検査用プローブ及びその製造方法
【課題】被検査体の電極への影響を抑えつつ効率的に被検査体の検査を行うことができる低コストの検査用プローブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板１２と、基板１２の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子１３と、基板１２に形成されて接触子１３と導通する配線パターン１４とを備え、被検査体の検査を行う際に接触子１３の先端からなる接点１５が被検査体の電極に接触される検査用プローブ１１であって、接触子１３及び配線パターン１４が、ＭＥＭＳ技術によって基板１２に形成され、接触子１３の接点１５における電極との接触箇所に、凸曲面状に突出する電極接触凸部１６が形成されている。
【解決手段】絶縁性の基板１２と、基板１２の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子１３と、基板１２に形成されて接触子１３と導通する配線パターン１４とを備え、被検査体の検査を行う際に接触子１３の先端からなる接点１５が被検査体の電極に接触される検査用プローブ１１であって、接触子１３及び配線パターン１４が、ＭＥＭＳ技術によって基板１２に形成され、接触子１３の接点１５における電極との接触箇所に、凸曲面状に突出する電極接触凸部１６が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどを検査する際に用いられる検査用プローブ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの通電試験を行う検査用プローブは、検査対象である被検査体に設けられた電極に押し当てて導通させる接触子を有している。
近年、電子機器に搭載される被検査体である電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの微細化及び高集積化が積極的に行われており、これに伴い、これらの被検査体の電極も微細ピッチ化及び微細領域化されている。そのため、検査用プローブの接触子も、微細ピッチ化及び微細領域化された被検査体の電極に対応したものが要求されている。
【０００３】
このような検査用プローブとして、基板上にフォトリソグラフィー等のＭＥＭＳ技術を用いて配線層と微細接点を一括形成したものが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３２６３号公報
【特許文献２】特開２００２−２８６７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図９に示すように、並列させた複数の被検査体１を複数の検査用プローブによって同時に一括検査する場合などでは、図１０に示すように、互いの検査用プローブ３が干渉することなく、被検査体１の電極２に対して検査用プローブ３の接触子４を接触させるために、検査用プローブ３を構成する複数の基板５の配置角度を変える必要がある。
しかし、このような配置とすると、基板５の厚さ等の構造上の制限により、被検査体１の電極２に対する接触子４の接触角が大きく（例えば最大で約３１°）なる。すると、接触子４の角部によって被検査体１の電極２に接触痕が残ってしまう。
【０００６】
接触子４の角部による電極２への接触痕の発生を極力抑えるためには、接触角を小さく（約１０°〜２５°）抑える必要があり、このため、各基板４の配置密度を小さくせざるを得なくなる。すると、基板４の配置枚数が少なくなり、一括検査が可能な被検査体１の個数も少なくなり、検査効率の低下によりコストが嵩んでしまう。
【０００７】
また、接触角が小さい場合であっても、図１１に示すように、接触子４に尖った角部４ａがあると電極２に接触痕が形成される。このため、接触子４の角部４ａをラッピングシートに繰り返し接触させることにより、図１２に示すように、接触子４の角部４ａに面取り加工を施して面取り部４ｂを形成することが行われるが、製造時のリードタイムが長くなり、製造コストが嵩んでしまう。
【０００８】
また、ＭＥＭＳ型のプローブと異なる構造のカンチレバー方式の検査用プローブでは、接触子の先端を微細化すると、強度不足によって耐久性が低下してしまう。つまり、このカンチレバー方式の検査用プローブでは、接触子の先端の微細化が困難であり、このため、被検査体の電極へのダメージが大きくなり、被検査体を実装した際の接続信頼性が低下してしまう。
【０００９】
本発明の目的は、被検査体の電極への影響を抑えつつ極めて効率的に被検査体の検査を行うことができる低コストの検査用プローブ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決することのできる本発明の検査用プローブは、絶縁性の基板と、前記基板の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子と、前記基板に形成されて前記接触子と導通する配線パターンとを備え、被検査体の検査を行う際に前記接触子の先端からなる接点が前記被検査体の電極に接触される検査用プローブであって、
前記接触子及び前記配線パターンが、微小電気機械システム技術によって前記基板に形成されたものであり、
前記接触子の前記接点における前記電極との接触箇所に、凸曲面状に突出する電極接触凸部が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の検査用プローブにおいて、前記電極接触凸部は、ドーム形状に形成されていることが好ましい。
【００１２】
本発明の検査用プローブにおいて、前記接触子の先端側が前記基板の表面に対して所定角度で屈曲され、前記被検査体に対して垂直方向から近接されて前記接触子の接点が前記被検査体の電極に接触されることが好ましい。
【００１３】
本発明の検査用プローブの製造方法は、絶縁性の基板と、前記基板の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子と、前記基板に形成されて前記接触子と導通する配線パターンとを備えた検査用プローブを微小電気機械システム技術によって製造する検査用プローブの製造方法であって、
前記基板上の所定位置に、凸曲面状に突出する接点成形部を形成する接点形状加工工程と、
前記基板上における前記接触子の形成範囲に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記基板上における前記接触子及び前記配線パターンの形成位置に配線層を形成する配線層加工工程と、
前記接触子の形成位置における前記基板の一部を、前記犠牲層及び前記接点成形部とともに除去する外形加工工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明の検査用プローブの製造方法において、前記犠牲層形成工程後に前記接点形状加工工程を行い、前記犠牲層上に前記接点成形部を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の検査用プローブによれば、被検査体を検査する際に、被検査体の電極に対して接触子の接点に形成された凸曲面状に突出する電極接触凸部が円滑に接触することとなる。これにより、被検査体の電極に対して接触子を安定した接触性を確保しつつ接触させることができ、電極に接触痕を残すような不具合をなくし、電極の損傷を防止することができる。したがって、検査工程後における被検査体の歩留まりを向上させることができ、被検査体の製造コストの大幅な削減を図ることができる。
