁部の一部に割れやカケが存在していても、本発明における位置決めガイドＰＡＧによれば、半導体ウェハを確実に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】マルチコアプロセッサ１２を用いても画像処理の処理性能をスケーラブルに向上させることが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】表面にパターンが形成された試料を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像された画像データを、複数の画像ブロックに分割する分割手段４ｂと、複数の画像ブロックに対してパターンの欠陥を検出する欠陥検出処理を並列に行う並列処理手段５とを備え、並列処理手段５には複数のコア１３、１４を有するマルチコアプロセッサ１２を複数使用する。マルチコアプロセッサ１２毎に、画像ブロックの欠陥検出処理が行われる。複数のコア１３、１４は、画像ブロックの欠陥検出処理を行う演算コア１３と、画像ブロックを分割手段４ｂから受信する制御コア１４とを有し、演算コア１３が欠陥検出処理を行う画像ブロックは、制御コア１４を介して用意される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、熱処理後のシリコンウェーハに含まれているニッケルの濃度を正確に測定することができるシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法を提供する。
【解決手段】 シリコンウェーハのニッケル濃度を測定する方法であって、前記シリコンウェーハに熱処理を施す工程と、該熱処理を施したシリコンウェーハに選択エッチングを行うことで前記シリコンウェーハ表面にシャローピットを顕在化させる工程と、該顕在化させたシャローピットの密度とサイズからシリコンウェーハのニッケル濃度を求める工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法 （もっと読む）

【課題】被検査体の電極への影響を抑えつつ効率的に被検査体の検査を行うことができる低コストの検査用プローブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板１２と、基板１２の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子１３と、基板１２に形成されて接触子１３と導通する配線パターン１４とを備え、被検査体の検査を行う際に接触子１３の先端からなる接点１５が被検査体の電極に接触される検査用プローブ１１であって、接触子１３及び配線パターン１４が、ＭＥＭＳ技術によって基板１２に形成され、接触子１３の接点１５における電極との接触箇所に、凸曲面状に突出する電極接触凸部１６が形成されている。 （もっと読む）