仮接合されたウェハーを剥離するための改善された装置が、剥離装置と、クリーニングモジュールと、テーピングモジュールとを含む。剥離された薄化後のウェハーを保持するために剥離装置内で真空チャックが用いられ、その真空チャックは、後続の洗浄するプロセスステップ及びダイシングテープに取り付けるプロセスステップ中に、薄化後の剥離されたウェハーとともに留まる。一実施の形態では、剥離された薄化後のウェハーは真空チャック上に留まり、真空チャックとともにクリーニングモジュールの中に移動し、その後、テーピングモジュールの中に移動する。別の実施の形態では、剥離された薄化後のウェハーは真空チャック上に留まり、最初に、クリーニングモジュールが薄化後のウェハー上に移動してウェハーを洗浄し、その後、テーピングモジュールが薄化後のウェハー上に移動して、ウェハー上にダイシングテープを取り付ける。 （もっと読む）

【課題】ウェハを支持する際にウェハの裏側周縁部と接触することのない基板載置プレート、あるいは、ウェハのたわみ量を小さくすることのできる基板載置プレート、および該基板載置プレートを用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置を次のように構成する。すなわち、基板を収容し、基板に熱処理を行う処理室と、基板を基板載置プレートに載置して処理室内へ搬送する基板移載機とを備えた基板処理装置であって、前記基板載置プレートは、３以上の基板載置部を有し、該３以上の基板載置部は同一水平面上に位置するものであり、該３以上の基板載置部が基板載置プレートの上側になるように配置された状態において、該基板載置部の上面の高さは、該３以上の基板載置部で囲まれる基板載置プレートの面の高さよりも高く、該基板載置部の全周縁の面の高さよりも高いものである基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの形状に切り抜いた後の不要な粘着テープを精度よく巻き取るとともに、粘着テープをウエハに精度よく貼付ける方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハに貼付けられた帯状の粘着テープをテープ切断機構によりウエハ形状に切り抜き、この切り抜かれた不要テープを巻き取り回収する過程で、テープ両端の狭小部位を案内するサイドローラ３６ａ、３６ｂの回転角をロータリエンコーダ３８で検出する。この実測による実回転角と予め決めた基準回転角とを比較して不要テープの狭小部位の破断を判別部が判断する。 （もっと読む）

【課題】異物あるいは金属汚染の発生を抑制し、長期にわたって連続運転することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】所定の圧力に減圧排気される処理室と、該処理室内に配置され、試料を静電吸着して保持する静電チャックを備えた吸着装置と、該吸着装置の温度を調整する温度調整手段と、前記吸着装置と該吸着装置上に載置された試料の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記処理室内にプラズマを生成する手段を備え、生成されたプラズマ用いて前記吸着装置上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記吸着装置２の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分を保護するリング状の保護カバー１１８を備え、該カバーは静電チャックの吸着面の外周に設けたＶ字型の切欠き４００に間隔を空けて嵌合するＶ字型の張り出し４０１をリングの内周側に備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに貼付けられた紫外線硬化型の粘着テープを精度よく剥離できる粘着テープの剥離方法およびその装置を提供する。
【解決手段】ダイオード１１によってウエハＷに貼付けられた保護テープＰＴに紫外線が照射され、この紫外線照射と同時にヒータ７１によって保護テープＰＴが設定された温度に加熱されるので、ダイオード１１による紫外線の反応とヒータ７１による加熱の反応とによって、重合反応が確実に促進され、紫外線のみでは硬化しきれない粘着剤を硬化させることができる。その結果、この保護テープＰＴの接着力は十分に弱まる。このダイオード１１による紫外線照射およびヒータ７１による加熱の後、保護テープ剥離機構が保護テープＰＴをウエハＷから剥離するので、ウエハＷに貼付けられた保護テープＰＴを精度よく剥離できる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に処理を行う基板処理装置において、基板全面に均一に基板処理を行うことができる基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法を提供する。
【解決手段】搬送路３４の途中に設けられたステージ面１５２を有し、被処理基板Ｇをステージ面１５２の上に載置する載置ステージ１５０と、ステージ面１５２の下方で搬送路３４を横切る方向に延びる軸１５６に沿って回転可能に設けられ、ステージ面１５２より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を軸１５６に沿って切り落とした形状に形成され、それぞれ第１及び第２の回転角度位置にあるときにステージ面１５２と略平行な面を形成する第１及び第２の弦部１６４、１７４を備えた第１及び第２の回転体１６０、１７０を有する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に半導体処理チャンバに関し、より詳細には、半導体処理チャンバのための、被加熱支持体ペデスタルに関する。１つの実施形態において、半導体処理チャンバのためのペデスタルが提供される。ペデスタルは、導電性材料を含み、基板を受け取るための支持面を有している基板支持体と、基板支持体内に封入された抵抗ヒータと、第１の端部において基板支持体に結合し、対向する端部において整合するインターフェイスに結合する中空シャフトであって、中空コアを有するシャフト本体と、内部冷却経路を介してペデスタルから熱を除去するための中空コアを取り囲み、シャフト本体内に設置される冷却チャネルアセンブリとを含む中空シャフトとを備えるペデスタルであって、基板支持体が加熱素子とリング状冷却チャネルの間に配置される熱制御間隙を有している。
（もっと読む）

【課題】 常温時の高精度なチャックトップ上面の平面度を常温時に限らず昇温時や冷却時にも高精度に維持することができるウェハプローバ用ウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハプローバ用ウェハ保持体は、ウェハ載置面を有するチャックトップと、チャックトップにおいてウェハ載置面とは反対側の面に設置される温度制御手段と、前記チャックトップ及び／又は前記温度制御手段を支持する支持体と、該支持体の下部に設置された底板とを有し、該底板の熱膨張係数が、前記チャックトップの熱膨張係数以上であり、前記チャックトップ、支持体、底板の熱伝導率をそれぞれＫ１、Ｋ２、Ｋ３としたとき、Ｋ１＞Ｋ２かつＫ３＞Ｋ２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】化学的に不活性なプラスチックのピン本体が空洞を備えており、その空洞内に、不活性プラスチックよりも大きいヤング率を有する材料から形成された挿入材が含まれている複合支持ピン構造を用いることにより、スピンチャックの耐久性および寿命の改善を実現する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の板状試料を囲むように設けられたフォーカスリングの温度を調整することにより、処理中のフォーカスリングの温度を一定に保持することができ、板状試料の外周部の温度を安定化することができ、よって板状試料の面内におけるエッチング特性を均一化することができ、フォーカスリング上に堆積物が堆積するのを防止することができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】静電チャック装置１は、静電チャック部２と、この静電チャック部２を囲むように設けられた環状のフォーカスリング部３と、これら静電チャック部２及びフォーカスリング部３を冷却する冷却ベース部４とにより構成され、フォーカスリング部３は、環状のフォーカスリング２１と、環状の熱伝導シート２２と、環状のセラミックリング２３と、非磁性体のヒータ２５とを重ね合わせたもので、ヒータ２５には給電用端子２６が取り付けられている。 （もっと読む）