【００１６】
また、配線パターン及び接触子を微小電気機械システム技術によって基板に形成し、しかも、接触子の先端に電極接触凸部を形成したので、エージング加工によって接触子の角部を面取りしたものと比較して、製造時のリードタイムを大幅に短縮させることができ、製造コストの削減を図ることができる。そして、接触子が電極に接触痕を残すことなく円滑に接触するため、被検査体の電極に対する接触角を大きくすることができるので、複数の検査用プローブを用いて複数の被検査体を円滑に一括して検査することができる。
【００１７】
また、本発明の検査用プローブの製造方法によれば、被検査体の電極へ接触痕を残すことなく円滑に接触子の接点を接触させて検査を良好に行うことが可能な検査用プローブを製造することができる。しかも、その製造にかかるリードタイムを大幅に短縮させることができ、検査用プローブの製造コストを大幅に低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る検査用プローブの一実施形態を示す平面図である。
【図２】検査用プローブの接触子部分を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。
【図３】検査用プローブの接触子部分と被検査体の電極との接触状態を示す図であって、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ側面図である。
【図４】検査用プローブの接触子に形成された電極接触凸部の変形例を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。
【図５】検査用プローブの他の実施形態に係る側面図である。
【図６】検査用プローブの他の実施形態に係る接触子部分と被検査体の電極との接触箇所の拡大断面図である。
【図７】検査用プローブの製造工程の一例を示す図であって、（ａ）から（ｌ）は、それぞれ製造途中の検査用プローブの側面図である。
【図８】検査用プローブの製造工程の他の例を示す図であって、（ａ）から（ｌ）は、それぞれ製造途中の検査用プローブの側面図である。
【図９】並列に配置された複数の被検査体の一例を示す平面図である。
【図１０】複数の被検査体の検査を行う例を示す接触子部分と被検査体の電極との接触箇所の側面図である。
【図１１】従来の検査用プローブの接触子部分と電極との接触箇所の一例を示す側面図である。
【図１２】従来の検査用プローブの接触子部分と電極との接触箇所の一例を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る検査用プローブ及びその製造方法の実施の形態の例を、図面を参照して説明する。
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る検査用プローブ１１は、電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなど被検査体の通電試験を行うプローブである。被検査体となる表示デバイスとしては、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）や有機ＥＬディスプレイなどがある。
【００２０】
この検査用プローブ１１は、絶縁性材料からなる基板１２と、この基板１２の縁部から外に延在して並列に配置された複数の接触子１３を有している。この接触子１３は、導電性材料からなり、その基端側が基板１２上に配置されている。また、基板１２には、接触子１３と繋がって導通する配線パターン１４が形成されている。
【００２１】
接触子１３は、その先端部が接点１５とされており、この接点１５には、基板１２と反対側に突出する電極接触凸部１６が形成されている。この電極接触凸部１６は、接点１５から凸曲面状に突出された形状を有する。図２の例では、電極接触凸部１６の外形は、側面視で円弧状に形成され、その円弧が接触子１３の幅方向（図２（ｂ）の左右方向）に直線状に延びた形状となっている。
【００２２】
上記構造の検査用プローブ１１は、基板１２上にフォトリソグラフィー等の微小電気機械システム技術であるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて配線パターン１４と微細な接点１５となる接触子１３とを一括形成したものである。
【００２３】
次に、この検査用プローブ１１で電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの被検査体２１を検査する場合について説明する。
被検査体２１を検査する場合、被検査体２１に対して検査用プローブ１１が近接される。すると、図３（ａ）に示すように、被検査体２１の電極２２に接触子１３の接点１５が接触される。この状態から、図３（ｂ）に示すように、検査用プローブ１１と被検査体２１とが所定の押し込み量（Over Drive）ＯＤで相対的に接近する方向に変位される。すると、被検査体２１の電極２２に接点１５が接触された接触子１３が弾性変形し、この接触子１３の弾性力によって接点１５が被検査体２１の電極２２に押圧される。これにより、電極２２に対して接触子１３の接点１５が押し付けられ、電極２２と接触子１３とが良好に導通接触される。
【００２４】
このとき、接触子１３の接点１５には、電極２２側へ突出する側面視円弧状の電極接触凸部１６が形成されているので、電極２２に対して電極接触凸部１６の凸曲面状の表面が円滑に摺接することとなる。これにより、被検査体２１の電極２２に対して接触子１３を安定した接触性を確保しつつ接触させることができ、電極２２に接触痕を残すような不具合をなくし、電極２２の損傷を極力防ぐことができる。したがって、検査工程後における被検査体２１の歩留まりを向上させることができ、被検査体２１の製造コストを削減することができる。
【００２５】
また、配線パターン１４及び接触子１３をＭＥＭＳ技術によって基板１２に形成し、しかも、接触子１３の先端に電極接触凸部１６を形成したので、エージング加工によって接触子の角部を面取りしたもの（図１２参照）と比較して、製造時のリードタイムを大幅に短縮させることができ、製造コストを削減することができる。
【００２６】
上記の検査用プローブ１１を用いて、並列させた複数の被検査体２１（図９参照）を同時に一括検査する場合では、互いの検査用プローブ１１が干渉しないように、被検査体２１の電極２２に対して接触子１３の接点１５を接触させるために、検査用プローブ１１を構成する複数の基板１２の配置角度を変えて配置する必要がある（図１０参照）。
このような構造とすると、基板１２の厚さ等の構造上の制限により、被検査体２１の電極２２に対する接触子１３の接触角が大きく（例えば約３１°）なる。
【００２７】
このように、接触角が大きくなったとしても、本実施形態に係る検査用プローブ１１によれば、電極接触凸部１６が電極２２に円滑に接触するので、接触子１３が電極２２に接触痕を残すような不具合が生じず、電極２２の損傷が極力防がれる。したがって、複数の検査用プローブ１１を用いて複数の被検査体２１を円滑に一括して検査することができる。
【００２８】
