【課題】ゲート電極と第１のコンタクトプラグとが接触する接触幅を充分に確保する。
【解決手段】半導体基板１０の上に、エッチングストッパー膜１７、第１の層間絶縁膜１８及び第２の層間絶縁膜１９を順次形成する。次に、第１，第２の層間絶縁膜１８，１９を貫通し、且つ、エッチングストッパー膜１７を露出する第１のホール２３を形成する。次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。次に、第１の変質層２５を除去して、第２のホール２７を形成する。次に、エッチングストッパー膜１７における第２のホール２７に露出する部分を除去して、第１のコンタクトホール２９を形成する。次に、第１のコンタクトホール２９に、第１のコンタクトプラグ３２Ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の厚膜化を抑制しつつ、周辺回路領域の配線層数を増加させることのできる光電変換装置を提供する。
【解決手段】 画素領域と、画素領域よりも多くの配線層を有する周辺回路領域とが配された半導体基板と、半導体基板の上部に配された配線部とを有する光電変換装置において、配線部は、第１の配線層と接続する第１の層間絶縁膜に配されたプラグを周辺回路領域に有し、第１の配線層よりも上部に配された第２の配線層と接続する第１の層間絶縁膜に配されたプラグと第２の層間絶縁膜に配されたプラグとを画素領域に有し、
半導体基板に最も近接して配された配線層は、周辺回路領域において第１の配線層であり、画素領域において第２の配線層である。 （もっと読む）

本願は、半導体デバイス及びその製造方法に関するものである。本発明の半導体デバイスの製造方法は、半導体基板を提供する工程と、半導体基板に、該半導体基板に形成されたゲート絶縁層及び該ゲート絶縁層に形成された犠牲ゲートを含むゲート領域と、ソース／ドレイン領域とを含むトランジスタ構造を形成する工程と、第１の層間絶縁層を堆積し、犠牲ゲートを露出させるように該第１の層間絶縁層に対して平坦化を行う工程と、犠牲ゲートを除去して、リプレースメントゲートホールを形成する工程と、第１の層間絶縁層におけるソース／ドレイン領域に対応する位置に、第１のコンタクトホールを形成する工程と、第１のコンタクトホール及びリプレースメントゲートホールに第１の導電材料を充填して、ソース／ドレイン領域に接触する第１のコンタクト部と、リプレースメントゲートとを形成する工程とを含む。本発明によれば、リプレースメントゲートと第１のコンタクト部は、同一の工程で同じ材料を堆積して形成することができるため、製造プロセスを簡単化できた。
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【課題】本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。
【解決手段】半導体デバイスメタライゼーション要素用の障壁層は、要素くぼみ中に形成されたシリコン窒化物薄膜とシリコン窒化物薄膜上に形成された耐熱性金属薄膜を供する。デバイス要素は誘電体材料及び誘電体中に形成されたくぼみを含む。くぼみ内の誘電体材料の表面は、制御されたパラメータ下で窒素に露出される。くぼみの内部に隣接した誘電体材料の部分は、シリコン窒化物に変換される。
耐熱性金属は次に、くぼみの側壁に沿って、適合して堆積される。次に、耐熱性金属薄膜上にシード層が堆積され、次にくぼみ内に導電性金属が堆積される。次に、くぼみの外の過剰の金属を除去し、デバイスを平坦化するため、デバイスを研磨する。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】５７〜９５重量％の（成分ａ）水、１〜４０重量％の（成分ｂ）第２級水酸基及び／又は第３級水酸基を有するヒドロキシ化合物、（成分ｃ）有機酸、並びに、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、を含有し、ｐＨが５〜１０であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成された絶縁膜であって、０．０３〜２０μｍの膜厚を有し、ナノインデンターを用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるコンタクトホールを同時に形成することを可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の溝部７内に形成された第１の埋め込み配線１１と、第２の溝部１２内に形成された第２の埋め込み配線１４と、第１の埋め込み配線１１上に第１のコンタクトプラグ２４が形成される第１のコンタクト形成領域２３と、第２の埋め込み配線１４上に第２のコンタクトプラグ２６が形成される第２のコンタクト形成領域２５とを備え、第１のコンタクト形成領域２３の上面２３ａが第１の埋め込み配線１１の上面１１ａよりも高い位置にあり、第２のコンタクト形成領域２５の上面２５ａが第２の埋め込み配線１４の上面１４ａと同じかそれよりも高い位置にあり、第１のコンタクト形成領域２３の上面２３ａが第２のコンタクト形成領域２５の上面２５ａと同じかそれよりも高い位置にある。 （もっと読む）