なお、接触子１３の接点１５に形成した電極接触凸部１６の凸曲面形状としては、側面視円弧状で幅方向に同一な形状に限らず、図４に示すように、ドーム状（略半球状）に突出する形状であっても良い。このような形状の電極接触凸部１６を形成すると、接点１５の電極接触凸部１６があらゆる方向から電極２２に接触しても、電極２２に円滑に接触することとなり、被検査体２１の電極２２へ接触痕が残るような不具合をさらに確実になくし、電極２２の損傷を極力防止することができる。
【００２９】
次に、検査用プローブの他の実施形態例について説明する。
図５に示す検査用プローブ１１Ａでは、接触子１３の先端近傍部分が屈曲されている。これにより、接触子１３は、その先端が基板１２に対して所定の角度に傾斜されて配置されている。
また、この検査用プローブ１１Ａは、接触子１３の先端からなる接点１５における基板１２側の面に凸曲面状の電極接触凸部１６が形成されている。
【００３０】
この検査用プローブ１１Ａは、被検査体２１に対して基板１２が垂直に配置された状態で近接される。そして、このように被検査体２１に対して基板１２を垂直に配置して近接させると、図６に示すように、基板１２に対して傾斜された接触子１３の先端の接点１５が被検査体２１の電極２２に接触する。このときも、接点１５の電極接触凸部１６が被検査体２１の電極２２の表面に摺接しながら円滑に接触することとなる。これにより、被検査体２１に対して検査用プローブ１１Ａを垂直に配置した状態で被検査体２１を容易に検査することができる。この場合も、接触子１３の接点１５が電極２２へ接触することによる接触痕が残るような不具合をなくし、電極２２の損傷を防ぐことができる。
【００３１】
また、この検査用プローブ１１Ａでは、被検査体２１に対して垂直方向から近接して検査を行うことができるので、電極２２が被検査体２１の表面よりも内側に凹んだ箇所に配置されているような段付き形状であっても、接触子１３の接点１５を電極２２へ接触させて容易に検査することができる。
【００３２】
次に、検査用プローブの製造方法について説明する。
なお、ここでは、基板１２から接触子１３が真っ直ぐ延在し、接点１５の先端に凸曲面状に突出した電極接触凸部１６を有する検査用プローブ１１を製造する場合について説明する。
【００３３】
（１）接点形状加工工程
図７（ａ）に示すように、基板１２上に成膜加工を施すことにより、例えば、アルミニウム合金（ＡｌＣｕ）等からなる所望の厚さ（例えば、１００Å〜５００Å）の金属薄膜３１を形成し、この金属薄膜３１上に、印刷法、スピンコーティング法等によって所望の厚さ（例えば、１０ミクロン〜３０ミクロン）のポジ型のフォトレジストを塗布する。
【００３４】
その後、図７（ｂ），（ｃ）に示すように、溶媒分除去のためにプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。現像完了後、熱硬化炉（オーブン）を用いて加熱することにより、フォトレジストをフローさせ、電極接触凸部１６となる部分に凸曲面状に突出した所望の形状の接点成形部３０を形成する。加熱条件は、例えば、２００℃〜３００℃のピーク温度において、１０分〜６０分程度の範囲で条件適正化を図る。また、必要に応じて光照射を実施する。フォトレジストとして化学増幅型のレジストを用いる場合、反応促進のため、露光後に加熱処理（Post Exposure Bake）を適正条件で実施した後に現像処理を行う。
【００３５】
（２）犠牲層加工工程
図７（ｄ）に示すように、印刷法、スピンコーティング法等によって所望の厚さ（例えば、０．１ミクロン〜５．０ミクロン）になるようにフォトレジスト３３を塗布する。その後、溶媒分除去のためにプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。ポストベークが必要な場合は、適正な条件で実施する。基板１２上に金属膜からなる犠牲層３４を所望の材質と厚さで形成する。例えば、ＴｉとＣｕからなる犠牲層３４を、Ｔｉ／Ｃｕ＝（１００Å〜５００Å）／（１００Å〜５０００Å）でスパッタリング法により加工する。
次に、図７（ｅ）に示すように、不要なフォトレジスト３３と犠牲層３４を、例えば、リフトオフ法によって除去する。
【００３６】
（３）配線層加工工程
図７（ｆ）に示すように、基板１２上に、メッキ給電層となる所望の材料のシード層３５を所望の厚さが得られるように形成する。このシード層３５は、例えば、ＴｉとＮｉ合金からなるシード層３５を、Ｔｉ／Ｎｉ合金＝（１００Å〜２０００Å）／（５００Å〜５０００Å）でスパッタリング法により形成する。
【００３７】
図７（ｇ）に示すように、印刷法、スピンコーティング法等によって、接触子１３及び配線パターン１４となる配線層３８を形成するためのフォトレジスト３６を所望の厚さ（例えば、１０ミクロン〜５０ミクロン）になるように塗布し、その後、溶媒分除去のためプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。フォトレジスト３６として化学増幅型のレジストを用いる場合、反応促進のため、露光後に加熱処理（Post Exposure Bake）を適正条件で実施した後に現像処理を行う。
【００３８】
図７（ｈ）に示すように、メッキ処理を施すことにより配線層３８を形成する。配線層３８は、例えば、Ｎｉ合金（ＮｉＣｏ，ＮｉＭｎ，ＮｉＦｅ，ＮｉＰｄ等）から形成し、所望のばね性能が確保できる厚さに形成する。
配線層３８の形成後、図７（ｉ）に示すように、フォトレジスト３６及びシード層３５の除去を行う。
ここで、基板１２が最終の所望厚より厚い寸法である場合、基板１２の裏面に研削加工や研磨加工を施し、基板１２の厚さを所望の厚さまで薄化加工する。
【００３９】
（４）外形加工工程
次に、図７（ｊ）に示すように、ダイシング加工によって個片外形カットを行って個々の検査用プローブ１１とし、基板１２の裏面に溝３７を形成する。このとき、基板１２を加熱発泡タイプの接着シートでガラス基板に貼り付ける。ガラス基板から剥離するときは、接着シートを加熱発泡させて個片化させたチップをテープから取り出す。
【００４０】
その後、図７（ｋ）に示すように、選択エッチングによって犠牲層３４を除去する。この選択エッチングでは、例えば、銅（Ｃｕ）除去用液に一定時間浸漬して銅（Ｃｕ）成分を除去した後、チタニウム（Ｔｉ）除去のためアンモニウム過水に浸漬してチタニウム（Ｔｉ）成分を除去する。
最後に、図７（ｌ）に示すように、基板１２を溝３７の箇所で切断し、犠牲層３４を除去した部分における基板１２を接点成形部３０とともに除去する。
【００４１】
上記の接点形状加工工程、犠牲層加工工程、配線層加工工程及び外形加工工程を含むＭＥＭＳ技術を用いた製造プロセスを行うことにより、接触子１３の接点１５に電極接触凸部１６が形成された検査用プローブ１１が製造される。
【００４２】
このように、本実施形態に係る検査用プローブの製造方法によれば、被検査体２１の電極２２へ接触痕を残すことなく円滑に接触子１３の接点１５を接触させて検査を良好に行うことが可能な検査用プローブ１１を製造することができる。そして、その製造にかかるリードタイムを大幅に短縮させることができ、検査用プローブ１１の製造コストを大幅に低減させることができる。
【００４３】
次に、検査用プローブの製造方法の他の例を説明する。
（１）犠牲層加工工程
図８（ａ）に示すように、印刷法、スピンコーティング法等によって所望の厚さ（例えば、０．１ミクロン〜５．０ミクロン）になるようにフォトレジスト３３を塗布する。その後、溶媒分除去のためにプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。ポストベークが必要な場合は、適正な条件で実施する。
【００４４】
図８（ｂ）に示すように、基板１２上に金属膜からなる犠牲層３４を所望の材質と厚さで形成する。例えば、ＴｉとＣｕからなる犠牲層３４を、Ｔｉ／Ｃｕ＝（１００Å〜５００Å）／（１００Å〜５０００Å）でスパッタリング法により加工する。
次に、図８（ｃ）に示すように、不要なフォトレジスト３３と犠牲層３４を、例えば、リフトオフ法によって除去する。
【００４５】
（２）接点形状加工工程
犠牲層３４の加工を行った基板１２上に、印刷法、スピンコーティング法等によって所望の厚さ（例えば、１０ミクロン〜３０ミクロン）のポジ型のフォトレジストを塗布し、溶媒分除去のためにプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。図８（ｄ）（ｅ）に示すように、現像完了後、熱硬化炉（オーブン）を用いて加熱することにより、フォトレジスト３２をフローさせ、電極接触凸部１６となる部分に凸曲面状に突出した所望の形状の接点成形部３０を形成する。加熱条件は、例えば、２００℃〜３００℃のピーク温度において１０分〜６０分程度の範囲で条件適正化を図る。また、必要に応じて光照射を実施する。フォトレジストとして化学増幅型のレジストを用いる場合、反応促進のため、露光後に加熱処理（Post Exposure Bake）を適正条件で実施した後に現像処理を行う。
【００４６】
（３）配線層加工工程
図８（ｆ）に示すように、基板１２上に、メッキ給電層となる所望の材料のシード層３５を所望の厚さが得られるように形成する。このシード層３５は、例えば、ＴｉとＮｉ合金からなるシード層３５を、Ｔｉ／Ｎｉ合金＝（１００Å〜２０００Å）／（５００Å〜５０００Å）でスパッタリング法により形成する。
【００４７】
図８（ｇ）に示すように、印刷法、スピンコーティング法等によって、接触子１３及び配線パターン１４を形成するためのフォトレジスト３６を所望の厚さ（例えば、１０ミクロン〜５０ミクロン）になるように塗布し、その後、溶媒分除去のためプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。フォトレジスト３６として化学増幅型のレジストを用いる場合、反応促進のため、露光後に加熱処理（Post Exposure Bake）を適正条件で実施した後に現像処理を行う。
【００４８】
図８（ｈ）に示すように、メッキ処理を施すことにより配線層３８を形成する。配線層３８は、例えば、Ｎｉ合金（ＮｉＣｏ，ＮｉＭｎ，ＮｉＦｅ，ＮｉＰｄ等）から形成し、所望のばね性能が確保できる厚さに形成する。
配線層３８の形成後、図８（ｉ）に示すように、フォトレジスト３６の除去及びシード層３５の除去を行う。
ここで、基板１２が最終の所望厚より厚い寸法である場合、基板１２の裏面に研削加工や研磨加工を施し、基板１２の厚さを所望の厚さまで薄化加工する。
【００４９】
（４）外形加工工程
次に、図８（ｊ）に示すように、ダイシング加工によって個片外形カットを行って個々の検査用プローブ１１とし、基板１２の裏面に溝３７を形成する。このとき、基板１２を加熱発泡タイプの接着シートでガラス基板に貼り付ける。加工完了後ガラス基板から剥離するときは、接着シートを加熱発泡させて個片化させたチップをテープから取り出す。
【００５０】
その後、図８（ｋ）に示すように、選択エッチングによって犠牲層３４を接点成形部３０とともに除去する。この選択エッチングでは、例えば、銅（Ｃｕ）除去用液に一定時間浸漬して銅（Ｃｕ）成分を除去した後、チタニウム（Ｔｉ）除去のためアンモニウム過水に浸漬してチタニウム（Ｔｉ）成分を除去する。
最後に、図８（ｌ）に示すように、基板１２を溝３７の箇所で切断し、犠牲層３４を除去した部分における基板１２を除去する。
【００５１】
上記の犠牲層加工工程、接点形状加工工程、配線層加工工程及び外形加工工程を含むＭＥＭＳ技術を用いた製造プロセスを行うことにより、接触子１３の接点１５に電極接触凸部１６が形成された検査用プローブ１１が製造される。
【００５２】
このように、本実施形態に係る検査用プローブの製造方法によれば、被検査体２１の電極２２へ接触痕を残すことなく円滑に接触子１３の接点１５を接触させて検査を良好に行うことが可能な検査用プローブ１１を製造することができる。また、その製造リードタイムを大幅に短縮させることができ、検査用プローブ１１の製造コストを大幅に低減させることができる。
【００５３】
また、犠牲層３４を形成した後に犠牲層３４上に接点成形部３０を形成することで、接点形状加工工程での成膜加工工程を削減することができ、製造リードタイムをさらに短縮することができる。
【００５４】
なお、図５及び図６に示した検査用プローブ１１Ａを製造する方法は、図７または図８に示した製造方法を利用することができる。その際、接点成形部３０の形状を、図６に示した電極接触凸部１６に対応する形状とすることで、接点１５の基板１２側に凸曲面状の電極接触凸部１６を形成できる。そして、接触子１３の先端近傍部分をプレス加工などにより所望の角度に屈曲させればよい。
【符号の説明】
【００５５】
１１，１１Ａ：検査用プローブ、１２：基板、１３：接触子、１４：配線パターン、１５：接点、１６：電極接触凸部、２１：被検査体、２２：電極、３０：接点成形部、３４：犠牲層、３８：配線層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどを検査する際に用いられる検査用プローブ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの通電試験を行う検査用プローブは、検査対象である被検査体に設けられた電極に押し当てて導通させる接触子を有している。
近年、電子機器に搭載される被検査体である電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの微細化及び高集積化が積極的に行われており、これに伴い、これらの被検査体の電極も微細ピッチ化及び微細領域化されている。そのため、検査用プローブの接触子も、微細ピッチ化及び微細領域化された被検査体の電極に対応したものが要求されている。
【０００３】
このような検査用プローブとして、基板上にフォトリソグラフィー等のＭＥＭＳ技術を用いて配線層と微細接点を一括形成したものが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３２６３号公報
【特許文献２】特開２００２−２８６７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図９に示すように、並列させた複数の被検査体１を複数の検査用プローブによって同時に一括検査する場合などでは、図１０に示すように、互いの検査用プローブ３が干渉することなく、被検査体１の電極２に対して検査用プローブ３の接触子４を接触させるために、検査用プローブ３を構成する複数の基板５の配置角度を変える必要がある。
しかし、このような配置とすると、基板５の厚さ等の構造上の制限により、被検査体１の電極２に対する接触子４の接触角が大きく（例えば最大で約３１°）なる。すると、接触子４の角部によって被検査体１の電極２に接触痕が残ってしまう。
【０００６】
接触子４の角部による電極２への接触痕の発生を極力抑えるためには、接触角を小さく（約１０°〜２５°）抑える必要があり、このため、各基板４の配置密度を小さくせざるを得なくなる。すると、基板４の配置枚数が少なくなり、一括検査が可能な被検査体１の個数も少なくなり、検査効率の低下によりコストが嵩んでしまう。
【０００７】
また、接触角が小さい場合であっても、図１１に示すように、接触子４に尖った角部４ａがあると電極２に接触痕が形成される。このため、接触子４の角部４ａをラッピングシートに繰り返し接触させることにより、図１２に示すように、接触子４の角部４ａに面取り加工を施して面取り部４ｂを形成することが行われるが、製造時のリードタイムが長くなり、製造コストが嵩んでしまう。
【０００８】
また、ＭＥＭＳ型のプローブと異なる構造のカンチレバー方式の検査用プローブでは、接触子の先端を微細化すると、強度不足によって耐久性が低下してしまう。つまり、このカンチレバー方式の検査用プローブでは、接触子の先端の微細化が困難であり、このため、被検査体の電極へのダメージが大きくなり、被検査体を実装した際の接続信頼性が低下してしまう。
【０００９】
本発明の目的は、被検査体の電極への影響を抑えつつ極めて効率的に被検査体の検査を行うことができる低コストの検査用プローブ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決することのできる本発明の検査用プローブは、絶縁性の基板と、前記基板の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子と、前記基板に形成されて前記接触子と導通する配線パターンとを備え、被検査体の検査を行う際に前記接触子の先端からなる接点が前記被検査体の電極に接触される検査用プローブであって、
前記接触子及び前記配線パターンが、微小電気機械システム技術によって前記基板に形成されたものであり、
前記接触子の前記接点における前記電極との接触箇所に、凸曲面状に突出する電極接触凸部が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の検査用プローブにおいて、前記電極接触凸部は、ドーム形状に形成されていることが好ましい。
【００１２】
本発明の検査用プローブにおいて、前記接触子の先端側が前記基板の表面に対して所定角度で屈曲され、前記被検査体に対して垂直方向から近接されて前記接触子の接点が前記被検査体の電極に接触されることが好ましい。
【００１３】
本発明の検査用プローブの製造方法は、絶縁性の基板と、前記基板の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子と、前記基板に形成されて前記接触子と導通する配線パターンとを備えた検査用プローブを微小電気機械システム技術によって製造する検査用プローブの製造方法であって、
前記基板上の所定位置に、凸曲面状に突出する接点成形部を形成する接点形状加工工程と、
前記基板上における前記接触子の形成範囲に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記基板上における前記接触子及び前記配線パターンの形成位置に配線層を形成する配線層加工工程と、
前記接触子の形成位置における前記基板の一部を、前記犠牲層及び前記接点成形部とともに除去する外形加工工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明の検査用プローブの製造方法において、前記犠牲層形成工程後に前記接点形状加工工程を行い、前記犠牲層上に前記接点成形部を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の検査用プローブによれば、被検査体を検査する際に、被検査体の電極に対して接触子の接点に形成された凸曲面状に突出する電極接触凸部が円滑に接触することとなる。これにより、被検査体の電極に対して接触子を安定した接触性を確保しつつ接触させることができ、電極に接触痕を残すような不具合をなくし、電極の損傷を防止することができる。したがって、検査工程後における被検査体の歩留まりを向上させることができ、被検査体の製造コストの大幅な削減を図ることができる。
【００１６】
また、配線パターン及び接触子を微小電気機械システム技術によって基板に形成し、しかも、接触子の先端に電極接触凸部を形成したので、エージング加工によって接触子の角部を面取りしたものと比較して、製造時のリードタイムを大幅に短縮させることができ、製造コストの削減を図ることができる。そして、接触子が電極に接触痕を残すことなく円滑に接触するため、被検査体の電極に対する接触角を大きくすることができるので、複数の検査用プローブを用いて複数の被検査体を円滑に一括して検査することができる。
【００１７】
また、本発明の検査用プローブの製造方法によれば、被検査体の電極へ接触痕を残すことなく円滑に接触子の接点を接触させて検査を良好に行うことが可能な検査用プローブを製造することができる。しかも、その製造にかかるリードタイムを大幅に短縮させることができ、検査用プローブの製造コストを大幅に低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る検査用プローブの一実施形態を示す平面図である。
【図２】検査用プローブの接触子部分を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。
【図３】検査用プローブの接触子部分と被検査体の電極との接触状態を示す図であって、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ側面図である。
【図４】検査用プローブの接触子に形成された電極接触凸部の変形例を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。
【図５】検査用プローブの他の実施形態に係る側面図である。
【図６】検査用プローブの他の実施形態に係る接触子部分と被検査体の電極との接触箇所の拡大断面図である。
【図７】検査用プローブの製造工程の一例を示す図であって、（ａ）から（ｌ）は、それぞれ製造途中の検査用プローブの側面図である。
【図８】検査用プローブの製造工程の他の例を示す図であって、（ａ）から（ｌ）は、それぞれ製造途中の検査用プローブの側面図である。
【図９】並列に配置された複数の被検査体の一例を示す平面図である。
【図１０】複数の被検査体の検査を行う例を示す接触子部分と被検査体の電極との接触箇所の側面図である。
【図１１】従来の検査用プローブの接触子部分と電極との接触箇所の一例を示す側面図である。
【図１２】従来の検査用プローブの接触子部分と電極との接触箇所の一例を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る検査用プローブ及びその製造方法の実施の形態の例を、図面を参照して説明する。
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る検査用プローブ１１は、電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなど被検査体の通電試験を行うプローブである。被検査体となる表示デバイスとしては、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）や有機ＥＬディスプレイなどがある。
【００２０】
この検査用プローブ１１は、絶縁性材料からなる基板１２と、この基板１２の縁部から外に延在して並列に配置された複数の接触子１３を有している。この接触子１３は、導電性材料からなり、その基端側が基板１２上に配置されている。また、基板１２には、接触子１３と繋がって導通する配線パターン１４が形成されている。
【００２１】
接触子１３は、その先端部が接点１５とされており、この接点１５には、基板１２と反対側に突出する電極接触凸部１６が形成されている。この電極接触凸部１６は、接点１５から凸曲面状に突出された形状を有する。図２の例では、電極接触凸部１６の外形は、側面視で円弧状に形成され、その円弧が接触子１３の幅方向（図２（ｂ）の左右方向）に直線状に延びた形状となっている。
【００２２】
上記構造の検査用プローブ１１は、基板１２上にフォトリソグラフィー等の微小電気機械システム技術であるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて配線パターン１４と微細な接点１５となる接触子１３とを一括形成したものである。
【００２３】
次に、この検査用プローブ１１で電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの被検査体２１を検査する場合について説明する。
被検査体２１を検査する場合、被検査体２１に対して検査用プローブ１１が近接される。すると、図３（ａ）に示すように、被検査体２１の電極２２に接触子１３の接点１５が接触される。この状態から、図３（ｂ）に示すように、検査用プローブ１１と被検査体２１とが所定の押し込み量（Over Drive）ＯＤで相対的に接近する方向に変位される。すると、被検査体２１の電極２２に接点１５が接触された接触子１３が弾性変形し、この接触子１３の弾性力によって接点１５が被検査体２１の電極２２に押圧される。これにより、電極２２に対して接触子１３の接点１５が押し付けられ、電極２２と接触子１３とが良好に導通接触される。
【００２４】
このとき、接触子１３の接点１５には、電極２２側へ突出する側面視円弧状の電極接触凸部１６が形成されているので、電極２２に対して電極接触凸部１６の凸曲面状の表面が円滑に摺接することとなる。これにより、被検査体２１の電極２２に対して接触子１３を安定した接触性を確保しつつ接触させることができ、電極２２に接触痕を残すような不具合をなくし、電極２２の損傷を極力防ぐことができる。したがって、検査工程後における被検査体２１の歩留まりを向上させることができ、被検査体２１の製造コストを削減することができる。
【００２５】
また、配線パターン１４及び接触子１３をＭＥＭＳ技術によって基板１２に形成し、しかも、接触子１３の先端に電極接触凸部１６を形成したので、エージング加工によって接触子の角部を面取りしたもの（図１２参照）と比較して、製造時のリードタイムを大幅に短縮させることができ、製造コストを削減することができる。
【００２６】
上記の検査用プローブ１１を用いて、並列させた複数の被検査体２１（図９参照）を同時に一括検査する場合では、互いの検査用プローブ１１が干渉しないように、被検査体２１の電極２２に対して接触子１３の接点１５を接触させるために、検査用プローブ１１を構成する複数の基板１２の配置角度を変えて配置する必要がある（図１０参照）。
このような構造とすると、基板１２の厚さ等の構造上の制限により、被検査体２１の電極２２に対する接触子１３の接触角が大きく（例えば約３１°）なる。
【００２７】
このように、接触角が大きくなったとしても、本実施形態に係る検査用プローブ１１によれば、電極接触凸部１６が電極２２に円滑に接触するので、接触子１３が電極２２に接触痕を残すような不具合が生じず、電極２２の損傷が極力防がれる。したがって、複数の検査用プローブ１１を用いて複数の被検査体２１を円滑に一括して検査することができる。
【００２８】
なお、接触子１３の接点１５に形成した電極接触凸部１６の凸曲面形状としては、側面視円弧状で幅方向に同一な形状に限らず、図４に示すように、ドーム状（略半球状）に突出する形状であっても良い。このような形状の電極接触凸部１６を形成すると、接点１５の電極接触凸部１６があらゆる方向から電極２２に接触しても、電極２２に円滑に接触することとなり、被検査体２１の電極２２へ接触痕が残るような不具合をさらに確実になくし、電極２２の損傷を極力防止することができる。
【００２９】
次に、検査用プローブの他の実施形態例について説明する。
図５に示す検査用プローブ１１Ａでは、接触子１３の先端近傍部分が屈曲されている。これにより、接触子１３は、その先端が基板１２に対して所定の角度に傾斜されて配置されている。
また、この検査用プローブ１１Ａは、接触子１３の先端からなる接点１５における基板１２側の面に凸曲面状の電極接触凸部１６が形成されている。
【００３０】
この検査用プローブ１１Ａは、被検査体２１に対して基板１２が垂直に配置された状態で近接される。そして、このように被検査体２１に対して基板１２を垂直に配置して近接させると、図６に示すように、基板１２に対して傾斜された接触子１３の先端の接点１５が被検査体２１の電極２２に接触する。このときも、接点１５の電極接触凸部１６が被検査体２１の電極２２の表面に摺接しながら円滑に接触することとなる。これにより、被検査体２１に対して検査用プローブ１１Ａを垂直に配置した状態で被検査体２１を容易に検査することができる。この場合も、接触子１３の接点１５が電極２２へ接触することによる接触痕が残るような不具合をなくし、電極２２の損傷を防ぐことができる。
【００３１】
また、この検査用プローブ１１Ａでは、被検査体２１に対して垂直方向から近接して検査を行うことができるので、電極２２が被検査体２１の表面よりも内側に凹んだ箇所に配置されているような段付き形状であっても、接触子１３の接点１５を電極２２へ接触させて容易に検査することができる。
【００３２】
次に、検査用プローブの製造方法について説明する。
なお、ここでは、基板１２から接触子１３が真っ直ぐ延在し、接点１５の先端に凸曲面状に突出した電極接触凸部１６を有する検査用プローブ１１を製造する場合について説明する。
【００３３】
（１）接点形状加工工程
図７（ａ）に示すように、基板１２上に成膜加工を施すことにより、例えば、アルミニウム合金（ＡｌＣｕ）等からなる所望の厚さ（例えば、１００Å〜５００Å）の金属薄膜３１を形成し、この金属薄膜３１上に、印刷法、スピンコーティング法等によって所望の厚さ（例えば、１０ミクロン〜３０ミクロン）のポジ型のフォトレジストを塗布する。
【００３４】
その後、図７（ｂ），（ｃ）に示すように、溶媒分除去のためにプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。現像完了後、熱硬化炉（オーブン）を用いて加熱することにより、フォトレジストをフローさせ、電極接触凸部１６となる部分に凸曲面状に突出した所望の形状の接点成形部３０を形成する。加熱条件は、例えば、２００℃〜３００℃のピーク温度において、１０分〜６０分程度の範囲で条件適正化を図る。また、必要に応じて光照射を実施する。フォトレジストとして化学増幅型のレジストを用いる場合、反応促進のため、露光後に加熱処理（Post Exposure Bake）を適正条件で実施した後に現像処理を行う。
【００３５】
（２）犠牲層加工工程
図７（ｄ）に示すように、印刷法、スピンコーティング法等によって所望の厚さ（例えば、０．１ミクロン〜５．０ミクロン）になるようにフォトレジスト３３を塗布する。その後、溶媒分除去のためにプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。ポストベークが必要な場合は、適正な条件で実施する。基板１２上に金属膜からなる犠牲層３４を所望の材質と厚さで形成する。例えば、ＴｉとＣｕからなる犠牲層３４を、Ｔｉ／Ｃｕ＝（１００Å〜５００Å）／（１００Å〜５０００Å）でスパッタリング法により加工する。
次に、図７（ｅ）に示すように、不要なフォトレジスト３３と犠牲層３４を、例えば、リフトオフ法によって除去する。
【００３６】
（３）配線層加工工程
図７（ｆ）に示すように、基板１２上に、メッキ給電層となる所望の材料のシード層３５を所望の厚さが得られるように形成する。このシード層３５は、例えば、ＴｉとＮｉ合金からなるシード層３５を、Ｔｉ／Ｎｉ合金＝（１００Å〜２０００Å）／（５００Å〜５０００Å）でスパッタリング法により形成する。
【００３７】
図７（ｇ）に示すように、印刷法、スピンコーティング法等によって、接触子１３及び配線パターン１４となる配線層３８を形成するためのフォトレジスト３６を所望の厚さ（例えば、１０ミクロン〜５０ミクロン）になるように塗布し、その後、溶媒分除去のためプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。フォトレジスト３６として化学増幅型のレジストを用いる場合、反応促進のため、露光後に加熱処理（Post Exposure Bake）を適正条件で実施した後に現像処理を行う。
【００３８】
図７（ｈ）に示すように、メッキ処理を施すことにより配線層３８を形成する。配線層３８は、例えば、Ｎｉ合金（ＮｉＣｏ，ＮｉＭｎ，ＮｉＦｅ，ＮｉＰｄ等）から形成し、所望のばね性能が確保できる厚さに形成する。
配線層３８の形成後、図７（ｉ）に示すように、フォトレジスト３６及びシード層３５の除去を行う。
ここで、基板１２が最終の所望厚より厚い寸法である場合、基板１２の裏面に研削加工や研磨加工を施し、基板１２の厚さを所望の厚さまで薄化加工する。
【００３９】
（４）外形加工工程
次に、図７（ｊ）に示すように、ダイシング加工によって個片外形カットを行って個々の検査用プローブ１１とし、基板１２の裏面に溝３７を形成する。このとき、基板１２を加熱発泡タイプの接着シートでガラス基板に貼り付ける。ガラス基板から剥離するときは、接着シートを加熱発泡させて個片化させたチップをテープから取り出す。
【００４０】
その後、図７（ｋ）に示すように、選択エッチングによって犠牲層３４を除去する。この選択エッチングでは、例えば、銅（Ｃｕ）除去用液に一定時間浸漬して銅（Ｃｕ）成分を除去した後、チタニウム（Ｔｉ）除去のためアンモニウム過水に浸漬してチタニウム（Ｔｉ）成分を除去する。
最後に、図７（ｌ）に示すように、基板１２を溝３７の箇所で切断し、犠牲層３４を除去した部分における基板１２を接点成形部３０とともに除去する。
【００４１】
上記の接点形状加工工程、犠牲層加工工程、配線層加工工程及び外形加工工程を含むＭＥＭＳ技術を用いた製造プロセスを行うことにより、接触子１３の接点１５に電極接触凸部１６が形成された検査用プローブ１１が製造される。
【００４２】
このように、本実施形態に係る検査用プローブの製造方法によれば、被検査体２１の電極２２へ接触痕を残すことなく円滑に接触子１３の接点１５を接触させて検査を良好に行うことが可能な検査用プローブ１１を製造することができる。そして、その製造にかかるリードタイムを大幅に短縮させることができ、検査用プローブ１１の製造コストを大幅に低減させることができる。
【００４３】
次に、検査用プローブの製造方法の他の例を説明する。
（１）犠牲層加工工程
図８（ａ）に示すように、印刷法、スピンコーティング法等によって所望の厚さ（例えば、０．１ミクロン〜５．０ミクロン）になるようにフォトレジスト３３を塗布する。その後、溶媒分除去のためにプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。ポストベークが必要な場合は、適正な条件で実施する。
【００４４】
図８（ｂ）に示すように、基板１２上に金属膜からなる犠牲層３４を所望の材質と厚さで形成する。例えば、ＴｉとＣｕからなる犠牲層３４を、Ｔｉ／Ｃｕ＝（１００Å〜５００Å）／（１００Å〜５０００Å）でスパッタリング法により加工する。
次に、図８（ｃ）に示すように、不要なフォトレジスト３３と犠牲層３４を、例えば、リフトオフ法によって除去する。
【００４５】
（２）接点形状加工工程
犠牲層３４の加工を行った基板１２上に、印刷法、スピンコーティング法等によって所望の厚さ（例えば、１０ミクロン〜３０ミクロン）のポジ型のフォトレジストを塗布し、溶媒分除去のためにプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。図８（ｄ）（ｅ）に示すように、現像完了後、熱硬化炉（オーブン）を用いて加熱することにより、フォトレジスト３２をフローさせ、電極接触凸部１６となる部分に凸曲面状に突出した所望の形状の接点成形部３０を形成する。加熱条件は、例えば、２００℃〜３００℃のピーク温度において１０分〜６０分程度の範囲で条件適正化を図る。また、必要に応じて光照射を実施する。フォトレジストとして化学増幅型のレジストを用いる場合、反応促進のため、露光後に加熱処理（Post Exposure Bake）を適正条件で実施した後に現像処理を行う。
【００４６】
（３）配線層加工工程
図８（ｆ）に示すように、基板１２上に、メッキ給電層となる所望の材料のシード層３５を所望の厚さが得られるように形成する。このシード層３５は、例えば、ＴｉとＮｉ合金からなるシード層３５を、Ｔｉ／Ｎｉ合金＝（１００Å〜２０００Å）／（５００Å〜５０００Å）でスパッタリング法により形成する。
【００４７】
図８（ｇ）に示すように、印刷法、スピンコーティング法等によって、接触子１３及び配線パターン１４を形成するためのフォトレジスト３６を所望の厚さ（例えば、１０ミクロン〜５０ミクロン）になるように塗布し、その後、溶媒分除去のためプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。フォトレジスト３６として化学増幅型のレジストを用いる場合、反応促進のため、露光後に加熱処理（Post Exposure Bake）を適正条件で実施した後に現像処理を行う。
【００４８】
図８（ｈ）に示すように、メッキ処理を施すことにより配線層３８を形成する。配線層３８は、例えば、Ｎｉ合金（ＮｉＣｏ，ＮｉＭｎ，ＮｉＦｅ，ＮｉＰｄ等）から形成し、所望のばね性能が確保できる厚さに形成する。
配線層３８の形成後、図８（ｉ）に示すように、フォトレジスト３６の除去及びシード層３５の除去を行う。
ここで、基板１２が最終の所望厚より厚い寸法である場合、基板１２の裏面に研削加工や研磨加工を施し、基板１２の厚さを所望の厚さまで薄化加工する。
【００４９】
（４）外形加工工程
次に、図８（ｊ）に示すように、ダイシング加工によって個片外形カットを行って個々の検査用プローブ１１とし、基板１２の裏面に溝３７を形成する。このとき、基板１２を加熱発泡タイプの接着シートでガラス基板に貼り付ける。加工完了後ガラス基板から剥離するときは、接着シートを加熱発泡させて個片化させたチップをテープから取り出す。
【００５０】
その後、図８（ｋ）に示すように、選択エッチングによって犠牲層３４を接点成形部３０とともに除去する。この選択エッチングでは、例えば、銅（Ｃｕ）除去用液に一定時間浸漬して銅（Ｃｕ）成分を除去した後、チタニウム（Ｔｉ）除去のためアンモニウム過水に浸漬してチタニウム（Ｔｉ）成分を除去する。
最後に、図８（ｌ）に示すように、基板１２を溝３７の箇所で切断し、犠牲層３４を除去した部分における基板１２を除去する。
【００５１】
上記の犠牲層加工工程、接点形状加工工程、配線層加工工程及び外形加工工程を含むＭＥＭＳ技術を用いた製造プロセスを行うことにより、接触子１３の接点１５に電極接触凸部１６が形成された検査用プローブ１１が製造される。
【００５２】
このように、本実施形態に係る検査用プローブの製造方法によれば、被検査体２１の電極２２へ接触痕を残すことなく円滑に接触子１３の接点１５を接触させて検査を良好に行うことが可能な検査用プローブ１１を製造することができる。また、その製造リードタイムを大幅に短縮させることができ、検査用プローブ１１の製造コストを大幅に低減させることができる。
【００５３】
また、犠牲層３４を形成した後に犠牲層３４上に接点成形部３０を形成することで、接点形状加工工程での成膜加工工程を削減することができ、製造リードタイムをさらに短縮することができる。
【００５４】
なお、図５及び図６に示した検査用プローブ１１Ａを製造する方法は、図７または図８に示した製造方法を利用することができる。その際、接点成形部３０の形状を、図６に示した電極接触凸部１６に対応する形状とすることで、接点１５の基板１２側に凸曲面状の電極接触凸部１６を形成できる。そして、接触子１３の先端近傍部分をプレス加工などにより所望の角度に屈曲させればよい。
【符号の説明】
【００５５】
１１，１１Ａ：検査用プローブ、１２：基板、１３：接触子、１４：配線パターン、１５：接点、１６：電極接触凸部、２１：被検査体、２２：電極、３０：接点成形部、３４：犠牲層、３８：配線層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板と、前記基板の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子と、前記基板に形成されて前記接触子と導通する配線パターンとを備え、被検査体の検査を行う際に前記接触子の先端からなる接点が前記被検査体の電極に接触される検査用プローブであって、
前記接触子及び前記配線パターンが、微小電気機械システム技術によって前記基板に形成されたものであり、
前記接触子の前記接点における前記電極との接触箇所に、凸曲面状に突出する電極接触凸部が形成されていることを特徴とする検査用プローブ。
【請求項２】
請求項１に記載の検査用プローブであって、
前記電極接触凸部は、ドーム形状に形成されていることを特徴とする検査用プローブ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の検査用プローブであって、
前記接触子の先端側が前記基板の表面に対して所定角度で屈曲され、前記被検査体に対して垂直方向から近接されて前記接触子の接点が前記被検査体の電極に接触されることを特徴とする検査用プローブ。
【請求項４】
絶縁性の基板と、前記基板の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子と、前記基板に形成されて前記接触子と導通する配線パターンとを備えた検査用プローブを微小電気機械システム技術によって製造する検査用プローブの製造方法であって、
前記基板上の所定位置に、凸曲面状に突出する接点成形部を形成する接点形状加工工程と、
前記基板上における前記接触子の形成範囲に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記基板上における前記接触子及び前記配線パターンの形成位置に配線層を形成する配線層加工工程と、
前記接触子の形成位置における前記基板の一部を、前記犠牲層及び前記接点成形部とともに除去する外形加工工程と、を含むことを特徴とする検査用プローブの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の検査用プローブの製造方法であって、
前記犠牲層形成工程後に前記接点形状加工工程を行い、前記犠牲層上に前記接点成形部を形成することを特徴とする検査用プローブの製造方法。
【請求項１】
絶縁性の基板と、前記基板の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子と、前記基板に形成されて前記接触子と導通する配線パターンとを備え、被検査体の検査を行う際に前記接触子の先端からなる接点が前記被検査体の電極に接触される検査用プローブであって、
前記接触子及び前記配線パターンが、微小電気機械システム技術によって前記基板に形成されたものであり、
前記接触子の前記接点における前記電極との接触箇所に、凸曲面状に突出する電極接触凸部が形成されていることを特徴とする検査用プローブ。
【請求項２】
請求項１に記載の検査用プローブであって、
前記電極接触凸部は、ドーム形状に形成されていることを特徴とする検査用プローブ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の検査用プローブであって、
前記接触子の先端側が前記基板の表面に対して所定角度で屈曲され、前記被検査体に対して垂直方向から近接されて前記接触子の接点が前記被検査体の電極に接触されることを特徴とする検査用プローブ。
【請求項４】
絶縁性の基板と、前記基板の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子と、前記基板に形成されて前記接触子と導通する配線パターンとを備えた検査用プローブを微小電気機械システム技術によって製造する検査用プローブの製造方法であって、
前記基板上の所定位置に、凸曲面状に突出する接点成形部を形成する接点形状加工工程と、
前記基板上における前記接触子の形成範囲に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記基板上における前記接触子及び前記配線パターンの形成位置に配線層を形成する配線層加工工程と、
前記接触子の形成位置における前記基板の一部を、前記犠牲層及び前記接点成形部とともに除去する外形加工工程と、を含むことを特徴とする検査用プローブの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の検査用プローブの製造方法であって、
前記犠牲層形成工程後に前記接点形状加工工程を行い、前記犠牲層上に前記接点成形部を形成することを特徴とする検査用プローブの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１３−６１２４７（Ｐ２０１３−６１２４７Ａ）
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９９９１５（Ｐ２０１１−１９９９１５）
【出願日】平成２３年９月１３日（２０１１．９．１３）
【出願人】（０００１７７６９０）山一電機株式会社 (233)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１３日（２０１１．９．１３）
【出願人】（０００１７７６９０）山一電機株式会社 (233)
【Ｆターム（参考）】
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